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发明公开
一种基于石墨烯-金属超表面的电控太赫兹宽频大相移动态移相器审中-实审

公开(公告)号：CN119695414A

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202411930556.0

申请日：2024-12-26

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 胡放荣 , 周燊 , 姜文英 , 曾丽珍 , 江明珠 , 张隆辉

IPC: H01P1/18

Abstract: 本发明为一种基于石墨烯‑金属超表面的电控太赫兹宽频大相移动态移相器，由高阻硅基底和其上的二维阵列构成。每个阵列单元包含3个沿着竖直方向并排的矩形金属框以及3个嵌入其内部的石墨烯矩形框、3组矩形金属块和2个矩形金属块。每组矩形金属块4个，两两排列于石墨烯矩形框上下两边。2个矩形金属块分别连接于阵列单元左右两侧中部。两个引出电极位于二维阵列两侧，分别与直流电源的正、负极相连接。当偏置电压增加时，透过移相器产生的太赫兹波吸收峰逐渐向低频移动，在吸收峰的右侧会产生宽频、大相移。本发明的电控太赫兹宽频大相移动态移相器制作成本低，响应速度快，在太赫兹相控阵雷达、宽带无线通信等领域有潜在应用价值。

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