公开(公告)号：CN101714525A

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200910146878.5

申请日：2009-06-17

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 杉山雅夫 ,  金子义之 ,  近藤由宪 ,  平泽贤齐

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/768 ,  H01L27/088 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/28518 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76819 ,  H01L23/485 ,  H01L23/53257 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体集成电路器件及其制造方法。在本发明的预金属工艺中，在蚀刻终止膜上形成臭氧TEOS膜后，对臭氧TEOS膜进行回蚀，以使栅极结构上的蚀刻终止膜暂时露出，然后，再在残存臭氧TEOS膜上形成等离子TEOS膜，并通过CMP法对所述等离子TEOS膜进行平坦化。本发明是适用于绝缘膜成膜的技术、特别是对预金属(Pre-Metal)层间绝缘膜的成膜等有效的技术。