-
公开(公告)号：CN102490112B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201110416880.7
申请日：2007-10-05
IPC: B24B37/10 , B24B37/013 , H01L21/304
CPC classification number: B24B49/04 , B24B37/013 , B24B49/12 , B24B49/16 , B24D7/12 , G01B11/0675 , G01N21/55 , G01N21/9501 , G05B19/406 , G05B19/4065 , H01L22/26 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及计算基板等加工对象物的被加工面的特性值，并检测加工终点(研磨停止、研磨条件的变更等)的定时的方法。该方法通过使用基准被加工物、或模拟计算，生成表示加工终点上的反射强度与波长的关系的分光波形；基于上述分光波形，选择反射强度成为极大值及极小值的波长；根据上述选择的波长上的反射强度，计算对于被加工面的特性值；将加工终点上的特性值的时间变化的特征点设定为加工终点；在加工对象物的加工中检测上述特征点从而检测被加工物的加工终点。
-
公开(公告)号：CN101523565A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200780037289.2
申请日：2007-10-05
IPC: H01L21/304 , B24B37/04
CPC classification number: B24B49/04 , B24B37/013 , B24B49/12 , B24B49/16 , B24D7/12 , G01B11/0675 , G01N21/55 , G01N21/9501 , G05B19/406 , G05B19/4065 , H01L22/26 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及计算基板等加工对象物的被加工面的特性值，并检测加工终点(研磨停止、研磨条件的变更等)的定时的方法。该方法通过使用基准被加工物、或模拟计算，生成表示加工终点上的反射强度与波长的关系的分光波形；基于上述分光波形，选择反射强度成为极大值及极小值的波长；根据上述选择的波长上的反射强度，计算对于被加工面的特性值；将加工终点上的特性值的时间变化的特征点设定为加工终点；在加工对象物的加工中检测上述特征点从而检测被加工物的加工终点。
-
公开(公告)号：CN100519078C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200480018290.7
申请日：2004-07-01
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/04 , H01L21/304
Abstract: 一种抛光装置具有抛光部分(302)，其被构造成抛光基板，和测量部分(307)，其被构造成测量形成于所述基板上的膜的厚度。所述抛光装置还具有接口(310)，其被构造成输入形成于待抛光的基板上的膜的期望厚度，和存储装置(308a)，其被构造成将关于过去的至少一个基板的抛光速度的数据存储在其中。所述抛光装置包括运算单元(308b)，其可操作，以通过使用加权平均法、基于所述抛光速度数据和所述期望厚度来计算抛光速度和最佳抛光时间，其中所述加权平均法对关于最新抛光的基板的抛光速度数据进行加权处理。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101612719A
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200910139638.2
申请日：2004-07-01
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B29/02 , H01L21/304 , B24B49/02 , B24B49/12 , B24B55/00 , G01B11/06 , G01B11/30 , G01B7/06 , G01B7/34 , G01B15/02 , G01B15/08
Abstract: 公开了一种抛光装置，其包括：抛光部分，其被构造成用于抛光基板，其中所述基板具有包含上层和下层的多个层叠式膜；测量部分，其被构造成测量形成于所述基板上的膜的厚度；接口，其被构造成输入形成于待抛光的基板上的膜的期望厚度；和运算单元，其可操作，以基于所述期望厚度和用于所述上层与用于所述下层的抛光速度之比或者基于所述测量部分的信号来计算用于所述多个层叠式膜中的至少一个的抛光速度和最佳抛光时间。还公开了一种抛光方法。
-
公开(公告)号：CN102490112A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110416880.7
申请日：2007-10-05
IPC: B24B37/10 , B24B37/013 , H01L21/304
CPC classification number: B24B49/04 , B24B37/013 , B24B49/12 , B24B49/16 , B24D7/12 , G01B11/0675 , G01N21/55 , G01N21/9501 , G05B19/406 , G05B19/4065 , H01L22/26 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及计算基板等加工对象物的被加工面的特性值，并检测加工终点(研磨停止、研磨条件的变更等)的定时的方法。该方法通过使用基准被加工物、或模拟计算，生成表示加工终点上的反射强度与波长的关系的分光波形；基于上述分光波形，选择反射强度成为极大值及极小值的波长；根据上述选择的波长上的反射强度，计算对于被加工面的特性值；将加工终点上的特性值的时间变化的特征点设定为加工终点；在加工对象物的加工中检测上述特征点从而检测被加工物的加工终点。
-
公开(公告)号：CN1813340A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200480018290.7
申请日：2004-07-01
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/304 , B24B37/04
Abstract: 一种抛光装置具有抛光部分(302)，其被构造成抛光基板，和测量部分(307)，其被构造成测量形成于所述基板上的膜的厚度。所述抛光装置还具有接口(310)，其被构造成输入形成于待抛光的基板上的膜的期望厚度，和存储装置(308a)，其被构造成将关于过去的至少一个基板的抛光速度的数据存储在其中。所述抛光装置包括运算单元(308b)，其可操作，以通过使用加权平均法、基于所述抛光速度数据和所述期望厚度来计算抛光速度和最佳抛光时间，其中所述加权平均法对关于最新抛光的基板的抛光速度数据进行加权处理。
-
公开(公告)号：CN101523565B
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN200780037289.2
申请日：2007-10-05
CPC classification number: B24B49/04 , B24B37/013 , B24B49/12 , B24B49/16 , B24D7/12 , G01B11/0675 , G01N21/55 , G01N21/9501 , G05B19/406 , G05B19/4065 , H01L22/26 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及计算基板等加工对象物的被加工面的特性值，并检测加工终点(研磨停止、研磨条件的变更等)的定时的方法。该方法通过使用基准被加工物、或模拟计算，生成表示加工终点上的反射强度与波长的关系的分光波形；基于上述分光波形，选择反射强度成为极大值及极小值的波长；根据上述选择的波长上的反射强度，计算对于被加工面的特性值；将加工终点上的特性值的时间变化的特征点设定为加工终点；在加工对象物的加工中检测上述特征点从而检测被加工物的加工终点。
-
公开(公告)号：CN101612719B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200910139638.2
申请日：2004-07-01
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B29/02 , H01L21/304 , B24B49/02 , B24B49/12 , B24B55/00 , G01B11/06 , G01B11/30 , G01B7/06 , G01B7/34 , G01B15/02 , G01B15/08
Abstract: 公开了一种抛光装置，其包括：抛光部分，其被构造成用于抛光基板，其中所述基板具有包含上层和下层的多个层叠式膜；测量部分，其被构造成测量形成于所述基板上的膜的厚度；接口，其被构造成输入形成于待抛光的基板上的膜的期望厚度；和运算单元，其可操作，以基于所述期望厚度和用于所述上层与用于所述下层的抛光速度之比或者基于所述测量部分的信号来计算用于所述多个层叠式膜中的至少一个的抛光速度和最佳抛光时间。还公开了一种抛光方法。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.023 seconds)
