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公开(公告)号：CN109256322B
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201811165407.4
申请日：2018-10-08
Applicant: 武汉大学
Inventor： 亚历山大·托斯托古佐夫 , 瓦西里·帕里诺维奇 , 曾晓梅 , 左文彬 , 付德君
Abstract: 本发明提供了一种产生单电荷态的混合气体团簇离子束的方法，首先产生掺杂离子和中性团簇，然后在电场中相互作用产生单电荷态的混合气体团簇离子束。本发明同时提供了一种产生单电荷态的混合气体团簇离子束的装置，包括电解质溶液储蓄池，所述电解质溶液储蓄池连接有环形狭缝发射器，距环形狭缝发射器的孔口一侧设置有环形引出电极，环形狭缝发射器的孔口另一侧设有金属喷嘴，环形狭缝发射器的孔口与喷嘴之间设有光阑，电解质溶液储蓄池和引出电极分别与第一高压电源和第二高压电源连接。本发明在没有使用任何其他装置电离产生团簇离子的情况下获得各种组分混合的单电荷气体团簇离子(正负离子均可产生)，能应用于现代微纳电子学领域。
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公开(公告)号：CN109320291A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201811062321.9
申请日：2018-09-12
Applicant: 武汉大学
CPC classification number: C04B41/0054 , B82Y30/00 , C04B41/5346
Abstract: 本发明公开了一种获得固体材料表面孔洞直径可控范围广的团簇离子轰击法。为克服现有技术固体表面尺寸控制的局限性，提出了采用压制所需材料的纳米粉体来制作基体。在这种压制材料中，布氏硬度可以很容易地通过调节压片机在基体形成过程中的压力来控制，因此，孔洞直径可以通过基体的硬度来控制。此外，与控制团簇簇离子能量相比，这种硬度控制可形成直径范围更大的孔，降低了成本，因此控制材料硬度是控制孔洞直径的一种便捷方法。
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公开(公告)号：CN105779948A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610130391.8
申请日：2016-03-08
Applicant: 武汉大学苏州研究院
CPC classification number: C23C14/34 , C23C14/0036 , C23C14/025 , C23C14/0617 , C23C14/0641
Abstract: 本发明提供了一种具有高硬度和优良抗氧化性能以及自润滑性的并且涂层与基体之间表现出良好的结合强度的TiAlN/MoN多层膜复合涂层，所述的TiAlN/MoN多层膜复合涂层由下至上依次为金属结合层、过渡层以及复合多层，其中金属结合层沉积在基体上，金属结合层为TiAl或Mo，所述过渡层为TiAlN或MoN，所述复合多层为TiAlN和MoN交替沉积，其中单层TiAlN的厚度为5～50纳米，单层MoN的厚度为5～50纳米，复合多层的总厚度为1～12微米。本发明还提供了上述TiAlN/MoN多层膜复合涂层的制备方法，其工艺简单、设备常规、生产成本低。
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公开(公告)号：CN102659098A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201210157870.0
申请日：2012-05-21
Applicant: 武汉大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明公开了一种制备石墨烯的设备和方法，该设备主要包括负离子源、分析磁铁、扫描系统、样品架、束流积分仪和真空室，采用上述设备能在能量为5-30keV的范围内进行碳团簇离子在衬底中的注入，然后利用不同温度下碳在衬底中溶解度的不同，经退火处理，使碳从衬底表面析出形成石墨烯。采用本发明设备和方法可以制备面积大、缺陷少、层数少且层数分布均匀的石墨烯，所制备的石墨烯可用作锂离子电池、超级电容器的电极材料，为石墨烯在锂电池、电容器等工业化产品中的大规模应用提供了一种新的途径。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102373433A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110370968.X
申请日：2011-11-21
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明提供了一种制备超薄碳膜的方法。用铯离子溅射石墨靶产生小碳团簇负离子束，在合适的真空条件下，经减速电场后在基材表面上扫描沉积形成超薄碳膜。本装置主要由离子源、扫描器、沉积靶室和真空系统组成。离子源、扫描器、沉积靶室依次相连，处于真空系统之中。离子源产生的碳团簇负离子束，其能量从十几KeV降低到几十或几百eV，经扫描在衬底上形成厚度均匀的超薄碳膜。本发明利用低能团簇负离子束单个原子的低能量、剂量精确可控的优势，实现直接沉积法制备超薄碳膜。
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公开(公告)号：CN102354642A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201110332681.8
申请日：2011-10-28
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种场电离粒子发生器，由真空腔、电极部分、低压电源、高压电源、束流表和计算机系统构成，电极部分由顺次垂直安装在真空腔中的发射极、栅极和收集极构成，栅极通过真空腔中导出的低压电极与低压电源连接，低压电源、束流表、发射极依次相连；收集极通过真空腔中导出的高压电极与高压电源连接，高压电源、束流表、发射极依次相连；束流表、束流表、低压电源、高压电源均与计算机系统相连。本发明中的场电离材料为带有毛刺并且制备在镀有钛膜的硅衬底上的纳米阵列。本发明所提供的场电离粒子发生器可以作为场电离离子源和中子发生器。
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公开(公告)号：CN114188274A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202111404977.6
申请日：2021-11-24
Applicant: 武汉大学深圳研究院
IPC: H01L21/768 , C23C14/48 , C23C14/16 , C23C14/54
Abstract: 本发明涉及铜互连沉积技术领域，特别涉及一种利用固体电解质Rb4Cu16I7Cl13实现铜互连沉积的直接沉积方法。本方案提供的的一种利用固体电解质Rb4Cu16I7Cl13制备的铜离子产生方法，产生的铜离子束按设定的器件图形结构沉积在晶圆表面完成器件的铜互连工艺。通过相对简单的高能机械化学研磨法制备铜基固体电解质材料，制成离子发射极并产生带正电荷的铜离子束。然后，通过程序控制沉积在样品表面形成铜互连。铜离子束以一定能量沉积到晶圆表面，属于直接沉积成膜，无需使用掩模(光刻胶)和光刻工序。即直接把铜原子沉积在所需的线段上形成所需的铜互连，无需执行涂敷光刻胶和去除光刻胶的工序。
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公开(公告)号：CN113458875A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110686101.9
申请日：2021-06-21
Applicant: 武汉大学深圳研究院
Abstract: 本发明涉及团簇离子应用领域，具体涉及一种靶材温度可控范围广的团簇离子束高温抛光方法和装置。团簇离子束对靶材抛光过程中，靶材表面会产生半球形结构孔洞，孔洞在600℃高温条件下可以消除孔洞的环形边缘，但孔洞本身依然存在，使抛光效果达不到预期。本发明提供的方法在团簇离子束轰击靶材的过程中将靶材温度控制在400℃～800℃，加快靶材原子运动，从根源上消除孔洞；设备上采用导热性优良金属材质的样品台，通过连接电源的电阻式加热丝给样品台加热，样品台将热量传递给放置在样品台上的靶材，通过调节电源电压的大小控制流经电阻式加热丝上的电流来控制样品台、靶材的温度，装置温度可控范围广，且简便灵活、易于实现。
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公开(公告)号：CN109320291B
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201811062321.9
申请日：2018-09-12
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种获得固体材料表面孔洞直径可控范围广的团簇离子轰击法。为克服现有技术固体表面尺寸控制的局限性，提出了采用压制所需材料的纳米粉体来制作基体。在这种压制材料中，布氏硬度可以很容易地通过调节压片机在基体形成过程中的压力来控制，因此，孔洞直径可以通过基体的硬度来控制。此外，与控制团簇簇离子能量相比，这种硬度控制可形成直径范围更大的孔，降低了成本，因此控制材料硬度是控制孔洞直径的一种便捷方法。
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