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公开(公告)号：CN112689902B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN201980059059.9
申请日：2019-08-29
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L29/739 , H01L29/78
Abstract: 一种半导体装置，具备：漂移层(11)；基体层(12)，形成在漂移层(11)上；集电极层(21)，形成在漂移层(11)中的基体层(12)侧的相反侧；以及场阻挡层(20)，形成在集电极层(21)与漂移层(11)之间，与漂移层(11)相比为高载流子浓度；在将场阻挡层(20)中的载流子浓度的最大峰值与集电极层(21)中的载流子浓度的最大峰值之间的距离设为X[μm]、将构成集电极层(21)的剂量相对于构成场阻挡层(20)的剂量的比即杂质总量比设为Y的情况下，以满足Y≧0.69X2+0.08X+0.86的方式构成场阻挡层(20)及集电极层(21)。
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公开(公告)号：CN109983565B
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN201880004460.8
申请日：2018-01-23
Applicant: 株式会社电装
Inventor： 米田秀司
IPC: H01L21/336 , H01L21/66 , H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L29/739 , H01L29/78
Abstract: 半导体装置具备：作为漂移层(12)的半导体基板(11)；基极层(13)；多个沟槽(14)；发射极区域(15)；发射极电极(20)；集电极层(30)；集电极电极(31)；产生反转层的主栅极电极(18a)及不使所述反转层产生的伪栅极电极(18b)；共用的栅极焊盘(21a)；第一元件(24、33)，形成于所述伪栅极电极与所述栅极焊盘之间，若施加第一电压，则断开导通或限制导通，若施加极性相反的第二电压，则允许导通；以及第二元件(25、34)，形成于所述发射极电极与所述伪栅极电极以及所述第一元件的连接点之间，若施加所述第一电压则允许导通，若施加所述第二电压则断开导通或限制导通。
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公开(公告)号：CN112689902A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201980059059.9
申请日：2019-08-29
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L29/739 , H01L29/78
Abstract: 一种半导体装置，具备：漂移层(11)；基体层(12)，形成在漂移层(11)上；集电极层(21)，形成在漂移层(11)中的基体层(12)侧的相反侧；以及场阻挡层(20)，形成在集电极层(21)与漂移层(11)之间，与漂移层(11)相比为高载流子浓度；在将场阻挡层(20)中的载流子浓度的最大峰值与集电极层(21)中的载流子浓度的最大峰值之间的距离设为X[μm]、将构成集电极层(21)的剂量相对于构成场阻挡层(20)的剂量的比即杂质总量比设为Y的情况下，以满足Y≧0.69X2+0.08X+0.86的方式构成场阻挡层(20)及集电极层(21)。
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公开(公告)号：CN108604579A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201780009036.8
申请日：2017-03-13
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 一种电子装置及其制造方法。电子装置中，信号端子(25)的内引线(250)具有使用金属材料形成的基材(252)、和在基材的表面中的内引线的接合面(250a)侧的表面上形成的被膜(253)。被膜具有形成在基材的表面上、在一部分上连接着接合线的金属薄膜(254)，和由与金属薄膜的主成分的金属相同的金属的氧化物构成、在金属薄膜上、除了接合线的连接区域(250b)以外的部分的至少一部分上形成的氧化膜(255)。氧化膜包括对金属薄膜照射脉冲振荡的激光而形成、表面连续而呈现凹凸的凹凸氧化膜(256)。凹凸氧化膜被形成在接合面中的前端区域(250e)的至少一部分上。
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公开(公告)号：CN108346700A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201810067250.5
申请日：2018-01-23
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/41708 , H01L21/28518 , H01L21/28568 , H01L21/32133 , H01L23/3171 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L29/0696 , H01L29/45 , H01L29/66348 , H01L29/7397 , H01L2224/05082 , H01L2224/05155 , H01L2924/3512
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其能够抑制表面电极的裂纹并且减轻半导体基板的应力。该半导体装置具有：半导体基板；覆盖所述半导体基板的表面的表面电极；覆盖所述表面电极的表面的一部分的绝缘保护膜；以及对横跨从所述绝缘保护膜的表面至所述表面电极的表面的范围进行覆盖的焊接用金属膜。所述表面电极具有：配置在所述半导体基板上的第一金属膜；与所述第一金属膜的表面接触且具有比所述第一金属膜更高的拉伸强度的第二金属膜；以及第三金属膜，其与所述第二金属膜的表面接触，具有与所述第二金属膜相比较低而与所述第一金属膜相比较高的拉伸强度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104009010B
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201410066975.4
申请日：2014-02-26
Applicant: 株式会社电装
Inventor： 米田秀司
IPC: H01L23/48
CPC classification number: H01L23/4822 , H01L23/49524 , H01L23/49551 , H01L23/49555 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L25/0655 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体器件，包括半导体芯片（12）、布置在第一方向上的多个端子（14）、密封半导体芯片和端子的树脂部分（16）。端子在第二方向上从树脂部分的侧表面突出，并包括具有第一部分（22）和第二部分（24）的至少一个附属端子。在附属端子中，第一部分的第一纵向端位于树脂部分内部，且第二部分布置成相邻于第一部分。此外，在第三方向上第一部分的长度（H1）大于第二部分的长度（H2），且在第一方向上第一部分的长度（W1）小于第二部分的长度（W2）。
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公开(公告)号：CN115485857A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202180030791.0
申请日：2021-04-23
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/739 , H01L29/861 , H01L29/868
Abstract: 具备半导体衬底(10)，该半导体衬底(10)具有IGBT区域(1a)和FWD区域(1b)，包括第1导电型的漂移层(11)、形成在漂移层(11)上的第2导电型的基极层(12)、在IGBT区域(1a)中形成在漂移层(11)中的与基极层(12)侧相反的一侧的第2导电型的集电极层(21)、以及在FWD区域(1b)中形成在漂移层(11)中的与基极层(12)侧相反的一侧的第1导电型的阴极层(22)。并且，将集电极层(21)做成具有将阴极层(22)中的漂移层(11)侧的仅一部分区域覆盖的延伸设置部(21a)的结构。
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公开(公告)号：CN108604579B
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN201780009036.8
申请日：2017-03-13
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 一种电子装置及其制造方法。电子装置中，信号端子(25)的内引线(250)具有使用金属材料形成的基材(252)、和在基材的表面中的内引线的接合面(250a)侧的表面上形成的被膜(253)。被膜具有形成在基材的表面上、在一部分上连接着接合线的金属薄膜(254)，和由与金属薄膜的主成分的金属相同的金属的氧化物构成、在金属薄膜上、除了接合线的连接区域(250b)以外的部分的至少一部分上形成的氧化膜(255)。氧化膜包括对金属薄膜照射脉冲振荡的激光而形成、表面连续而呈现凹凸的凹凸氧化膜(256)。凹凸氧化膜被形成在接合面中的前端区域(250e)的至少一部分上。
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公开(公告)号：CN108346700B
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN201810067250.5
申请日：2018-01-23
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其能够抑制表面电极的裂纹并且减轻半导体基板的应力。该半导体装置具有：半导体基板；覆盖所述半导体基板的表面的表面电极；覆盖所述表面电极的表面的一部分的绝缘保护膜；以及对横跨从所述绝缘保护膜的表面至所述表面电极的表面的范围进行覆盖的焊接用金属膜。所述表面电极具有：配置在所述半导体基板上的第一金属膜；与所述第一金属膜的表面接触且具有比所述第一金属膜更高的拉伸强度的第二金属膜；以及第三金属膜，其与所述第二金属膜的表面接触，具有与所述第二金属膜相比较低而与所述第一金属膜相比较高的拉伸强度。
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公开(公告)号：CN109983565A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201880004460.8
申请日：2018-01-23
Applicant: 株式会社电装
Inventor： 米田秀司
IPC: H01L21/336 , H01L21/66 , H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L29/739 , H01L29/78
Abstract: 半导体装置具备：作为漂移层(12)的半导体基板(11)；基极层(13)；多个沟槽(14)；发射极区域(15)；发射极电极(20)；集电极层(30)；集电极电极(31)；产生反转层的主栅极电极(18a)及不使所述反转层产生的伪栅极电极(18b)；共用的栅极焊盘(21a)；第一元件(24、33)，形成于所述伪栅极电极与所述栅极焊盘之间，若施加第一电压，则断开导通或限制导通，若施加极性相反的第二电压，则允许导通；以及第二元件(25、34)，形成于所述发射极电极与所述伪栅极电极以及所述第一元件的连接点之间，若施加所述第一电压则允许导通，若施加所述第二电压则断开导通或限制导通。
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