公开(公告)号：CN104944412B

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201510395922.1

申请日：2015-07-07

Applicant: 武汉大学

Inventor： 潘春旭 ,  罗成志 ,  廖蕾 ,  万达

IPC: C01B31/02 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体性单壁碳纳米管（SWNTs）的制备方法。将催化剂二茂铁置于CVD炉石英管内上游区，基底置于石英管内下游区，然后封闭石英管，通入氮气或惰性气体排尽石英管内的空气；将石英管加热至400‑1500℃，开启磁场，从上游区通入高纯度气体碳源反应5‑300 min，反应结束后先关闭气体碳源，再关闭磁场，然后将石英管自然降温至室温，即得到半导体性单壁碳纳米管。本发明利用浮动催化剂化学气相沉积法（CVD）制备单壁碳纳米管的过程中引入磁场可以选择性地制备半导体性单壁碳纳米管。该方法具有工艺简单、操作容易、成本低、产物质量高、含量高、可控性好，以及可进行大规模生产等优点，是一种“原位”制备半导体性单壁碳纳米管的理想方法。

公开(公告)号：CN104944412A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201510395922.1

申请日：2015-07-07

Applicant: 武汉大学

Inventor： 潘春旭 ,  罗成志 ,  廖蕾 ,  万达

IPC: C01B31/02 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体性单壁碳纳米管（SWNTs）的制备方法。将催化剂二茂铁置于CVD炉石英管内上游区，基底置于石英管内下游区，然后封闭石英管，通入氮气或惰性气体排尽石英管内的空气；将石英管加热至400-1500℃，开启磁场，从上游区通入高纯度气体碳源反应5-300min，反应结束后先关闭气体碳源，再关闭磁场，然后将石英管自然降温至室温，即得到半导体性单壁碳纳米管。本发明利用浮动催化剂化学气相沉积法（CVD）制备单壁碳纳米管的过程中引入磁场可以选择性地制备半导体性单壁碳纳米管。该方法具有工艺简单、操作容易、成本低、产物质量高、含量高、可控性好，以及可进行大规模生产等优点，是一种“原位”制备半导体性单壁碳纳米管的理想方法。