公开(公告)号：CN1269224C

公开(公告)日：2006-08-09

申请号：CN03178631.6

申请日：2003-07-17

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 前田茂伸 ,  前川繁登 ,  松本拓治

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78615 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78687 ,  H01L29/78696

Abstract: 提供一种作为形成于半导体基片上的半导体装置，可有效利用半导体基片特长的半导体装置及其制造方法。在使支持基片(1)的晶向 与SOI层(3)的晶向 相一致而形成的SOI基片上，形成包含P型本体层(3a)的N沟道MOS晶体管和与P型本体层(3a)接触的本体电压施加用P型有源层(6)。连接P型本体层(3a)与本体电压施加用P型有源层(6)的通路与SOI层(3)的晶向 平行配置。由于在晶向 空穴的移动度较大，因而可减小上述通路中的寄生电阻Ra、Rb。这样，对P型本体层(3a)的电压传输可较快进行，P型本体层(3a)中电压的固定能力得到提高。

公开(公告)号：CN1497669A

公开(公告)日：2004-05-19

申请号：CN03152291.2

申请日：2003-07-30

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 岩松俊明 ,  前田茂伸

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/76243 ,  H01L21/02027 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/68 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/76256 ,  H01L23/544 ,  H01L29/045 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78696 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2223/54493 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供可使MOS晶体管的电流驱动力充分提高的半导体晶片及其制造方法。在构成SOI层(32)的形成基体的SOI层用晶片上形成结晶方位 的切口(32a)和结晶方位 的切口(32b)，在切口(32a)和支持基板侧晶片1的结晶方位 的切口(1a)相互一致对准的状态下贴合两晶片。由于在SOI层用晶片上再形成切口32b，在一边把切口32a和切口1a用于位置对合、一边进行两晶片贴合时，将切口32b嵌合于半导体晶片制造装置的导向部分上，可以防止因晶片间的转动产生的位置偏移。这样一来，使两晶片中的结晶方位不同，从而可以在半导体晶片上形成使电流驱动力充分提高的MOS晶体管。

公开(公告)号：CN1819272A

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN200510137731.1

申请日：2003-07-17

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 前田茂伸 ,  前川繁登 ,  松本拓治

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78615 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78687 ,  H01L29/78696

Abstract: 提供一种作为形成于半导体基片上的半导体装置，可有效利用半导体基片特长的半导体装置及其制造方法。在使支持基片(1)的晶向 与SOI层(3)的晶向 相一致而形成的SOI基片上，形成包含P型本体层(3a)的N沟道MOS晶体管和与P型本体层(3a)接触的本体电压施加用P型有源层(6)。连接P型本体层(3a)与本体电压施加用P型有源层(6)的通路与SOI层(3)的晶向 平行配置。由于在晶向 空穴的移动度较大，因而可减小上述通路中的寄生电阻Ra、Rb。这样，对P型本体层(3a)的电压传输可较快进行，P型本体层(3a)中电压的固定能力得到提高。

公开(公告)号：CN1497739A

公开(公告)日：2004-05-19

申请号：CN03178631.6

申请日：2003-07-17

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 前田茂伸 ,  前川繁登 ,  松本拓治

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78615 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78687 ,  H01L29/78696

Abstract: 提供一种作为形成于半导体基片上的半导体装置，可有效利用半导体基片特长的半导体装置及其制造方法。在使支持基片1的结晶方位 与SOI层3的结晶方位 相一致而形成的SOI基片上，形成包含P型本体层3a的N沟道MOS晶体管和与P型本体层3a接触的本体电压施加用P型活性层6。连接P型本体层3a与本体电压施加用P型活性层6的经路与SOI层3的结晶方位 平行配置。由于在结晶方位 空穴的移动度较大，因而可减小上述经路中的寄生电阻Ra、Rb。这样，对P型本体层3a的电压传输可较快进行，P型本体层3a中电压的固定能力得到提高。