-
公开(公告)号：CN100566938C
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200380107815.X
申请日：2003-12-26
Abstract: 一种基片抛光方法，其中，由基片保持机构保持着的将要被抛光的基片被推压在抛光台的抛光面上，同时抛光液被供应到所述抛光面上，所述基片通过基片和抛光面之间的相对运动而被抛光。在所述基片的抛光过程中，所述基片的温度被维持在从40℃至65℃的范围内。
-
公开(公告)号：CN1732068A
公开(公告)日：2006-02-08
申请号：CN200380107815.X
申请日：2003-12-26
Abstract: 公开了基片保持机构、基片抛光设备和基片抛光方法，能够使得在对被抛光基片进行抛光的过程中产生的热量最小化，有效地冷却基片保持机构的基片保持部分，并且有效地防止抛光液和抛光碎屑粘着并干燥于基片保持部分的外周部。基片保持机构(顶环(1))具有安装凸缘(2)、支承件(6)和限位环(3)。将要被抛光的基片(W)被保持在由限位环包围的支承件的下侧，基片被推压在抛光面上。安装凸缘设有至少与限位环连接的流道(26)。温度受控的气体通过流道供应，以冷却安装凸缘、支承件和限位环。限位环设有与流道相通的多个通孔(3a)，用于将流经流道的喷射气体喷射在抛光台的抛光面上。
-
公开(公告)号：CN101693354A
公开(公告)日：2010-04-14
申请号：CN200910211501.3
申请日：2003-12-26
CPC classification number: B24B37/015 , B24B41/061 , B24B55/02
Abstract: 公开了一种基片抛光方法，用于抛光基片，所述方法包括：提供用于保持基片的基片保持机构、具有抛光面的抛光台、用于将抛光液供应到抛光面上的抛光液供应嘴、用于被气体从中流经的气体流道、用于控制气体在气体流道中的流速的开度可调型定流量控制阀；抛光基片，其中将要被抛光的基片被基片保持机构保持并推压，从而基片被推压在抛光台的抛光面上，在抛光液被供应到抛光面上的同时，基片与抛光面相对运动，从而利用相对运动将基片抛光；其中，通过调节开度可调型定流量控制阀的开度来控制气体在气体流道中的流速，以便在抛光时连续地将气体直接供应到基片上，从而在基片的抛光过程中，基片的温度被维持在从40℃至65℃的范围内。
-
公开(公告)号：CN101306512A
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200810125500.2
申请日：2003-12-26
IPC: B24B29/00 , H01L21/304
Abstract: 一种基片抛光设备包括：基片保持机构；具有抛光面的抛光台；其中，由所述基片保持机构保持着的将要被抛光的基片被推压在所述抛光台的抛光面上，通过由所述基片保持机构保持着的所述基片和所述抛光台的抛光面之间的相对运动，所述基片被抛光；其中，设有冷却装置，用于冷却所述抛光台的抛光面和所述基片保持机构的基片保持部分；所述冷却装置包括具有引入口和排出口的拱顶，所述拱顶覆盖所述抛光台的抛光面和所述基片保持机构的基片保持部分，以便利用通过对所述拱顶的内侧部分地抽真空而产生的气流来冷却所述抛光台的抛光面和所述基片保持机构的基片保持部分。
-
公开(公告)号：CN101410955B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200780011516.4
申请日：2007-03-27
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC classification number: H01L21/7684 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , H01L21/31053 , H01L21/3212
Abstract: 本发明提供化学机械研磨用水系分散体，含有作为磨粒的成分(A)、喹啉羧酸和吡啶羧酸中至少一方的成分(B)、除了喹啉羧酸和吡啶羧酸以外的有机酸的成分(C)、作为氧化剂的成分(D)以及作为具有三键的非离子型表面活性剂的成分(E)，所述成分(B)的配合量(WB)与所述成分(C)的配合量(WC)的质量比(WB/WC)为0.01以上且小于2，所述成分(E)由下述通式(1)表示。(式中，m和n各自独立为1以上的整数，并且满足m+n≦50)。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1237613C
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN03148279.1
申请日：2003-07-01
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L23/52 , H01L21/768 , H01L21/31 , H01L21/3205 , H01L21/321
CPC classification number: H01L23/5222 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体器件，包括半导体基板、层间绝缘膜以及在层间绝缘膜中形成的埋入布线，其中，层间绝缘膜包括在基板上形成的并且相对介电常数小于2.5的第一绝缘膜，以及为覆盖第一绝缘膜而形成的并且相对介电常数大于第一绝缘膜的相对介电常数的第二绝缘膜。第二绝缘膜的底部在数个点埋入在第一绝缘膜中。
-
公开(公告)号：CN1487585A
公开(公告)日：2004-04-07
申请号：CN03148279.1
申请日：2003-07-01
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L23/52 , H01L21/768 , H01L21/31 , H01L21/3205 , H01L21/321
CPC classification number: H01L23/5222 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体器件，包括半导体基板、层间绝缘膜以及在层间绝缘膜中形成的埋入布线，其中，层间绝缘膜包括在基板上形成的并且相对介电常数小于2.5的第一绝缘膜，以及为覆盖第一绝缘膜而形成的并且相对介电常数大于第一绝缘膜的相对介电常数的第二绝缘膜。第二绝缘膜的底部在数个点埋入在第一绝缘膜中。
-
公开(公告)号：CN111063629A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201910126608.1
申请日：2019-02-20
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本发明的实施方式提供一种具有能稳定地保持被处理基板的静电吸盘的制程装置。实施方式的制程装置具有：静电吸盘，配置在基板保持部，且包含电介质及配置在所述电介质内部的电极；电路，电连接于所述静电吸盘的所述电极；及第1接地线，电连接于所述电路。所述第1接地线经由绝缘性包覆层而被金属屏蔽。
-
公开(公告)号：CN100570826C
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200410003134.5
申请日：2004-02-06
IPC: H01L21/304 , B24B37/00
Abstract: 本发明涉及一种抛光垫及制造半导体器件的方法。本发明公开的CMP中使用的抛光垫没有研磨料并且包括可形成微孔和/或凹坑部分的材料，二者均具有0.05μm到290μm范围的平均直径并且占据基于所述垫整个体积为0.1体积%到5体积%的区域(11)；以及有机材料(10)。
-
公开(公告)号：CN1292477C
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN03153617.4
申请日：2003-08-15
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L23/52 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/53295 , H01L21/76807 , H01L21/76832 , H01L21/7684 , H01L23/522 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，包括：基板；第一绝缘膜，提供在基板上并具有最多为预定值的相对介电常数；第二绝缘膜，提供在第一绝缘膜的表面上并具有大于预定值的相对介电常数；布线，提供在用于布线的凹槽中，穿过第二绝缘膜形成并延伸到第一绝缘膜内；以及虚拟布线，提供在用于虚拟布线的凹槽中，穿过第二绝缘膜形成并延伸到第一绝缘膜内，位于与提供布线的区域隔开的预定区域中。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
20
records
(took 0.046 seconds)
