公开(公告)号：CN101714525A

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200910146878.5

申请日：2009-06-17

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 杉山雅夫 ,  金子义之 ,  近藤由宪 ,  平泽贤齐

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/768 ,  H01L27/088 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/28518 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76819 ,  H01L23/485 ,  H01L23/53257 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体集成电路器件及其制造方法。在本发明的预金属工艺中，在蚀刻终止膜上形成臭氧TEOS膜后，对臭氧TEOS膜进行回蚀，以使栅极结构上的蚀刻终止膜暂时露出，然后，再在残存臭氧TEOS膜上形成等离子TEOS膜，并通过CMP法对所述等离子TEOS膜进行平坦化。本发明是适用于绝缘膜成膜的技术、特别是对预金属(Pre-Metal)层间绝缘膜的成膜等有效的技术。

公开(公告)号：CN101488501A

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200910000170.9

申请日：2009-01-14

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 藤井理子 ,  大林茂树 ,  森野直纯 ,  平岩笃 ,  渡会慎一 ,  吉田岳司 ,  越久和俊 ,  杉山雅夫 ,  近藤由宪 ,  江川雄一 ,  金子义之

IPC: H01L27/092 ,  H01L23/52 ,  H01L23/485

Abstract: 本发明提供一种在具有三重阱构造的半导体装置中可以提高制造成品率及产品可靠性的技术。本发明的半导体装置，在p型基板1内形成的深n型阱200内具备逆变器电路INV1，该逆变器电路INV1是由浅p型阱252内形成的n通道型场效应晶体管254n以及浅n型阱251内形成的p通道型场效应晶体管254p构成，且对于电路动作并无贡献，将浅p型阱252使用第1层配线253(M1)与基板1接线，将p通道型场效应晶体管254p的栅电极及n通道型场效应晶体管254n的栅电极使用最上层的配线255(M8)与浅n型阱251接线。