公开(公告)号：CN1574298A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410037992.1

申请日：2004-05-14

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 佐藤英纪 ,  冈崎勉

IPC: H01L21/8247 ,  H01L21/336 ,  H01L27/115 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的制造方法和半导体器件。提供在具有使用氮化膜作为电荷存储层的非易失性存储器的半导体器件中可以提高可靠性，特别是可以提高数据保持性的技术。在衬底(1)的第1区域上中间隔着栅极绝缘膜(3)地形成选择用nMISQnc的控制栅极电极(CG)，在第2区域上中间隔着绝缘膜(6b)，并使其含氢浓度小于或等于1020cm－3地形成存储器用nMISQnm的电荷存储层(CSL)，并在形成了绝缘膜(6t)之后，在第2区域上中间隔着绝缘膜(6b、6t)和电荷存储层(CSL)地形成存储器用nMISQnm的存储器栅极电极(MG)，向选择用nMISQnc和存储器用nMISQnm邻接的区域注入杂质，形成构成存储单元的漏极区域(Drm)和源极区域(Srm)的半导体区域(2a)。

公开(公告)号：CN100369239C

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200410037992.1

申请日：2004-05-14

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 佐藤英纪 ,  冈崎勉

IPC: H01L21/8247 ,  H01L21/336 ,  H01L27/115 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的制造方法和半导体器件。提供在具有使用氮化膜作为电荷存储层的非易失性存储器的半导体器件中可以提高可靠性，特别是可以提高数据保持性的技术。在衬底(1)的第1区域上中间隔着栅极绝缘膜(3)地形成选择用nMISQnc的控制栅极电极(CG)，在第2区域上中间隔着绝缘膜(6b)，并使其含氢浓度小于或等于1020cm-3地形成存储器用nMISQnm的电荷存储层(CSL)，并在形成了绝缘膜(6t)之后，在第2区域上中间隔着绝缘膜(6b、6t)和电荷存储层(CSL)地形成存储器用nMISQnm的存储器栅极电极(MG)，向选择用nMISQnc和存储器用nMISQnm邻接的区域注入杂质，形成构成存储单元的漏极区域(Drm)和源极区域(Srm)的半导体区域(2a)。

公开(公告)号：CN1509497A

公开(公告)日：2004-06-30

申请号：CN02809932.X

申请日：2002-04-19

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 佐藤英纪 ,  一濑胜彦 ,  石井雪乃 ,  神保智子

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/3205 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/0217 ,  C23C16/345 ,  C23C16/452 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76897 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/10888 ,  H01L27/10894 ,  H01L29/518 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 淀积氮化硅膜中使用的CVD装置(100)变为热分解源气体的热壁炉(103)和晶片(1)表面上形成膜的小室(101)互相分开的构造。在小室(101)的上方，设有热分解源气体用的热壁炉(103)，在其外周，设置可将炉内设定到最高1200℃左右高温气氛的加热器(104)。通过配管(105)、(106)向热壁炉(103)供应的源气体，在该炉内预先分解，其分解成分送到小室(101)的载片台(102)上边，在晶片(1)表面形成膜。