公开(公告)号：CN105531815A

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201480050452.9

申请日：2014-06-27

Applicant: 格罗方德半导体股份有限公司

Inventor： 安藤隆司 ,  R·迪瓦卡鲁尼 ,  B·卡南 ,  S·A·科瑞申安 ,  A·库玛尔 ,  权彦五 ,  B·P·林德尔 ,  V·纳拉亚南

IPC: H01L21/8238

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7833

Abstract: 在半导体衬底中设置包括一个或者多个本征半导体材料的本征沟道。在本征沟道上形成高介电常数(高k)栅极电介质层。形成图案化的扩散势垒金属氮化物层。在高k栅极电介质层和扩散势垒金属氮化物层的物理暴露部分上形成阈值电压调节氧化物层。执行退火以将阈值电压调节氧化物层的材料驱动至一个或者多个本征沟道与高k栅极电介质层之间的界面，引起阈值电压调节氧化物部分的形成。形成至少一个功函数材料层，并且将其与高k栅极电介质层和阈值电压调节氧化物部分一起图案化以形成多个类型的栅极堆叠体。