-
公开(公告)号：CN1319130C
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN00804252.7
申请日：2000-12-25
Inventor： 木村宪雄 , 三岛浩二 , 国泽淳次 , 小田垣美津子 , 牧野夏木 , 辻村学 , 井上裕章 , 中村宪二 , 松本守治 , 松田哲郎 , 金子尚史 , 森田敏行 , 早坂伸夫 , 奥村胜弥
IPC: H01L21/288
CPC classification number: H01L21/67161 , B24B37/04 , C23C18/1619 , C23C18/1632 , C23C18/1678 , C23C18/1692 , C25D7/123 , C25D17/001 , C25D17/12 , C25D17/14 , H01L21/02063 , H01L21/02074 , H01L21/02087 , H01L21/0209 , H01L21/288 , H01L21/2885 , H01L21/3212 , H01L21/32134 , H01L21/67046 , H01L21/67051 , H01L21/6708 , H01L21/6715 , H01L21/67173 , H01L21/67184 , H01L21/6719 , H01L21/67219 , H01L21/67253 , H01L21/67742 , H01L21/76843 , H01L21/76849 , H01L21/76873 , H01L21/76877 , H01L2221/1089 , H05K3/423
Abstract: 本发明涉及半导体基片处理装置及处理方法，对在半导体基片上所形成的电路图形槽及/或孔用金属镀膜填充，通过保留该填充部分。除去该金属镀膜，形成电路布线。该半导体基片处理装置包括：放入取出部(1)，用于在干燥状态放入取出表面上形成电路的半导体基片；金属镀膜成膜单元(2)，用于在所放入的该半导体基片上形成金属镀膜；倾斜蚀刻单元(116)，用于腐蚀上述半导体基片的边缘部；研磨单元(10、11)，对该半导体基片上的该金属镀膜至少研磨一部分；及用于在上述单元之间传送上述半导体基片的机械手(3、8)。
-
公开(公告)号：CN1341277A
公开(公告)日：2002-03-20
申请号：CN00804252.7
申请日：2000-12-25
Inventor： 木村宪雄 , 三岛浩二 , 国泽淳次 , 小田垣美津子 , 牧野夏木 , 辻村学 , 井上裕章 , 中村宪二 , 松本守治 , 松田哲郎 , 金子尚史 , 森田敏行 , 早坂伸夫 , 奥村胜弥
IPC: H01L21/288
CPC classification number: H01L21/67161 , B24B37/04 , C23C18/1619 , C23C18/1632 , C23C18/1678 , C23C18/1692 , C25D7/123 , C25D17/001 , C25D17/12 , C25D17/14 , H01L21/02063 , H01L21/02074 , H01L21/02087 , H01L21/0209 , H01L21/288 , H01L21/2885 , H01L21/3212 , H01L21/32134 , H01L21/67046 , H01L21/67051 , H01L21/6708 , H01L21/6715 , H01L21/67173 , H01L21/67184 , H01L21/6719 , H01L21/67219 , H01L21/67253 , H01L21/67742 , H01L21/76843 , H01L21/76849 , H01L21/76873 , H01L21/76877 , H01L2221/1089 , H05K3/423
Abstract: 本发明涉及半导体基片处理装置及处理方法,对在半导体基片上所形成的电路图形槽及/或孔用金属镀膜填充,通过保留该填充部分。除去该金属镀膜,形成电路布线。该半导体基片处理装置包括:放入取出部1,用于在干燥状态放入取出表面上形成电路的半导体基片;金属镀膜成膜单元2,用于在所放入的该半导体基片上形成金属镀膜;倾斜蚀刻单元116,用于腐蚀上述半导体基片的边缘部;研磨单元10、11,对该半导体基片上的该金属镀膜至少研磨一部分;及用于在上述单元之间传送上述半导体基片的机械手3、8。
-
公开(公告)号：CN1898016A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200480038223.1
申请日：2004-11-22
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明涉及一种采用液体的微芯片装置。更详细地说，本发明提供一种液体混合装置，其包含有用来导入液体的至少2条液体导入用微流道；以及该至少2条液体导入用微流道所连接的混合用微流道而成，并且从各液体导入用微流道所导入的各液体在上述混合用微流道内进行合流，所述液体混合装置具有用来促进在上述混合用微流道内进行合流的液体间的混合的混合促进部件。此外，本发明还提供一种变性剂浓度梯度凝胶电泳法用的电泳装置以及微芯片电泳装置。
-
公开(公告)号：CN1187481C
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN00804253.5
申请日：2000-12-25
IPC: C25D7/12
CPC classification number: H01L21/6719 , C25D7/123 , C25D17/001 , C25D17/12 , C25D17/14 , H01L21/2885 , H01L21/67046 , H01L21/67051 , H01L21/6708 , H01L21/6715 , H01L21/6723 , H01L21/76877 , H01L21/76879 , H01L2924/0002 , H05K3/423 , H01L2924/00
Abstract: 本发明特别是关于在半导体基片上形成的微细配线图案(凹处)中填充铜(Cu)等金属等用途的基片电镀方法及装置，具备使被电镀面向上方、水平地保持并旋转基片的基片保持部(36)，与由该基片保持部(36)保持的基片的被电镀面的边缘部接触、将该边缘部不透水地密封的密封构件(90)，以及和该基片接触而通电的阴极电极(88)，还具有与基片保持部(36)一体地旋转的阴极部(38)，具备水平垂直动作自由地配置在该阴极部(38)上方并向下的阳极(98)的电极臂部(30)，在由基片保持部(36)保持的基片的被电镀面与接近该被电镀面的电极臂部(30)的阳极(98)之间的空间中注入电镀液的电镀液注入机构。由此，能够以单一机构进行电镀处理及在电镀处理中附带的处理。
-
-
Patent Agency Ranking
-
公开(公告)号：CN1624207A
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：CN200410102211.2
申请日：2000-12-25
IPC: C25D5/00 , C25D7/12 , H01L21/3205 , H01L21/321 , H01L21/60
CPC classification number: H01L21/6719 , C25D7/123 , C25D17/001 , C25D17/12 , C25D17/14 , H01L21/2885 , H01L21/67046 , H01L21/67051 , H01L21/6708 , H01L21/6715 , H01L21/6723 , H01L21/76877 , H01L21/76879 , H01L2924/0002 , H05K3/423 , H01L2924/00
Abstract: 本发明特别是关于在半导体基片上形成的微细配线图案(凹处)中填充铜(Cu)等金属等用途的基片电镀方法及装置，具备使被电镀面向上方、水平地保持并旋转基片的基片保持部(36)，与由该基片保持部(36)保持的基片的被电镀面的边缘部接触、将该边缘部不透水地密封的密封构件(90)，以及和该基片接触而通电的阴极电极(88)，还具有与基片保持部(36)一体地旋转的阴极部(38)，具备水平垂直动作自由地配置在该阴极部(38)上方并向下的阳极(98)的电极臂部(30)，在由基片保持部(36)保持的基片的被电镀面与接近该被电镀面的电极臂部(30)的阳极(98)之间的空间中注入电镀液的电镀液注入机构。由此，能够以单一机构进行电镀处理及在电镀处理中附带的处理。
-
公开(公告)号：CN1341166A
公开(公告)日：2002-03-20
申请号：CN00804253.5
申请日：2000-12-25
IPC: C25D7/12
CPC classification number: H01L21/6719 , C25D7/123 , C25D17/001 , C25D17/12 , C25D17/14 , H01L21/2885 , H01L21/67046 , H01L21/67051 , H01L21/6708 , H01L21/6715 , H01L21/6723 , H01L21/76877 , H01L21/76879 , H01L2924/0002 , H05K3/423 , H01L2924/00
Abstract: 本发明特别是关于在半导体基片上形成的微细配线图案(凹处)中填充铜(Cu)等金属等用途的基片电镀方法及装置,具备使被电镀面向上方、水平地保持并旋转基片的基片保持部(36),与由该基片保持部(36)保持的基片的被电镀面的边缘部接触、将该边缘部不透水地密封的密封构件(90),以及和该基片接触而通电的阴极电极(88),还具有与基片保持部(36)一体地旋转的阴极部(38),具备水平垂直动作自由地配置在该阴极部(38)上方并向下的阳极(98)的电极臂部(30),在由基片保持部(36)保持的基片的被电镀面与接近该被电镀面的电极臂部(30)的阳极(98)之间的空间中注入电镀液的电镀液注入机构。由此,能够以单一机构进行电镀处理及在电镀处理中附带的处理。
-
公开(公告)号：CN116330148A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310514748.2
申请日：2018-05-02
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/005 , H01L21/768 , B24B37/04 , H01L21/66 , B24B37/015 , H01L21/321
Abstract: 本发明的目的在于使具有凹凸的基板平坦化。本发明提供一种对基板进行化学机械性研磨的方法，该方法具有：使用处理液来研磨基板的步骤；及变更有助于基板的研磨的所述处理液的有效成分浓度的步骤。
-
公开(公告)号：CN100422389C
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200410102211.2
申请日：2000-12-25
IPC: C25D5/00 , C25D7/12 , H01L21/3205 , H01L21/321 , H01L21/60
CPC classification number: H01L21/6719 , C25D7/123 , C25D17/001 , C25D17/12 , C25D17/14 , H01L21/2885 , H01L21/67046 , H01L21/67051 , H01L21/6708 , H01L21/6715 , H01L21/6723 , H01L21/76877 , H01L21/76879 , H01L2924/0002 , H05K3/423 , H01L2924/00
Abstract: 本发明特别是关于在半导体基片上形成的微细配线图案(凹处)中填充铜(Cu)等金属等用途的基片电镀方法及装置，具备使被电镀面向上方、水平地保持并旋转基片的基片保持部(36)，与由该基片保持部(36)保持的基片的被电镀面的边缘部接触、将该边缘部不透水地密封的密封构件(90)，以及和该基片接触而通电的阴极电极(88)，还具有与基片保持部(36)一体地旋转的阴极部(38)，具备水平垂直动作自由地配置在该阴极部(38)上方并向下的阳极(98)的电极臂部(30)，在由基片保持部(36)保持的基片的被电镀面与接近该被电镀面的电极臂部(30)的阳极(98)之间的空间中注入电镀液的电镀液注入机构。由此，能够以单一机构进行电镀处理及在电镀处理中附带的处理。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.033 seconds)
