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公开(公告)号：CN111152127A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201911081294.4
申请日：2019-11-07
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/013 , B24B37/10 , B24B37/34
Abstract: 本发明提供一种涡流检测装置和使用了该涡流检测装置的研磨装置，该涡流检测装置使在被研磨物中形成的磁场更强。能够配置在形成有导电性膜的半导体晶片的附近的涡流检测装置(50)具有多个涡流传感器(56)。多个涡流传感器(56)相互配置在附近。多个涡流传感器(56)分别具有：罐形芯(60)；励磁线圈，该励磁线圈配置于罐形芯(60)，且能够在导电性膜中形成涡流；以及检测线圈，该检测线圈配置于罐形芯(60)，且能够检测在导电性膜中形成的涡流。
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公开(公告)号：CN104907920A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510109221.7
申请日：2015-03-12
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/005 , B24B37/015 , G01B7/06 , G01D5/16
CPC classification number: H01L22/26 , B24B37/013 , B24B49/105 , G01B7/105 , H01L22/14
Abstract: 一种膜厚测定值的补正方法、膜厚补正器、及涡流传感器，以简易的构成精确补正测定研磨对象物的膜厚的传感器的温度偏差。膜厚测定值的补正方法在进行研磨工序中补正涡流传感器的输出信号。研磨工序包含：涡流传感器与研磨对象物不相对的第一状态；及涡流传感器与研磨对象物相对的第二状态。膜厚测定值的补正方法是取得在第一状态下从涡流传感器输出的第一测定信号(Xout，Yout)(步骤S108)，基于取得的第一测定信号与对第一测定信号预先设定的基准信号(Xsd，Ysd)算出补正值(ΔX、ΔY)(步骤S109)；取得在第二状态下从涡流传感器输出的第二测定信号(X、Y)(步骤S104)，在进行研磨工序中，基于算出的补正值补正所取得的第二测定信号(步骤S105)。
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公开(公告)号：CN114536214A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202111413479.8
申请日：2021-11-25
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/34 , B24B37/005 , B24B37/013 , B24B37/10 , B24B49/10 , B24B49/04 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种对周围环境的变化与过去相比更不易受到影响的涡电流传感器及研磨装置。用于检测可生成于晶片的涡电流的涡电流传感器(50)具有作为磁性体的磁芯(136)。磁芯(136)具有：基部(120)；在基部(120)的第一方向(122)的中央且设于基部(120)的中央壁(144)；及在基部120的第一方向(122)的两端部，分别设于基部(120)的端部壁(134)。涡电流传感器(50)具有：配置于端部壁(134)，且可在晶片上生成涡电流的励磁线圈(62)；及配置于中央壁(144)，且用于检测涡电流的检测线圈(63)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110030918A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201811599497.8
申请日：2018-12-26
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: G01B7/06 , B24B37/013 , B24B49/10
Abstract: 提供一种使形成于被研磨物的磁场更强的磁性元件以及使用该磁性元件的涡电流式传感器。涡电流式传感器具有：作为磁性体的底面部、设于底面部的中央的磁心部、设于底面部的周边部的周壁部。涡电流式传感器另外还具有配置在磁心部的外周，能够产生磁场的励磁线圈；配置于周壁部的外周，能够产生磁场的励磁线圈。
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公开(公告)号：CN114762954A
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202210035363.3
申请日：2022-01-13
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/10 , B24B37/005 , B24B49/00 , H01L21/304
Abstract: 提供一种能够获取正确的膜厚分布信息的研磨装置、研磨方法及输出基板的膜厚分布的可视化信息的方法。该研磨装置具备研磨台(3)、多个膜厚传感器(60)以及控制装置(9)。控制装置(9)基于测定出的膜厚信息来确定基板的切口位置，并且对基板的膜厚分布信息进行解析而输出以切口位置为基准位置的膜厚分布的可视化信息。
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公开(公告)号：CN104907920B
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201510109221.7
申请日：2015-03-12
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/005 , B24B37/015 , G01B7/06 , G01D5/16
CPC classification number: H01L22/26 , B24B37/013 , B24B49/105 , G01B7/105 , H01L22/14
Abstract: 种膜厚测定值的补正方法、膜厚补正器、及涡流传感器,以简易的构成精确补正测定研磨对象物的膜厚的传感器的温度偏差。膜厚测定值的补正方法在进行研磨工序中补正涡流传感器的输出信号。研磨工序包含:涡流传感器与研磨对象物不相对的第状态;及涡流传感器与研磨对象物相对的第二状态。膜厚测定值的补正方法是取得在第状态下从涡流传感器输出的第测定信号(Xout,Yout)(步骤S108),基于取得的第测定信号与对第测定信号预先设定的基准信号(Xsd,Ysd)算出补正值(ΔX、ΔY)(步骤S109);取得在第二状态下从涡流传感器输出的第二测定信号(X、Y)(步骤S104),在进行研磨工序中,基于算出的补正值补正所取得的第二测定信号(步骤S105)。
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公开(公告)号：CN115597479A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202210735955.6
申请日：2022-06-27
Applicant: 株式会社荏原制作所(JP)
IPC: G01B7/06 , G01B7/02 , B24B37/013 , B24B37/005
Abstract: 本发明提供一种对周围环境的变化比以往不易受到影响的涡电流传感器的检测信号处理装置及检测信号处理方法、研磨装置。检测信号处理装置(220)具有：将检测线圈(34)输出的第一模拟信号(128)转换成第一数字信号(58)的转换器(60)；将虚拟线圈(36)输出的第二模拟信号(130)转换成第二数字信号(62)的转换器(64)；以及对第一数字信号(58)与第二数字信号(62)进行检波的数字信号处理电路即检波部。
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公开(公告)号：CN110030918B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN201811599497.8
申请日：2018-12-26
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: G01B7/06 , B24B37/013 , B24B49/10
Abstract: 提供一种使形成于被研磨物的磁场更强的磁性元件以及使用该磁性元件的涡电流式传感器。涡电流式传感器具有：作为磁性体的底面部、设于底面部的中央的磁心部、设于底面部的周边部的周壁部。涡电流式传感器另外还具有配置在磁心部的外周，能够产生磁场的励磁线圈；配置于周壁部的外周，能够产生磁场的励磁线圈。
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