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公开(公告)号：CN111627876B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN201910974369.5
申请日：2019-10-14
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/473 , H01L23/367
Abstract: 本发明提供一种散热装置，该散热装置包括分别与用于容纳第一介质的介质容器相连的第一回路和第二回路，所述第一回路和所述第二回路在所述介质容器之外互不连通；其中，所述第二回路用于调节所述介质容器中的第一介质的温度，所述第一回路用于调节对目标器件散热所需的第一介质的流量和压力。由于第一回路和所述第二回路在所述介质容器之外互不连通，因此，在采用第二回路调节第一介质的温度和采用第一回路调节第一介质的流量和压力时，第一回路和第二回路能够独立调节互不干扰，因而能够保证第一介质的温度、第一介质的流量和第一介质的压力保持恒定。
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公开(公告)号：CN108242465A
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201611205266.5
申请日：2016-12-23
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/745 , H01L29/10 , H01L21/332
Abstract: 本发明公开了一种门极换流晶闸管及其制备方法。本发明的晶闸管的层状结构竖直方向自下而上依次为P+透明发射阳极、N′缓冲层、N-基区、P基区、P+基区以及半埋于P+基区顶部的N+发射区，其中：所述N+发射区覆盖所述P+基区顶部的一部分；门极G位于所述P+基区顶部所述N+发射区没有覆盖的部分上；所述P+基区包含水平并排的P1+短基区以及P2+短基区，其中，所述P1+短基区位于所述门极G正下方，所述P2+短基区位于所述N+发射区正下方，所述P1+短基区的掺杂浓度低于所述P2+短基区的掺杂浓度。相较于现有技术，本发明不仅提高GCT关断电流能力，并降低关断能量；而且降低了GCT触发电流，保持了GCT低通态压降的优势。
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公开(公告)号：CN111106105A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201811249415.7
申请日：2018-10-25
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于IGBT的系统级芯片，其包括印刷电路板，其具有功率区、驱动区、隔离区和控制区；多个功率组件，其设置于所述功率区内；多个驱动器，其设置于所述驱动区内；隔离组件，其设置于所述隔离区内；以及控制区内的控制器，所述控制器经由所述隔离组件控制各个驱动器，以使各个驱动器分别对应地驱动各个功率组件工作，驱动器的输出端的端面与对应的功率组件的控制端的端面接触，以实现该驱动器的输出端与对应的功率组件的控制端的电连接。本发明通过网状互联和缩短栅极连接距离能保证IGBT同时开启和关断，大大提高了IGBT元胞导通率和关断率。
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公开(公告)号：CN109514354A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201710852669.7
申请日：2017-09-19
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: B24B1/00
CPC classification number: B24B1/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体芯片台面的加工方法，包括：根据磨轮转速及磨料的硬度及颗粒大小确定磨轮的最大磨削速度x；根据公式1)v12+v22≤x2，其中，v2为芯片与所述磨轮的接近速度，v1为芯片自转线速度，使得芯片以螺旋曲线轨迹进行磨削。应用本发明公开的半导体芯片的台面加工方法，芯片的径向磨削和切向磨削同时进行，使得芯片以螺旋曲线轨迹磨削，芯片所受应力受控，从而避免芯片与磨轮接近或芯片自旋转过程中产生严重的磨削损伤，保证芯片的高压阻断特性。
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公开(公告)号：CN105954610A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610266292.2
申请日：2016-04-26
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: G01R31/00
Abstract: 本申请公开了一种功率组件功率考核试验系统，包括供电模块、待测功率组件和负载模块；其中，所述供电模块包括变压单元、第一整流器、第二整流器、第一功能单元、第二功能单元及第一转换开关；所述负载模块包括第一负载、第二负载和第三负载；所述试验系统可以通过所述第一转换开关调整所述第一整流器和第二整流器的串并联关系以满足不同类型待测功率组件的功率考核试验对于电源的要求；并且所述试验系统可以通过所述第二转换开关调整所述负载模块中第一负载、第二负载和第三负载的连接关系以满足不同类型待测功率组件的功率考核试验对于负载的要求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111627876A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201910974369.5
申请日：2019-10-14
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/473 , H01L23/367
Abstract: 本发明提供一种散热装置，该散热装置包括分别与用于容纳第一介质的介质容器相连的第一回路和第二回路，所述第一回路和所述第二回路在所述介质容器之外互不连通；其中，所述第二回路用于调节所述介质容器中的第一介质的温度，所述第一回路用于调节对目标器件散热所需的第一介质的流量和压力。由于第一回路和所述第二回路在所述介质容器之外互不连通，因此，在采用第二回路调节第一介质的温度和采用第一回路调节第一介质的流量和压力时，第一回路和第二回路能够独立调节互不干扰，因而能够保证第一介质的温度、第一介质的流量和第一介质的压力保持恒定。
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公开(公告)号：CN106959174B
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201710169262.4
申请日：2017-03-21
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: G01L1/04
Abstract: 本发明公开一种晶闸管压力指示装置，变向杆推动刻度杆沿其轴向滑动；变向杆的运动方向转换为刻度的运动。承压装置用于限定铰链滑动方向，并能够指示刻度杆上的压力值。承压装置承受外部压力并推动变向杆移动，进一步推动刻度杆平移。复位装置设置于限位装置和承压装置之间，使铰链受压后回复到初始位置，当铰链不承受压力时刻度回零。本发明采用纯机械结构，通过承压装置承受外部的压力，并由限位装置直接与晶闸管接触，向晶闸管提供压力。当承压装置承受压力时会使变向杆产生一定的位移，进而使刻度杆沿轴向平移，刻度杆上设置相应的刻度，位移量对应特定压力值，从而能够直观地看出当前承受的压力值，而不必经过电信号转换，过程简单直接。
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公开(公告)号：CN105954610B
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201610266292.2
申请日：2016-04-26
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: G01R31/00
Abstract: 本申请公开了一种功率组件功率考核试验系统，包括供电模块、待测功率组件和负载模块；其中，所述供电模块包括变压单元、第一整流器、第二整流器、第一功能单元、第二功能单元及第一转换开关；所述负载模块包括第一负载、第二负载和第三负载；所述试验系统可以通过所述第一转换开关调整所述第一整流器和第二整流器的串并联关系以满足不同类型待测功率组件的功率考核试验对于电源的要求；并且所述试验系统可以通过所述第二转换开关调整所述负载模块中第一负载、第二负载和第三负载的连接关系以满足不同类型待测功率组件的功率考核试验对于负载的要求。
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公开(公告)号：CN105162324B
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201510701625.5
申请日：2015-10-26
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种直流高压电源、高位取能装置及其供电方法，包括高压输入端、低压输出端、取能电路、储能电路、锁存电路和节流电路；取能电路包括开关电路和与开关电路连接的控制电路，开关电路包括至少两个串联的开关，控制电路通过控制开关的导通来控制高压输入端向储能电路充电；锁存电路与储能电路和开关电路连接，用于在储能电路充电完成后，通过控制开关的关断来控制高压输入端停止向储能电路充电；节流电路的输入端与储能电路连接、输出端与低压输出端连接，用于对储能电路输出的电流进行节流恒流处理，并将处理后的电流输出至低压输出端。本实施例中的高位取能装置具有接线方式简单、电压应用范围大、漏电流小以及供电时间长等优点。
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公开(公告)号：CN108242465B
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201611205266.5
申请日：2016-12-23
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/745 , H01L29/10 , H01L21/332
Abstract: 本发明公开了一种门极换流晶闸管及其制备方法。本发明的晶闸管的层状结构竖直方向自下而上依次为P+透明发射阳极、N′缓冲层、N‑基区、P基区、P+基区以及半埋于P+基区顶部的N+发射区，其中：所述N+发射区覆盖所述P+基区顶部的一部分；门极G位于所述P+基区顶部所述N+发射区没有覆盖的部分上；所述P+基区包含水平并排的P1+短基区以及P2+短基区，其中，所述P1+短基区位于所述门极G正下方，所述P2+短基区位于所述N+发射区正下方，所述P1+短基区的掺杂浓度低于所述P2+短基区的掺杂浓度。相较于现有技术，本发明不仅提高GCT关断电流能力，并降低关断能量；而且降低了GCT触发电流，保持了GCT低通态压降的优势。
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