用于半导体处理设备的陶瓷件

    公开(公告)号:CN100545304C

    公开(公告)日:2009-09-30

    申请号:CN200510081877.9

    申请日:2001-06-25

    Abstract: 一种陶瓷件,用于处理半导体衬底的真空处理室,该陶瓷件包括:具有才机加工或才烧结的外表面的非氧化物陶瓷材料;和在该外表面上并形成陶瓷件的最外表面的氧化层,该氧化层内包含附着在外表面上的非氧化物陶瓷材料颗粒。在半导体衬底处理期间,使陶瓷件经等离子体调控处理可使颗粒污染降至最低。陶瓷件可由各种材料制成,如氧化铝、二氧化硅、石英、碳、硅、碳化硅、氮化硅、氮化硼、碳化硼、氮化铝或碳化钛。陶瓷件可为真空处理室的各种部件,如处理室侧壁内的衬套、向处理室供给处理气体的气体散布板、喷淋头组件的缓冲板、晶片通道插入件、衬底周围的聚焦环、电极周围的边环、等离子体屏蔽板和/或窗口。

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