公开(公告)号：CN112701151A

公开(公告)日：2021-04-23

申请号：CN201911013564.8

申请日：2019-10-23

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 李诚瞻 ,  罗烨辉 ,  周正东 ,  刘芹 ,  王志成 ,  龚芷玉 ,  魏伟 ,  戴小平

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/265

Abstract: 本公开提供一种SiC MOSFET器件的制造方法及SiC MOSFET器件。该方法包括：提供SiC外延片，在所述SiC外延片表面沉积生长掩膜层；刻蚀所述掩膜层，在所述掩膜层上形成第一刻蚀槽；再次刻蚀所述掩膜层，在所述第一刻蚀槽内形成第二刻蚀槽；通过第一刻蚀槽和第二刻蚀槽构成的离子注入窗口，注入第一高能离子，形成阶梯状形貌的阱区；注入第二高能离子，形成源区。本公开通过阶梯状形貌的离子注入窗口，来实现自对准工艺，可以非常精确的实现对沟道长度和位置的控制，工艺简单稳定。同时，形成阶梯状形貌的P阱区，扩展了两个P阱区之间的JFET区，增大了JFET区电流横向输出路径，进一步提升器件大电流密度输出能力。

公开(公告)号：CN112701151B

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN201911013564.8

申请日：2019-10-23

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 李诚瞻 ,  罗烨辉 ,  周正东 ,  刘芹 ,  王志成 ,  龚芷玉 ,  魏伟 ,  戴小平

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/265

Abstract: 本公开提供一种SiC MOSFET器件的制造方法及SiC MOSFET器件。该方法包括：提供SiC外延片，在所述SiC外延片表面沉积生长掩膜层；刻蚀所述掩膜层，在所述掩膜层上形成第一刻蚀槽；再次刻蚀所述掩膜层，在所述第一刻蚀槽内形成第二刻蚀槽；通过第一刻蚀槽和第二刻蚀槽构成的离子注入窗口，注入第一高能离子，形成阶梯状形貌的阱区；注入第二高能离子，形成源区。本公开通过阶梯状形貌的离子注入窗口，来实现自对准工艺，可以非常精确的实现对沟道长度和位置的控制，工艺简单稳定。同时，形成阶梯状形貌的P阱区，扩展了两个P阱区之间的JFET区，增大了JFET区电流横向输出路径，进一步提升器件大电流密度输出能力。