公开(公告)号：CN1670924A

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：CN200410095441.0

申请日：2004-12-20

Applicant: 株式会社荏原制作所 ,  株式会社东芝

Inventor： 中尾秀高 ,  川端康充 ,  胜间田好文 ,  小泽直树 ,  佐佐木达也 ,  重田厚

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/04 ,  B24B49/00 ,  B24B1/00

CPC classification number: B24B37/013 ,  B24B49/03 ,  B24B49/12

Abstract: 提供一种衬底抛光装置来防止抛光过度和抛光不充分，并能够定量设置附加抛光时间。该衬底抛光装置包括用来将待抛光衬底抛光的机械装置；用来测量沉积在该衬底上的薄膜厚度的膜厚度测量装置；用来输入被抛光薄膜目标厚度的界面；用来保存先前抛光结果的存储区；以及用于计算抛光时间和抛光速度的处理单元。该衬底抛光装置建立一个附加抛光数据库，用于将从附加抛光结果中获得的数据存储在该存储区中。

公开(公告)号：CN100519078C

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200480018290.7

申请日：2004-07-01

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 佐佐木达也 ,  山田青史 ,  胜间田好文 ,  清水展 ,  津野成亮 ,  三谷隆

IPC: B24B37/04 ,  H01L21/304

Abstract: 一种抛光装置具有抛光部分(302)，其被构造成抛光基板，和测量部分(307)，其被构造成测量形成于所述基板上的膜的厚度。所述抛光装置还具有接口(310)，其被构造成输入形成于待抛光的基板上的膜的期望厚度，和存储装置(308a)，其被构造成将关于过去的至少一个基板的抛光速度的数据存储在其中。所述抛光装置包括运算单元(308b)，其可操作，以通过使用加权平均法、基于所述抛光速度数据和所述期望厚度来计算抛光速度和最佳抛光时间，其中所述加权平均法对关于最新抛光的基板的抛光速度数据进行加权处理。

公开(公告)号：CN1813340A

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN200480018290.7

申请日：2004-07-01

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 佐佐木达也 ,  山田青史 ,  胜间田好文 ,  清水展 ,  津野成亮 ,  三谷隆

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/04

Abstract: 一种抛光装置具有抛光部分(302)，其被构造成抛光基板，和测量部分(307)，其被构造成测量形成于所述基板上的膜的厚度。所述抛光装置还具有接口(310)，其被构造成输入形成于待抛光的基板上的膜的期望厚度，和存储装置(308a)，其被构造成将关于过去的至少一个基板的抛光速度的数据存储在其中。所述抛光装置包括运算单元(308b)，其可操作，以通过使用加权平均法、基于所述抛光速度数据和所述期望厚度来计算抛光速度和最佳抛光时间，其中所述加权平均法对关于最新抛光的基板的抛光速度数据进行加权处理。

公开(公告)号：CN101612719A

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200910139638.2

申请日：2004-07-01

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 佐佐木达也 ,  山田直史 ,  胜间田好文 ,  清水展 ,  津野成亮 ,  三谷隆

IPC: B24B29/02 ,  H01L21/304 ,  B24B49/02 ,  B24B49/12 ,  B24B55/00 ,  G01B11/06 ,  G01B11/30 ,  G01B7/06 ,  G01B7/34 ,  G01B15/02 ,  G01B15/08

Abstract: 公开了一种抛光装置，其包括：抛光部分，其被构造成用于抛光基板，其中所述基板具有包含上层和下层的多个层叠式膜；测量部分，其被构造成测量形成于所述基板上的膜的厚度；接口，其被构造成输入形成于待抛光的基板上的膜的期望厚度；和运算单元，其可操作，以基于所述期望厚度和用于所述上层与用于所述下层的抛光速度之比或者基于所述测量部分的信号来计算用于所述多个层叠式膜中的至少一个的抛光速度和最佳抛光时间。还公开了一种抛光方法。

公开(公告)号：CN101612719B

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200910139638.2

申请日：2004-07-01

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 佐佐木达也 ,  山田直史 ,  胜间田好文 ,  清水展 ,  津野成亮 ,  三谷隆

IPC: B24B29/02 ,  H01L21/304 ,  B24B49/02 ,  B24B49/12 ,  B24B55/00 ,  G01B11/06 ,  G01B11/30 ,  G01B7/06 ,  G01B7/34 ,  G01B15/02 ,  G01B15/08

Abstract: 公开了一种抛光装置，其包括：抛光部分，其被构造成用于抛光基板，其中所述基板具有包含上层和下层的多个层叠式膜；测量部分，其被构造成测量形成于所述基板上的膜的厚度；接口，其被构造成输入形成于待抛光的基板上的膜的期望厚度；和运算单元，其可操作，以基于所述期望厚度和用于所述上层与用于所述下层的抛光速度之比或者基于所述测量部分的信号来计算用于所述多个层叠式膜中的至少一个的抛光速度和最佳抛光时间。还公开了一种抛光方法。

公开(公告)号：CN100481340C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200410095441.0

申请日：2004-12-20

Applicant: 株式会社荏原制作所 ,  株式会社东芝

Inventor： 中尾秀高 ,  川端康充 ,  胜间田好文 ,  小泽直树 ,  佐佐木达也 ,  重田厚

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/04 ,  B24B49/00 ,  B24B1/00

CPC classification number: B24B37/013 ,  B24B49/03 ,  B24B49/12

Abstract: 提供一种衬底抛光装置来防止抛光过度和抛光不充分，并能够定量设置附加抛光时间。该衬底抛光装置包括用来将待抛光衬底抛光的机械装置；用来测量沉积在该衬底上的薄膜厚度的膜厚度测量装置；用来输入被抛光薄膜目标厚度的界面；用来保存先前抛光结果的存储区；以及用于计算抛光时间和抛光速度的处理单元。该衬底抛光装置建立一个附加抛光数据库，用于将从附加抛光结果中获得的数据存储在该存储区中。