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公开(公告)号：CN111292911B
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202010033859.8
申请日：2020-01-13
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种改进钕铁硼磁体材料性能的改进方法，以Nd2Fe14B相为主的磁体材料，经过取向成型工艺的参数的改进以降低磁体材料的收缩比，最终制备得到所述改进钕铁硼磁体材料。本发明主要改进钕铁硼磁体材料取向成型工艺的技术参数，使烧结后的胚料收缩比降低，以达到减少钕铁硼磁体碎料的浪费，还能有效提高磁体材料的各项性能。
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公开(公告)号：CN111223622A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN202010034117.7
申请日：2020-01-13
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种利用Dy制备的钕铁硼永磁材料及其制备方法，其中，该制备方法包括：在钕铁硼再生磁体样品的表面涂覆一层Dy元素粉末，在真空烧结炉内进行烧结，使Dy元素在Nd2Fe14B相晶界上扩散，最终形成壳层结构的钕铁硼永磁材料。本发明的Dy在钕铁硼晶界扩散合成性能更优异的永磁材料。钕铁硼再生磁体表面涂覆一层Dy元素粉末，在真空烧结炉内进行烧结，使Dy元素在Nd2Fe14B相晶界上扩散合成具有重稀土包裹Nd2Fe14B相的核-壳结构的永磁体材料，可以显著提高钕铁硼再生磁体的矫顽力、磁能积、居里温度等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111136268B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202010033061.3
申请日：2020-01-13
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: B22F3/105 , B22F3/24 , C21D1/18 , C21D1/773 , C21D6/00 , C22C28/00 , C22C38/00 , C22F1/02 , G01N23/225 , H01F1/057 , H01F41/02
Abstract: 本发明提供一种高通量合金制备和Ho‑Fe‑B相图测试方法，包括：根据设计需要称量配比出FeB各质量；将配比好的Fe、B进行熔炼形成FeB合金化合物；将熔炼好的FeB铸锭在真空状态下对其进行均匀化热处理；经处理好的样品进行切割，然后对其进行金相处理；采用真空烧结炉烧方式将经过金相处理后的FeB合金和Ho圆柱体以堆垛方式完成结合；将经高通量制备出的FeB‑Ho置于真空封管，并在800℃保温480h；扩散结束，切割样品观察扩散层形成的相组织；采用高通量测试获取扩散层金相组织分布分析各扩散层之间的相组织关系。本发明缩短了绘制相图的实验周期，节省人力和物力，并且获得清晰准确的Ho‑Fe‑B相关系。
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公开(公告)号：CN114420437A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210124421.X
申请日：2020-01-13
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种利用Dy制备的钕铁硼永磁材料及其制备方法，属于材料技术领域。本发明提供一种利用Dy制备的钕铁硼永磁材料及其制备方法，其中，本发明中Dy在钕铁硼晶界扩散合成性能更优异的永磁材料。钕铁硼再生磁体表面涂覆一层Dy元素粉末，在真空烧结炉内进行烧结，使Dy元素在Nd2Fe14B相晶界上扩散合成具有重稀土包裹Nd2Fe14B相的核‑壳结构的永磁体材料，可以显著提高钕铁硼再生磁体的矫顽力、磁能积、居里温度等优点。
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公开(公告)号：CN111136268A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN202010033061.3
申请日：2020-01-13
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: B22F3/105 , B22F3/24 , C21D1/18 , C21D1/773 , C21D6/00 , C22C28/00 , C22C38/00 , C22F1/02 , G01N23/225 , H01F1/057 , H01F41/02
Abstract: 本发明提供一种高通量合金制备和Ho-Fe-B相图测试方法，包括：根据设计需要称量配比出FeB各质量；将配比好的Fe、B进行熔炼形成FeB合金化合物；将熔炼好的FeB铸锭在真空状态下对其进行均匀化热处理；经处理好的样品进行切割，然后对其进行金相处理；采用真空烧结炉烧方式将经过金相处理后的FeB合金和Ho圆柱体以堆垛方式完成结合；将经高通量制备出的FeB-Ho置于真空封管，并在800℃保温480h；扩散结束，切割样品观察扩散层形成的相组织；采用高通量测试获取扩散层金相组织分布分析各扩散层之间的相组织关系。本发明缩短了绘制相图的实验周期，节省人力和物力，并且获得清晰准确的Ho-Fe-B相关系。
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公开(公告)号：CN111292911A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN202010033859.8
申请日：2020-01-13
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种改进钕铁硼磁体材料性能的改进方法，以Nd2Fe14B相为主的磁体材料，经过取向成型工艺的参数的改进以降低磁体材料的收缩比，最终制备得到所述改进钕铁硼磁体材料。本发明主要改进钕铁硼磁体材料取向成型工艺的技术参数，使烧结后的胚料收缩比降低，以达到减少钕铁硼磁体碎料的浪费，还能有效提高磁体材料的各项性能。
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公开(公告)号：CN110715949A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201911136522.3
申请日：2019-11-19
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N23/2252 , G01N23/2202
Abstract: 本发明公开了一种扩散多元结绘制La-Fe-B体系等温截面相图的方法，利用FeB和La块固体紧密接触在一起，在高温下相互扩散形成稳定的扩散层，然后测定扩散层中成分渐变的固溶体和化合物，最终绘制出La-Fe-B相图。扩散多元结技术测定相图比传统的合金法效率更高，成本更低，研发周期更短，适合发现性能优异的化合物。
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