公开(公告)号：CN101604668B

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN200910133172.5

申请日：1998-12-09

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 下川英惠 ,  曾我太佐男 ,  奥平弘明 ,  石田寿治 ,  中冢哲也 ,  稻叶吉治 ,  西村朝雄

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/48 ,  H01L23/495 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H05K3/34

CPC classification number: H05K1/181 ,  B23K1/0016 ,  B23K35/004 ,  B23K35/007 ,  B23K35/262 ,  B23K2101/40 ,  H01L23/488 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/532 ,  H01L24/29 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/15747 ,  H05K3/3426 ,  H05K3/3463 ,  H05K2201/10909 ,  Y02P70/613 ,  Y10T29/49144 ,  Y10T29/49149 ,  Y10T29/49169 ,  Y10T428/12708 ,  Y10T428/12715 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种无Pb焊料连接结构和电子装置，该无Pb焊料连接结构具有足够高的连接强度，获得即使在随时间的推移的情况下仍保持稳定的界面，保持足够的浸润性和对纤维状结晶的抵抗性。特别是，无Pb焊料的特征在于：作为代表性的无Pb焊料的Sn-Ag-Bi与电极连接，该电极的表面上形成有Sn-Bi层。最好，按照重量百分比计，上述Sn-Bi层中的Bi浓度在1～20％的范围内，以便获得足够高的浸润性。当要求更加可靠的接缝时，在上述Sn-Bi层的下面形成Cu层，以便获得具有足够高的界面强度的连接部。

公开(公告)号：CN101604668A

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN200910133172.5

申请日：1998-12-09

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 下川英惠 ,  曾我太佐男 ,  奥平弘明 ,  石田寿治 ,  中冢哲也 ,  稻叶吉治 ,  西村朝雄

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/48 ,  H01L23/495 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H05K3/34

CPC classification number: H05K1/181 ,  B23K1/0016 ,  B23K35/004 ,  B23K35/007 ,  B23K35/262 ,  B23K2101/40 ,  H01L23/488 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/532 ,  H01L24/29 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/15747 ,  H05K3/3426 ,  H05K3/3463 ,  H05K2201/10909 ,  Y02P70/613 ,  Y10T29/49144 ,  Y10T29/49149 ,  Y10T29/49169 ,  Y10T428/12708 ,  Y10T428/12715 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种无Pb焊料连接结构和电子装置，该无Pb焊料连接结构具有足够高的连接强度，获得即使在随时间的推移的情况下仍保持稳定的界面，保持足够的浸润性和对纤维状结晶的抵抗性。特别是，无Pb焊料的特征在于：作为代表性的无Pb焊料的Sn－Ag－Bi与电极连接，该电极的表面上形成有Sn－Bi层。最好，按照重量百分比计，上述Sn－Bi层中的Bi浓度在1～20％的范围内，以便获得足够高的浸润性。当要求更加可靠的接缝时，在上述Sn－Bi层的下面形成Cu层，以便获得具有足够高的界面强度的连接部。

公开(公告)号：CN100419978C

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN98809718.4

申请日：1998-06-12

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 永井晃 ,  上野巧 ,  赤星晴夫 ,  江口州志 ,  荻野雅彦 ,  佐藤俊也 ,  西村朝雄 ,  安生一郎

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L23/3157 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02125 ,  H01L2224/02145 ,  H01L2224/0236 ,  H01L2224/02377 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/14153 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置具有：形成了集成电路的半导体元件；在该半导体元件的集成电路形成面一侧形成的多个电极焊区；通过导体层导电性地连接到该电极焊区上的外部连接用的凸点电极；以及在该集成电路形成面与该电极焊区和该凸点电极与该导体层之间形成的、粘接到这些部分上的应力缓和层，从该应力缓和层的表面起将该应力缓和层切除3分之1以上，将该应力缓和层分割为多个区域。按照本发明，能以低成本提供可靠性良好、能实现高密度安装的半导体装置。

公开(公告)号：CN1897789B

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN200610101633.7

申请日：1998-12-09

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 下川英惠 ,  曾我太佐男 ,  奥平弘明 ,  石田寿治 ,  中冢哲也 ,  稻叶吉治 ,  西村朝雄

IPC: H05K1/09 ,  H01L23/482

CPC classification number: H05K1/181 ,  B23K1/0016 ,  B23K35/004 ,  B23K35/007 ,  B23K35/262 ,  B23K2101/40 ,  H01L23/488 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/532 ,  H01L24/29 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/15747 ,  H05K3/3426 ,  H05K3/3463 ,  H05K2201/10909 ,  Y02P70/613 ,  Y10T29/49144 ,  Y10T29/49149 ,  Y10T29/49169 ,  Y10T428/12708 ,  Y10T428/12715 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种无Pb焊料连接结构和半导体装置，该无Pb焊料连接结构具有足够高的连接强度，获得即使在随时间的推移的情况下仍保持稳定的界面，保持足够的浸润性和对纤维状结晶的抵抗性。特别是，无Pb焊料的特征在于：作为代表性的无Pb焊料的Sn-Ag-Bi与电极连接，该电极的表面上形成有Sn-Bi层。最好，按照重量百分比计，上述Sn-Bi层中的Bi浓度在1～20％的范围内，以便获得足够高的浸润性。当要求更加可靠的接缝时，在上述Sn-Bi层的下面形成Cu层，以便获得具有足够高的界面强度的连接部。