公开(公告)号：CN105518848A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201480040222.4

申请日：2014-06-27

Applicant: 格罗方德半导体股份有限公司

Inventor： 安藤崇志 ,  M·P·储德泽克 ,  B·卡南 ,  S·A·克里什南 ,  权彦五 ,  V·纳拉亚南

IPC: H01L21/8238

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/4908

Abstract: 高介电常数(高k)栅极介电层在包括一种或多种半导体材料的半导体鳍片上形成。图案化的扩散势垒金属氮化物层被形成，以覆盖至少一个沟道，同时不覆盖至少另一个沟道。阈值电压调整氧化物层在高k栅极介电层和扩散势垒金属氮化物层的物理暴露部分上形成。执行退火，以将阈值电压调整氧化物层的材料赶进在(一个或多个)本征沟道和高k栅极介电层之间的界面，导致阈值电压调整氧化物部分的形成。至少一个功函数(workfunction)材料层被形成，并且利用高k栅极介电层和阈值电压调整氧化物部分进行图案化，以形成跨越半导体鳍片的多种类型的栅极堆叠。

公开(公告)号：CN103871895A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201310628242.0

申请日：2013-11-29

Applicant: 国际商业机器公司 ,  格罗方德半导体股份有限公司 ,  瑞萨电子株式会社

Inventor： L·F·艾杰 ,  M·M·弗兰克 ,  B·S·哈伦 ,  A·英拿达 ,  S·K·卡纳卡萨巴帕西 ,  A·科努尔 ,  V·纳拉亚南 ,  V·K·帕鲁楚利 ,  徐顺天

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L29/41791

Abstract: 一种用于制造场效应晶体管器件的方法，包括：在基底上图案化鳍部，在布置在基底上的一部分鳍部和一部分绝缘层上方图案化栅叠层，在栅叠层、一部分鳍部及一部分绝缘层上方形成保护屏障，保护屏障包封栅叠层，第二绝缘层在部分鳍部和保护屏障上方沉积，执行第一蚀刻过程以便选择性地去除部分第二绝缘层而无需显著去除保护屏障以便限定空腔，所述空腔暴露鳍部的部分源区和漏区，并且导电材料在空腔内沉积。

公开(公告)号：CN105518848B

公开(公告)日：2018-06-26

申请号：CN201480040222.4

申请日：2014-06-27

Applicant: 格罗方德半导体股份有限公司

Inventor： 安藤崇志 ,  M·P·储德泽克 ,  B·卡南 ,  S·A·克里什南 ,  权彦五 ,  V·纳拉亚南

IPC: H01L21/8238

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/4908

Abstract: 高介电常数(高k)栅极介电层在包括一种或多种半导体材料的半导体鳍片上形成。图案化的扩散势垒金属氮化物层被形成，以覆盖至少一个沟道，同时不覆盖至少另一个沟道。阈值电压调整氧化物层在高k栅极介电层和扩散势垒金属氮化物层的物理暴露部分上形成。执行退火，以将阈值电压调整氧化物层的材料赶进在(一个或多个)本征沟道和高k栅极介电层之间的界面，导致阈值电压调整氧化物部分的形成。至少一个功函数(workfunction)材料层被形成，并且利用高k栅极介电层和阈值电压调整氧化物部分进行图案化，以形成跨越半导体鳍片的多种类型的栅极堆叠。

公开(公告)号：CN105531815A

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201480050452.9

申请日：2014-06-27

Applicant: 格罗方德半导体股份有限公司

Inventor： 安藤隆司 ,  R·迪瓦卡鲁尼 ,  B·卡南 ,  S·A·科瑞申安 ,  A·库玛尔 ,  权彦五 ,  B·P·林德尔 ,  V·纳拉亚南

IPC: H01L21/8238

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7833

Abstract: 在半导体衬底中设置包括一个或者多个本征半导体材料的本征沟道。在本征沟道上形成高介电常数(高k)栅极电介质层。形成图案化的扩散势垒金属氮化物层。在高k栅极电介质层和扩散势垒金属氮化物层的物理暴露部分上形成阈值电压调节氧化物层。执行退火以将阈值电压调节氧化物层的材料驱动至一个或者多个本征沟道与高k栅极电介质层之间的界面，引起阈值电压调节氧化物部分的形成。形成至少一个功函数材料层，并且将其与高k栅极电介质层和阈值电压调节氧化物部分一起图案化以形成多个类型的栅极堆叠体。