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公开(公告)号：CN111341730A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201811548263.0
申请日：2018-12-18
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种轻型晶闸管元件管壳，包括依次层叠设置的阴极电极、阴极钼片、芯片、阳极钼片和阳极电极，阳极电极包括沿管壳厚度方向设置的铜层和铝层，阳极电极中的铜层靠近所述芯片一侧，阴极电极的厚度小于所述阳极电极的厚度。通过本申请提供的管壳结构，用纯铝代替大部分铜，达到了管壳减重的目的，利于器件及组件的轻型化。将纯铝设置在阳极电极，与阳极电极中的铜层组装在一起，所形成的铝层与单面的铜层接触的非对称结构减小了接触电阻，降低了接触压降。此外，阳极电极中的铝层更适合与铝散热器直接压接，能够降低接触压降，拓宽了器件的应用领域。
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公开(公告)号：CN109427581A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201710765588.3
申请日：2017-08-30
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种大功率整流管芯的制造方法，包括：铝杂质扩散步骤、第一化学腐蚀步骤、第一氧化步骤、第二化学腐蚀步骤、磷杂质扩散步骤、第二氧化步骤、第三化学腐蚀步骤和硼杂质扩散步骤。在第一化学腐蚀步骤中，对通过铝杂质扩散步骤得到的晶圆片进行化学腐蚀，以去除阴极面的铝杂质并保留阳极面的铝杂质。在第二化学腐蚀步骤中，对通过第一氧化步骤得到的晶圆片进行化学腐蚀，以去除阴极面的氧化层并保留阳极面的氧化层。在第三化学腐蚀步骤中，对通过第二氧化步骤得到的晶圆片进行化学腐蚀，以去除阳极面的氧化层并保留阴极面的氧化层。采用本发明可缩短三天的工艺时间，节省大量人力物力，降低环境污染，避免光刻胶脱落对芯片质量的影响。
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公开(公告)号：CN112701151B
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN201911013564.8
申请日：2019-10-23
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/24 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/265
Abstract: 本公开提供一种SiC MOSFET器件的制造方法及SiC MOSFET器件。该方法包括：提供SiC外延片，在所述SiC外延片表面沉积生长掩膜层；刻蚀所述掩膜层，在所述掩膜层上形成第一刻蚀槽；再次刻蚀所述掩膜层，在所述第一刻蚀槽内形成第二刻蚀槽；通过第一刻蚀槽和第二刻蚀槽构成的离子注入窗口，注入第一高能离子，形成阶梯状形貌的阱区；注入第二高能离子，形成源区。本公开通过阶梯状形貌的离子注入窗口，来实现自对准工艺，可以非常精确的实现对沟道长度和位置的控制，工艺简单稳定。同时，形成阶梯状形貌的P阱区，扩展了两个P阱区之间的JFET区，增大了JFET区电流横向输出路径，进一步提升器件大电流密度输出能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111128931A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201811276213.1
申请日：2018-10-30
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种整流器管壳，整流器管壳包括彼此连接的整流器管盖和整流器管座、包括在整流器管盖内的阴极电极、包括在整流器管座内的阳极电极、阴极法兰和阳极法兰。阴极电极包括第一铝块和贴合在所述第一铝块下表面的第一铜片，阳极电极包括第二铝块和贴合在所述第二铝块上表面的第二铜片，阴极法兰与第一铜片连接；阳极法兰与第二铜片连接。本发明在保证整流器高强度、良好气密性、耐高压、良好绝缘性能的情况下，还降低了整流器管壳的重量，满足了对重量要求严格的领域的使用需求。
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公开(公告)号：CN109494206A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201710816587.7
申请日：2017-09-12
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
CPC classification number: H01L29/74 , H01L23/481
Abstract: 本发明公开了一种晶闸管，包括自上至下依次设置的管盖、上钼片、芯片、下钼片和管座，所述管盖上与所述上钼片接触的一侧设有用于引出门极线的预设路径，所述预设路径包括预设段长的第一引出孔，所述预设路径的其他段设有第二引出孔或引出槽。应用本发明公开的晶闸管，通过在管盖上设置第一引出孔将门极线引出，以防止上钼片旋转对门极线进行拉扯而影响晶闸管门极的导通，且在封装过程中，降低门极组装难度，且保证上钼片与芯片的直接接触，保证装置的散热。
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公开(公告)号：CN112701151A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN201911013564.8
申请日：2019-10-23
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/24 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/265
Abstract: 本公开提供一种SiC MOSFET器件的制造方法及SiC MOSFET器件。该方法包括：提供SiC外延片，在所述SiC外延片表面沉积生长掩膜层；刻蚀所述掩膜层，在所述掩膜层上形成第一刻蚀槽；再次刻蚀所述掩膜层，在所述第一刻蚀槽内形成第二刻蚀槽；通过第一刻蚀槽和第二刻蚀槽构成的离子注入窗口，注入第一高能离子，形成阶梯状形貌的阱区；注入第二高能离子，形成源区。本公开通过阶梯状形貌的离子注入窗口，来实现自对准工艺，可以非常精确的实现对沟道长度和位置的控制，工艺简单稳定。同时，形成阶梯状形貌的P阱区，扩展了两个P阱区之间的JFET区，增大了JFET区电流横向输出路径，进一步提升器件大电流密度输出能力。
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公开(公告)号：CN109698234A
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201710990256.5
申请日：2017-10-23
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L21/331
Abstract: 本发明涉及晶闸管及其制造方法。该晶闸管包括芯片，所述芯片包括板状的芯片主体，所述芯片主体构造有工作表面，所述芯片还包括从所述工作表面向外凸出的第一电极凸起和第二电极凸起，所述第一电极凸起和所述第二电极凸起相互间隔开，在所述第一电极凸起和所述第二电极凸起之间形成间隔空间。通过这种晶闸管能有效地确保电极之间的绝缘性。
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