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公开(公告)号：CN109585567A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811395202.5
申请日：2018-11-22
Applicant: 武汉大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/363
Abstract: 本发明提供高性能铟镓锌氧基双层结构薄膜晶体管及其制备方法，能够有效减少双层薄膜中的缺陷，并显著提高迁移率和开关电流比。本发明所涉及的薄膜晶体管，从下往上依次包括：P型重掺杂硅片、二氧化硅绝缘层、铟镓锌氧薄膜层、氧化铟薄膜层以及源漏电极。方法包括：以生长有二氧化硅绝缘层的重掺杂P型硅片为基底，对铟镓锌氧复合靶材进行射频磁控溅射，同时通过掩膜工艺在基底上沉积形成铟镓锌氧薄膜；在铟镓锌氧薄膜层上对氧化铟靶材进行射频磁控溅射，通过掩膜工艺沉积形成氧化铟薄膜层，进而形成铟镓锌氧/氧化铟双沟道层；在铟镓锌氧/氧化铟双沟道层上采用热蒸发工艺，同时通过掩膜工艺制备源漏电极，即得铟镓锌氧基双层结构薄膜晶体管。
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