公开(公告)号：CN114188274A

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN202111404977.6

申请日：2021-11-24

Applicant: 武汉大学深圳研究院

Inventor： 吐沙姑·阿不都吾甫 ,  付德君 ,  亚历山大·托斯托古佐夫 ,  左文彬 ,  张翔宇 ,  刘传胜

IPC: H01L21/768 ,  C23C14/48 ,  C23C14/16 ,  C23C14/54

Abstract: 本发明涉及铜互连沉积技术领域，特别涉及一种利用固体电解质Rb4Cu16I7Cl13实现铜互连沉积的直接沉积方法。本方案提供的的一种利用固体电解质Rb4Cu16I7Cl13制备的铜离子产生方法，产生的铜离子束按设定的器件图形结构沉积在晶圆表面完成器件的铜互连工艺。通过相对简单的高能机械化学研磨法制备铜基固体电解质材料，制成离子发射极并产生带正电荷的铜离子束。然后，通过程序控制沉积在样品表面形成铜互连。铜离子束以一定能量沉积到晶圆表面，属于直接沉积成膜，无需使用掩模(光刻胶)和光刻工序。即直接把铜原子沉积在所需的线段上形成所需的铜互连，无需执行涂敷光刻胶和去除光刻胶的工序。