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公开(公告)号：CN119649965A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411738628.1
申请日：2024-11-29
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高熵氧化物热力学稳定性的机器学习预测方法，包括如下步骤：1）计算热力学参数；2）获取特征与性质；3）构造行增广加权数据集；4）构造列增广待定系数的数据集；5）模型的训练；6）特征筛选；7）模型的对照与交叉验证“可视化”评估。这种方法根据不同元素的占据晶格位点作为输入信息，能快速估计出高熵氧化物的热力学稳定性，提高了预测高熵氧化物热力学稳定性的效率与准确性。
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公开(公告)号：CN113828345A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202111321445.6
申请日：2021-11-09
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种氯化钠辅助合成g‑C3N4光催化剂的制备方法，包括如下步骤：1)称取三聚氰胺溶于去离子水中，室温下搅拌均匀，加入稀硝酸进行蚀刻，将白色沉淀用无水乙醇洗涤，然后60℃真空干燥，取出研磨充分置于坩埚中，在马弗炉中600℃保温2~4小时，记作CN；2)取不同重量比的氯化钠与CN研磨充分，再次置于马弗炉中400℃煅烧，最后用去离子水洗涤去除氯化钠并干燥，即得到氯化钠辅助合成g‑C3N4光催化剂。本发明还公开了g‑C3N4光催化剂的制备方法制得的g‑C3N4光催化剂及g‑C3N4光催化剂在罗丹明b中的应用。这种催化剂提高了氮化碳的比表面积，减少了氮化碳的电荷转移内阻，增强了其在可见光下降解罗丹明b的活性。
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公开(公告)号：CN116543850A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310494073.X
申请日：2023-05-05
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种调控过渡金属二硼化物硼缺陷形成能的第一性原理计算方法，包括：1）选择九种3d过渡金属所对应的过渡金属二硼化物作为样本进行模型构建；2）设置模型相关的参数；3）对存在一个硼原子缺陷的过渡金属二硼化物模型进行优化的计算；4）计算9种3d过渡金属二硼化物的硼缺陷形成能；5）对硼原子进行替位掺杂；6）对存在一个硼原子缺陷的掺杂卤素原子后的过渡金属二硼化物模型优化的计算；7）计算掺杂卤素原子后的过渡金属二硼化物所对应的硼缺陷能。依据这种方法能降低硼原子脱出的反应条件，从而改善过渡金属参与的金属硼氢化物分解脱氢‑再氢化反应中的可逆性能。
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公开(公告)号：CN116386752A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310412290.X
申请日：2023-04-18
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种预测过渡金属对硼氢化物催化强度的方法，包括：构建的金属模型以及BH4基团的模型、设置模型相关的参数，对构建好的模型进行结构优化的计算、得出9种过渡金属表面的功函数（Wf）作为过渡金属固有性质指标、标记不同4d过渡金属对BH4的催化强度、采用数据分析法得到预测催化强度。这种方法能实现高效的预测和选择合适的硼氢化物金属催化剂，降低预测成本、实用性好，为过渡金属对硼氢化物催化性能提供了新的见解。
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公开(公告)号：CN114768844A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210285891.4
申请日：2022-03-23
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: B01J27/24 , B01J35/10 , B01J37/08 , C01B3/32 , C02F1/30 , C02F101/38 , C02F101/34
Abstract: 本发明公开了一种超薄多孔片状g‑C3N4光催化剂的制备方法，所述g‑C3N4以尿素为前驱体，甲醇为气体模板，采用热聚合方法制备而成，包括如下步骤：1)称取6~7g的尿素并研磨充分，置于透明石英坩埚中，并将其在马弗炉中以2~5℃/min的速率升温至520~580℃并保温2~4h，随炉冷却至室温，即得到g‑C3N4；2)称取6~7g的尿素加入不同的甲醇溶液中，在水浴锅50℃条件下进行搅拌，分散均匀后倒入透明石英坩埚中，在马弗炉中以2~5℃/min的速率升温至520~580℃并保温2~4h，随炉冷却至室温，即得到一种超薄多孔片状多孔g‑C3N4光催化剂。这种催化剂制备方法简单，成本低，在光催化降解方向表现出较高的活性，具有广泛的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112838157A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202110195463.8
申请日：2021-02-22
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种SnTe掺Ge热电材料的制备方法，包括步骤1，SnTe掺Ge热电材料的熔炼和步骤2，SnTe掺Ge热电材料的烧结。一种SnTe掺Ge热电材料的应用，在823 K的温度下，塞贝克系数高达126‑129µVK‑1，功率因子为20‑24µWm‑1K‑2，热导率低至2.69‑3.15 WK‑1m‑1，热电优值ZT在0.58‑0.62之间。相对于现有技术，本发明具有以下优点：相对于现有技术，本发明具有以下优点：1、所得SnTe掺Ge热电材料具有结晶度高、杂质少、致密度高以及具有塞贝克系数大，热导率低，热电性能提高幅度大的特性；2、制备方法具有原料市售可得，成本低廉，反应周期短，反应过程低能耗，低污染，工艺操作简单，可重复性高和具有可控性强的特点。
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公开(公告)号：CN119230031A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411478065.7
申请日：2024-10-22
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种等摩尔比尖晶石型高熵氧化物形成能的筛选方法，包括如下步骤：1）获取基底晶体信息；2）获取基底晶体的空间坐标；3）制作全组合的POSCAR文件；4）制作对应POTCAR；5）高通量第一性原理计算；6）计算单原子平均形成能；7）单原子平均形成能数表；8）外推六元尖晶石形成能；9）聚类分析。这种方法能估计六元高熵尖晶石的形成能，而且能免计算六元大晶胞的第一性原理巨大的计算代价，能快速筛选出，哪些元素占据A位点、B位点有利于尖晶石型高熵氧化物稳定地存在；筛选出哪些元素组合可以稳定地存在。
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公开(公告)号：CN112838157B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202110195463.8
申请日：2021-02-22
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H10N10/01 , H10N10/852
Abstract: 本发明公开了一种SnTe掺Ge热电材料的制备方法，包括步骤1，SnTe掺Ge热电材料的熔炼和步骤2，SnTe掺Ge热电材料的烧结。一种SnTe掺Ge热电材料的应用，在823 K的温度下，塞贝克系数高达126‑129µVK‑1，功率因子为20‑24µWm‑1K‑2，热导率低至2.69‑3.15 WK‑1m‑1，热电优值ZT在0.58‑0.62之间。相对于现有技术，本发明具有以下优点：相对于现有技术，本发明具有以下优点：1、所得SnTe掺Ge热电材料具有结晶度高、杂质少、致密度高以及具有塞贝克系数大，热导率低，热电性能提高幅度大的特性；2、制备方法具有原料市售可得，成本低廉，反应周期短，反应过程低能耗，低污染，工艺操作简单，可重复性高和具有可控性强的特点。
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公开(公告)号：CN112958141A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202110285206.3
申请日：2021-03-17
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种含氧g‑C3N4纳米片光催化剂的制备方法，包括如下步骤：1）一定质量比的二氰二胺和氯化铵加入水中进行分散溶解，并在80℃的条件下水浴加热直至得到干燥的粉末状混合物；2）将混合物在340℃条件下加热2h后以2.5℃/min的速率升至600℃并保温4h，然后自然冷却至室温，得到超薄片状g‑C3N4光催化剂。这种催化剂的制备方法简单、低危险，重复使用率高，成本低，所制备的催化剂对于光催化产氢表现出较高的催化活性，在光催化产氢方面具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN213703544U
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202022715086.X
申请日：2020-11-20
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种储能材料的切割装置，涉及材料切割领域。一种储能材料的切割装置，包括工作控制机，工作控制机后侧安装有切割机体，且切割机体底面滑动连接有移动装置，切割机体两侧端面安装有挡板，且挡板内侧卡装有工作平面，工作平面上壁面固定安装有夹持装置，夹持装置上端安装有切割刀具，且切割刀具另一侧安装有升降主轴，升降主轴前端安装有前端板，且前端板另一侧安装有配重块，前端板上端安装有垂直步进电机，垂直步进电机两侧安装有侧板，且侧板左侧安装有横向步进电机。本实用新型解决了传统的切割装置切割后材料表面精度低，设备传动精度低的问题。
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