公开(公告)号：CN111989421B

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN201980026113.X

申请日：2019-05-16

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 中村晃 ,  岩重央 ,  西圣也 ,  长岛英人 ,  铃木康司

IPC: C23C14/34

Abstract: 本发明的一个实施方式涉及的溅射靶材具有由金属材料构成的板状的靶材主体。所述靶材主体具有靶材部和基座部。所述靶材部包含溅射面。所述基座部包含位于所述溅射面的相反侧且硬度比所述溅射面高的冷却面、以及拉伸强度从所述冷却面向所述靶材部逐渐降低的梯度强度层。

公开(公告)号：CN114481058B

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202111281677.3

申请日：2021-11-01

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 铃木康司 ,  长岛英人 ,  田代征仁

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/34

Abstract: 本发明提供一种可抑制在被处理基板的外边缘部处的局部升温的溅射装置。本发明的溅射装置(SM)具有：将靶(2)和被处理基板(Sw)相对配置的真空室；以及挡板(5)，其在真空室内围绕靶和被处理基板之间的成膜空间(1a)；所述溅射装置上设置有对挡板进行冷却的冷却单元，挡板具有配置在被处理基板周围的第一挡板部(5a)，其具有使被处理基板面向成膜空间的第一开口轮廓，冷却单元具有第一冷媒通道(55)，其设置在第一挡板部上，并具有延伸到位于第一开口周围的第一挡板部的部分的通道部分(55a)。(51)，所述第一开口与该被处理基板具有同样的

公开(公告)号：CN113056572B

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN201980075427.9

申请日：2019-09-12

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 铃木康司 ,  长岛英人 ,  藤井佳词

IPC: C23C14/00 ,  C23C14/34 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供一种通过简单的结构就可冷却真空室内设置的可动防尘板的真空处理置。具有真空室(1)并对该真空室中安装的被处理基板(Sw)实施规定的真空处理的发明的真空处理装置(SM)，其特征在于：在真空室内设置防尘板(8)，防尘板由真室中固定配置的固定防尘板(81)和在一个方向上自由移动的可动防尘板(82)构成还具有：竖直设立在真空室的内壁面(13)上的金属材质的块体(9)；以及冷却块体冷却装置(11)，在对被成膜基板实施规定的真空处理的可动防尘板的处理位置上，体的顶表面(91)与可动防尘板接近或抵接。

公开(公告)号：CN113056572A

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN201980075427.9

申请日：2019-09-12

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 铃木康司 ,  长岛英人 ,  藤井佳词

IPC: C23C14/00 ,  C23C14/34 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供一种通过简单的结构就可冷却真空室内设置的可动防尘板的真空处理置。具有真空室(1)并对该真空室中安装的被处理基板(Sw)实施规定的真空处理的发明的真空处理装置(SM)，其特征在于：在真空室内设置防尘板(8)，防尘板由真室中固定配置的固定防尘板(81)和在一个方向上自由移动的可动防尘板(82)构成还具有：竖直设立在真空室的内壁面(13)上的金属材质的块体(9)；以及冷却块体冷却装置(11)，在对被成膜基板实施规定的真空处理的可动防尘板的处理位置上，体的顶表面(91)与可动防尘板接近或抵接。

公开(公告)号：CN111989421A

公开(公告)日：2020-11-24

申请号：CN201980026113.X

申请日：2019-05-16

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 中村晃 ,  岩重央 ,  西圣也 ,  长岛英人 ,  铃木康司

IPC: C23C14/34

Abstract: 本发明的一个实施方式涉及的溅射靶材具有由金属材料构成的板状的靶材主体。所述靶材主体具有靶材部和基座部。所述靶材部包含溅射面。所述基座部包含位于所述溅射面的相反侧且硬度比所述溅射面高的冷却面、以及拉伸强度从所述冷却面向所述靶材部逐渐降低的梯度强度层。

公开(公告)号：CN118048613A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202211401261.5

申请日：2022-11-09

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 铃木康司 ,  长岛英人 ,  原胜弥 ,  又贺秀辉

IPC: C23C14/35

Abstract: 本发明提供一种不损害从靶效率良好地带走热量的功能且能可靠地防止背板和磁铁单元之间的干扰的磁控溅射装置用的阴极单元。本发明的磁控溅射装置(SM)用的阴极单元(CU)，具有：背板(4)，其接合在以面向真空室(1)内的姿态设置的靶(3)的溅射面(3a)所背对的上侧；以及磁铁单元(5)，其留出间隔地配置在背板的上方；在背板内形成可流通冷媒的冷媒通道(43)；设置表面压力施加装置(7，8)，其从背板上方朝该背板的上外表面(42b)施加与在冷媒流通时施加在背板的上内表面(42a)上的压力(P1)同等的表面压力(P2)。

公开(公告)号：CN114481058A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202111281677.3

申请日：2021-11-01

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 铃木康司 ,  长岛英人 ,  田代征仁

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/34

Abstract: 本发明提供一种可抑制在被处理基板的外边缘部处的局部升温的溅射装置。本发明的溅射装置(SM)具有：将靶(2)和被处理基板(Sw)相对配置的真空室；以及挡板(5)，其在真空室内围绕靶和被处理基板之间的成膜空间(1a)；所述溅射装置上设置有对挡板进行冷却的冷却单元，挡板具有配置在被处理基板周围的第一挡板部(5a)，其具有使被处理基板面向成膜空间的第一开口(51)，所述第一开口与该被处理基板具有同样的轮廓，冷却单元具有第一冷媒通道(55)，其设置在第一挡板部上，并具有延伸到位于第一开口周围的第一挡板部的部分的通道部分(55a)。

公开(公告)号：CN107731657A

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201710670183.1

申请日：2017-08-08

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 邻嘉津彦 ,  铃木康司

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  C23C16/44

CPC classification number: H01L21/02521 ,  C23C16/44 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明涉及成膜方法及成膜装置。课题在于，提供对于形成于沟槽等内的膜而言不形成空隙地在沟槽等内埋入膜的成膜方法。本发明的一方式的成膜方法包括以下工序：通过在设置有具有底部和侧壁的沟槽或孔的基板的表面产生包含硅的成膜气体的等离子体，从而在上述底部及上述侧壁形成包含硅的第1半导体膜。形成于上述侧壁的上述第1半导体膜通过在上述基板的上述表面产生包含卤素的蚀刻气体的等离子体而被选择性除去。通过在上述基板的上述表面产生第1等离子体，从而在上述底部及上述侧壁形成第2半导体膜。

公开(公告)号：CN103620746A

公开(公告)日：2014-03-05

申请号：CN201280028713.8

申请日：2012-09-20

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 滨口纯一 ,  小平周司 ,  坂本勇太 ,  佐野昭文 ,  镰田恒吉 ,  门仓好之 ,  广石城司 ,  沼田幸展 ,  铃木康司

IPC: H01L21/3205 ,  C23C14/14 ,  C23C14/58 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L21/76882 ,  C23C14/024 ,  C23C14/046 ,  C23C14/14 ,  C23C14/16 ,  C23C14/34 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体装置的制造方法，具备：槽部形成工序，在基体形成槽部；阻挡层形成工序，形成至少覆盖所述槽部的内壁面的阻挡层；种子层形成工序，形成覆盖所述阻挡层的种子层；以及种子层熔化工序，通过回流法使所述种子层熔化，所述种子层由Cu构成。