公开(公告)号：CN1319130C

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：CN00804252.7

申请日：2000-12-25

Applicant: 株式会社荏原制作所 ,  东芝株式会社

Inventor： 木村宪雄 ,  三岛浩二 ,  国泽淳次 ,  小田垣美津子 ,  牧野夏木 ,  辻村学 ,  井上裕章 ,  中村宪二 ,  松本守治 ,  松田哲郎 ,  金子尚史 ,  森田敏行 ,  早坂伸夫 ,  奥村胜弥

IPC: H01L21/288

CPC classification number: H01L21/67161 ,  B24B37/04 ,  C23C18/1619 ,  C23C18/1632 ,  C23C18/1678 ,  C23C18/1692 ,  C25D7/123 ,  C25D17/001 ,  C25D17/12 ,  C25D17/14 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/288 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/67046 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67219 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76877 ,  H01L2221/1089 ,  H05K3/423

Abstract: 本发明涉及半导体基片处理装置及处理方法，对在半导体基片上所形成的电路图形槽及/或孔用金属镀膜填充，通过保留该填充部分。除去该金属镀膜，形成电路布线。该半导体基片处理装置包括：放入取出部(1)，用于在干燥状态放入取出表面上形成电路的半导体基片；金属镀膜成膜单元(2)，用于在所放入的该半导体基片上形成金属镀膜；倾斜蚀刻单元(116)，用于腐蚀上述半导体基片的边缘部；研磨单元(10、11)，对该半导体基片上的该金属镀膜至少研磨一部分；及用于在上述单元之间传送上述半导体基片的机械手(3、8)。

公开(公告)号：CN1341277A

公开(公告)日：2002-03-20

申请号：CN00804252.7

申请日：2000-12-25

Applicant: 株式会社荏原制作所 ,  东芝株式会社

Inventor： 木村宪雄 ,  三岛浩二 ,  国泽淳次 ,  小田垣美津子 ,  牧野夏木 ,  辻村学 ,  井上裕章 ,  中村宪二 ,  松本守治 ,  松田哲郎 ,  金子尚史 ,  森田敏行 ,  早坂伸夫 ,  奥村胜弥

IPC: H01L21/288

CPC classification number: H01L21/67161 ,  B24B37/04 ,  C23C18/1619 ,  C23C18/1632 ,  C23C18/1678 ,  C23C18/1692 ,  C25D7/123 ,  C25D17/001 ,  C25D17/12 ,  C25D17/14 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/288 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/67046 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67219 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76877 ,  H01L2221/1089 ,  H05K3/423

Abstract: 本发明涉及半导体基片处理装置及处理方法,对在半导体基片上所形成的电路图形槽及/或孔用金属镀膜填充,通过保留该填充部分。除去该金属镀膜,形成电路布线。该半导体基片处理装置包括:放入取出部1,用于在干燥状态放入取出表面上形成电路的半导体基片;金属镀膜成膜单元2,用于在所放入的该半导体基片上形成金属镀膜;倾斜蚀刻单元116,用于腐蚀上述半导体基片的边缘部;研磨单元10、11,对该半导体基片上的该金属镀膜至少研磨一部分;及用于在上述单元之间传送上述半导体基片的机械手3、8。

公开(公告)号：CN1187481C

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN00804253.5

申请日：2000-12-25

Applicant: 株式会社荏原制作所 ,  株式会社东芝

Inventor： 国泽淳次 ,  小田垣美津子 ,  牧野夏木 ,  三岛浩二 ,  中村宪二 ,  井上裕章 ,  木村宪雄 ,  松田哲朗 ,  金子尚史 ,  早坂伸夫 ,  奥村胜弥 ,  辻村学 ,  森田敏行

IPC: C25D7/12

CPC classification number: H01L21/6719 ,  C25D7/123 ,  C25D17/001 ,  C25D17/12 ,  C25D17/14 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/67046 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/6723 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L2924/0002 ,  H05K3/423 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明特别是关于在半导体基片上形成的微细配线图案(凹处)中填充铜(Cu)等金属等用途的基片电镀方法及装置，具备使被电镀面向上方、水平地保持并旋转基片的基片保持部(36)，与由该基片保持部(36)保持的基片的被电镀面的边缘部接触、将该边缘部不透水地密封的密封构件(90)，以及和该基片接触而通电的阴极电极(88)，还具有与基片保持部(36)一体地旋转的阴极部(38)，具备水平垂直动作自由地配置在该阴极部(38)上方并向下的阳极(98)的电极臂部(30)，在由基片保持部(36)保持的基片的被电镀面与接近该被电镀面的电极臂部(30)的阳极(98)之间的空间中注入电镀液的电镀液注入机构。由此，能够以单一机构进行电镀处理及在电镀处理中附带的处理。

公开(公告)号：CN100422389C

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200410102211.2

申请日：2000-12-25

Applicant: 株式会社荏原制作所 ,  株式会社东芝

Inventor： 国泽淳次 ,  小田垣美津子 ,  牧野夏木 ,  三岛浩二 ,  中村宪二 ,  井上裕章 ,  木村宪雄 ,  松田哲朗 ,  金子尚史 ,  早坂伸夫 ,  奥村胜弥 ,  辻村学 ,  森田敏行

IPC: C25D5/00 ,  C25D7/12 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/321 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/6719 ,  C25D7/123 ,  C25D17/001 ,  C25D17/12 ,  C25D17/14 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/67046 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/6723 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L2924/0002 ,  H05K3/423 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明特别是关于在半导体基片上形成的微细配线图案(凹处)中填充铜(Cu)等金属等用途的基片电镀方法及装置，具备使被电镀面向上方、水平地保持并旋转基片的基片保持部(36)，与由该基片保持部(36)保持的基片的被电镀面的边缘部接触、将该边缘部不透水地密封的密封构件(90)，以及和该基片接触而通电的阴极电极(88)，还具有与基片保持部(36)一体地旋转的阴极部(38)，具备水平垂直动作自由地配置在该阴极部(38)上方并向下的阳极(98)的电极臂部(30)，在由基片保持部(36)保持的基片的被电镀面与接近该被电镀面的电极臂部(30)的阳极(98)之间的空间中注入电镀液的电镀液注入机构。由此，能够以单一机构进行电镀处理及在电镀处理中附带的处理。

公开(公告)号：CN1624207A

公开(公告)日：2005-06-08

申请号：CN200410102211.2

申请日：2000-12-25

Applicant: 株式会社荏原制作所 ,  株式会社东芝

Inventor： 国泽淳次 ,  小田垣美津子 ,  牧野夏木 ,  三岛浩二 ,  中村宪二 ,  井上裕章 ,  木村宪雄 ,  松田哲朗 ,  金子尚史 ,  早坂伸夫 ,  奥村胜弥 ,  辻村学 ,  森田敏行

IPC: C25D5/00 ,  C25D7/12 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/321 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/6719 ,  C25D7/123 ,  C25D17/001 ,  C25D17/12 ,  C25D17/14 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/67046 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/6723 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L2924/0002 ,  H05K3/423 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明特别是关于在半导体基片上形成的微细配线图案(凹处)中填充铜(Cu)等金属等用途的基片电镀方法及装置，具备使被电镀面向上方、水平地保持并旋转基片的基片保持部(36)，与由该基片保持部(36)保持的基片的被电镀面的边缘部接触、将该边缘部不透水地密封的密封构件(90)，以及和该基片接触而通电的阴极电极(88)，还具有与基片保持部(36)一体地旋转的阴极部(38)，具备水平垂直动作自由地配置在该阴极部(38)上方并向下的阳极(98)的电极臂部(30)，在由基片保持部(36)保持的基片的被电镀面与接近该被电镀面的电极臂部(30)的阳极(98)之间的空间中注入电镀液的电镀液注入机构。由此，能够以单一机构进行电镀处理及在电镀处理中附带的处理。

公开(公告)号：CN1341166A

公开(公告)日：2002-03-20

申请号：CN00804253.5

申请日：2000-12-25

Applicant: 株式会社荏原制作所 ,  株式会社东芝

Inventor： 国泽淳次 ,  小田垣美津子 ,  牧野夏木 ,  三岛浩二 ,  中村宪二 ,  井上裕章 ,  木村宪雄 ,  松田哲朗 ,  金子尚史 ,  早坂伸夫 ,  奥村胜弥 ,  辻村学 ,  森田敏行

IPC: C25D7/12

CPC classification number: H01L21/6719 ,  C25D7/123 ,  C25D17/001 ,  C25D17/12 ,  C25D17/14 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/67046 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/6723 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L2924/0002 ,  H05K3/423 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明特别是关于在半导体基片上形成的微细配线图案(凹处)中填充铜(Cu)等金属等用途的基片电镀方法及装置,具备使被电镀面向上方、水平地保持并旋转基片的基片保持部(36),与由该基片保持部(36)保持的基片的被电镀面的边缘部接触、将该边缘部不透水地密封的密封构件(90),以及和该基片接触而通电的阴极电极(88),还具有与基片保持部(36)一体地旋转的阴极部(38),具备水平垂直动作自由地配置在该阴极部(38)上方并向下的阳极(98)的电极臂部(30),在由基片保持部(36)保持的基片的被电镀面与接近该被电镀面的电极臂部(30)的阳极(98)之间的空间中注入电镀液的电镀液注入机构。由此,能够以单一机构进行电镀处理及在电镀处理中附带的处理。