公开(公告)号：CN1509497A

公开(公告)日：2004-06-30

申请号：CN02809932.X

申请日：2002-04-19

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 佐藤英纪 ,  一濑胜彦 ,  石井雪乃 ,  神保智子

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/3205 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/0217 ,  C23C16/345 ,  C23C16/452 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76897 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/10888 ,  H01L27/10894 ,  H01L29/518 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 淀积氮化硅膜中使用的CVD装置(100)变为热分解源气体的热壁炉(103)和晶片(1)表面上形成膜的小室(101)互相分开的构造。在小室(101)的上方，设有热分解源气体用的热壁炉(103)，在其外周，设置可将炉内设定到最高1200℃左右高温气氛的加热器(104)。通过配管(105)、(106)向热壁炉(103)供应的源气体，在该炉内预先分解，其分解成分送到小室(101)的载片台(102)上边，在晶片(1)表面形成膜。