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发明公开
溅射装置及成膜方法审中-实审

公开(公告)号：CN117587368A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202310913378.X

申请日：2023-07-25

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 早坂辽一路 , 藤长彻志 , 竹内将人 , 沼田幸展 , 半那拓

IPC: C23C14/35 , C23C14/06 , C23C14/54

Abstract: 本发明提供一种适于通过溅射法形成结晶缺陷少、结晶取向性良好的六方晶系结晶膜的溅射装置。具备配置有靶(31)的真空室(1)，具备运输单元(7)，其以在所述真空室内通过面对所述溅射面(31a)的Z轴方向上方的空间的方式沿X轴方向运输基板(Sg)。在所述靶的X轴方向前后，分别竖立设置沿Z轴方向延伸的限制板(6a，6b)，其具有与该靶的Y轴方向长度是相等以上的宽度，与成膜面(Sg1)所成角度为规定值以下倾斜入射的溅射粒子向基板的附着被限制板限制。

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