公开(公告)号：CN108346700B

公开(公告)日：2021-10-12

申请号：CN201810067250.5

申请日：2018-01-23

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 久野敬史 ,  津间博基 ,  桑野聪 ,  添野明高 ,  金丸俊隆 ,  桥本健太 ,  柿本规行 ,  米田秀司

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其能够抑制表面电极的裂纹并且减轻半导体基板的应力。该半导体装置具有：半导体基板；覆盖所述半导体基板的表面的表面电极；覆盖所述表面电极的表面的一部分的绝缘保护膜；以及对横跨从所述绝缘保护膜的表面至所述表面电极的表面的范围进行覆盖的焊接用金属膜。所述表面电极具有：配置在所述半导体基板上的第一金属膜；与所述第一金属膜的表面接触且具有比所述第一金属膜更高的拉伸强度的第二金属膜；以及第三金属膜，其与所述第二金属膜的表面接触，具有与所述第二金属膜相比较低而与所述第一金属膜相比较高的拉伸强度。

公开(公告)号：CN108346700A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201810067250.5

申请日：2018-01-23

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 久野敬史 ,  津间博基 ,  桑野聪 ,  添野明高 ,  金丸俊隆 ,  桥本健太 ,  柿本规行 ,  米田秀司

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/41708 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/32133 ,  H01L23/3171 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2924/3512

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其能够抑制表面电极的裂纹并且减轻半导体基板的应力。该半导体装置具有：半导体基板；覆盖所述半导体基板的表面的表面电极；覆盖所述表面电极的表面的一部分的绝缘保护膜；以及对横跨从所述绝缘保护膜的表面至所述表面电极的表面的范围进行覆盖的焊接用金属膜。所述表面电极具有：配置在所述半导体基板上的第一金属膜；与所述第一金属膜的表面接触且具有比所述第一金属膜更高的拉伸强度的第二金属膜；以及第三金属膜，其与所述第二金属膜的表面接触，具有与所述第二金属膜相比较低而与所述第一金属膜相比较高的拉伸强度。

公开(公告)号：CN116230646A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202211540672.2

申请日：2022-12-02

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社

Inventor： 植茶雅史 ,  南云裕司 ,  津间博基 ,  熊泽辉显

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/78

Abstract: 一种半导体器件，包括半导体衬底(1)、端部区(130)和有源区(110)。所述端部区位于所述半导体衬底的上方，具有框架形状，并且在划线处理中与刀片接触。所述有源区被所述端部区包围并且被配置为用作主电流的路径。所述端部区在所述端部区的最外表面上具有应力松弛膜(20)。

公开(公告)号：CN116266533A

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN202211607496.X

申请日：2022-12-14

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社

Inventor： 南云裕司 ,  植茶雅史 ,  津间博基 ,  熊泽辉显

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/78 ,  H01L21/04 ,  H01L21/335 ,  H01L21/336 ,  B24B1/00 ,  B28D5/00

Abstract: 在半导体器件的制造方法中，制备由比硅硬的半导体材料制成的并且具有彼此相反的第一表面(30a)和第二表面(30b)的半导体晶圆，通过研磨半导体晶圆的第二表面形成粗化层(32)，将刀片按压粗化层以在半导体晶圆的表面层中形成竖直裂纹(C)，在形成竖直裂纹后去除粗化层，在半导体晶圆的形成竖直裂纹的后表面(30c)上形成后表面电极(33)，以及在形成后表面电极后，按压半导体晶圆的第一表面并以竖直裂纹为起始点将半导体晶圆裂开成多片。

公开(公告)号：CN116130416A

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202211382946.X

申请日：2022-11-07

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社

Inventor： 津间博基 ,  南云裕司 ,  植茶雅史 ,  熊泽辉显

IPC: H01L21/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 碳化硅半导体装置包括碳化硅半导体层(2)和侧硅化物层(42)。碳化硅半导体层包括碳化硅单晶，并且具有主表面(2a)、与主表面相反的后表面(2b)以及连接主表面与后表面并由解理面形成的侧表面(2c)。碳化硅半导体层还包括改性层(21)。改性层形成侧表面的位于后表面附近的一部分，并且具有与碳化硅单晶的原子排列结构不同的碳化硅原子排列结构。侧硅化物层包括金属硅化物，其是金属元素和硅的化合物。侧硅化物层设置在碳化硅半导体层的侧表面上并且与改性层相邻。

公开(公告)号：CN115588617A

公开(公告)日：2023-01-10

申请号：CN202210786074.7

申请日：2022-07-04

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社

Inventor： 津间博基 ,  岩桥洋平 ,  植茶雅史

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423

Abstract: 一种制造碳化硅半导体器件的方法，包括形成电极和形成栅极布线。所述电极形成为通过第一接触孔电连接到包括在半导体衬底中的基极层和杂质区。栅极布线形成为通过第二接触孔电连接到连接布线，并且由能够使氧化膜脱氧的材料制成。通过在栅极布线的形成中或在栅极布线的形成之后对栅极布线进行热处理，对连接布线上形成的氧化膜进行脱氧以将氧从氧化膜去除而进入栅极布线中以去除氧化膜。

公开(公告)号：CN115472695A

公开(公告)日：2022-12-13

申请号：CN202210649128.5

申请日：2022-06-09

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社

Inventor： 津间博基

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/49 ,  H01L29/423 ,  C22C21/02 ,  C22C21/08

Abstract: 铝合金膜包括Al‑Si‑Mg合金膜，该Al‑Si‑Mg合金膜含有至少0.9重量％至1.1重量％的Si和0.1重量％至2.3重量％的Mg，并且该Al‑Si‑Mg合金膜在Al晶体中含有硅化镁晶体。半导体器件包括栅极沟槽结构、覆盖沟槽栅极结构的层间绝缘膜(6)、覆盖层间绝缘膜的电极膜(7)、绝缘层(8)和覆盖电极膜的导电层(9)。电极膜包括Al‑Si‑Mg合金膜。