半导体器件
    1.
    发明公开
    半导体器件 审中-实审

    公开(公告)号:CN115621239A

    公开(公告)日:2023-01-17

    申请号:CN202210831301.3

    申请日:2022-07-14

    Abstract: 在一种半导体器件中,第一布线构件与布置在半导体元件的第一表面上的第一主电极电连接,且第二布线构件与布置在半导体元件的第二表面上的第二主电极电连接。封装体封装第一布线构件的至少一部分、第二布线构件的至少一部分、半导体元件和键合线。半导体元件具有在半导体衬底的第一表面上的保护膜,且焊盘具有从保护膜的开口暴露的暴露表面。暴露表面包括与键合线连接的连接区域,以及连接区域周边上的周边区域。周边区域具有限定相对于连接区域的表面成90度或更小的角度的表面。

    半导体装置
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112753101B

    公开(公告)日:2023-12-08

    申请号:CN201980063390.8

    申请日:2019-09-02

    Abstract: 半导体装置具备:半导体芯片(12),在SiC基板中形成有元件,在一面及背面分别形成有主电极;配置在一面侧的第1散热片(16)及配置在背面侧的第2散热片(24);接线部(20),介于第2散热片与半导体芯片之间,将背面侧的主电极和第2散热片电中继;以及接合部件(18、22、26),分别配置在一面侧的主电极与第1散热片之间、背面侧的主电极与接线部之间、接线部与第2散热片之间。接线部在板厚方向上层叠有多种金属层(20a、20b、20c、20d),至少与板厚方向正交的方向的线膨胀系数被设为比半导体芯片大且比第2散热片小的范围内;在接线部中,多种金属层在

    半导体装置
    4.
    发明公开
    半导体装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN116134164A

    公开(公告)日:2023-05-16

    申请号:CN202180060389.7

    申请日:2021-06-14

    Abstract: 半导体装置具备:半导体芯片(30),在SiC衬底中形成有元件;热沉(40、50)及接线端(60),是以夹着半导体芯片(30)的方式配置的散热部件;以及焊料(90、91、92),介于半导体芯片与散热部件之间而形成接合部。焊料(90、91)是以下的合金组分的无铅焊料:以3.2~3.8质量%包含Ag,以0.6~0.8质量%包含Cu,以0.01~0.2质量%包含Ni;并且,如果设Sb的含量为x质量%,设Bi的含量为y质量%,则以满足x+2y≤11质量%、x+14y≤42质量%及x≥5.1质量%的方式包含Sb和Bi;进而,以0.001~0.3质量%包含Co,以0.001~0.2质量%包含P;其余部分由Sn构成。

    模塑封装
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106415825B

    公开(公告)日:2019-04-19

    申请号:CN201580005263.4

    申请日:2015-01-09

    Abstract: 提供一种模塑封装,具备:基板(10),由树脂构成,该基板(10)的第一面(11)和第二面(12)处于表面板面和背面板面的关系;电子零件(20、21),搭载于基板(10)的第一面(11);以及模塑树脂(30),设于基板(10)的第一面(11),将基板(10)的第一面(11)与电子零件(20、21)一起封固。基板(10)的第二面(12)从模塑树脂(30)露出。模塑树脂(30)以将封固部(1a)封固并使露出部(1b)露出的方式配置于基板(10)的第一面(11)。模塑树脂(30)的侧面(31、32)包括端部侧面(31)和边界部侧面(32)。边界部侧面(32)之中,与第一面(11)接触的下端部(32a)侧的部位是倾斜面,该倾斜面以相对于第一面(11)的第一倾斜角为锐角的方式相对于第一面(11)倾斜,边界部侧面(32)之中,上端部(32b)侧的部位是相对于第一面(11)的第二倾斜角大于上述第一倾斜角且在90度以下的面。

    半导体装置
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112753101A

    公开(公告)日:2021-05-04

    申请号:CN201980063390.8

    申请日:2019-09-02

    Abstract: 半导体装置具备:半导体芯片(12),在SiC基板中形成有元件,在一面及背面分别形成有主电极;配置在一面侧的第1散热片(16)及配置在背面侧的第2散热片(24);接线部(20),介于第2散热片与半导体芯片之间,将背面侧的主电极和第2散热片电中继;以及接合部件(18、22、26),分别配置在一面侧的主电极与第1散热片之间、背面侧的主电极与接线部之间、接线部与第2散热片之间。接线部在板厚方向上层叠有多种金属层(20a、20b、20c、20d),至少与板厚方向正交的方向的线膨胀系数被设为比半导体芯片大且比第2散热片小的范围内;在接线部中,多种金属层在板厚方向上对称配置。

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