公开(公告)号：CN117587368A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202310913378.X

申请日：2023-07-25

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 早坂辽一路 ,  藤长彻志 ,  竹内将人 ,  沼田幸展 ,  半那拓

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  C23C14/54

Abstract: 本发明提供一种适于通过溅射法形成结晶缺陷少、结晶取向性良好的六方晶系结晶膜的溅射装置。具备配置有靶(31)的真空室(1)，具备运输单元(7)，其以在所述真空室内通过面对所述溅射面(31a)的Z轴方向上方的空间的方式沿X轴方向运输基板(Sg)。在所述靶的X轴方向前后，分别竖立设置沿Z轴方向延伸的限制板(6a，6b)，其具有与该靶的Y轴方向长度是相等以上的宽度，与成膜面(Sg1)所成角度为规定值以下倾斜入射的溅射粒子向基板的附着被限制板限制。

公开(公告)号：CN119948198A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202380066125.1

申请日：2023-06-29

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 谷野健太 ,  半那拓 ,  竹内将人 ,  手冢尚人

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C23C14/08 ,  H01L21/363 ,  H10D30/67

Abstract: 本发明实现了一种氧化物半导体薄膜形成用溅射靶及其制造方法、氧化物半导体薄膜、以及薄膜半导体装置及其制造方法，所述氧化物半导体薄膜形成用溅射靶能够形成适于同时实现高迁移率和高带隙的活性层的氧化物半导体薄膜。本发明提供一种氧化物半导体薄膜形成用溅射靶，其用于形成氧化物半导体薄膜，其由含有规定氧化物的氧化物烧结体构成，当将所述规定氧化物的元素比设为InXSnYGaVGeWZnZ时，X为0.4～0.8，Y为0～0.1，Z为0.2～0.6，且成为X+Y+Z＝1的范围，V/(V+W+X+Y+Z)为0.01以上0.22以下，且W/(V+W+X+Y+Z)为0.01以上0.06以下。

公开(公告)号：CN119866389A

公开(公告)日：2025-04-22

申请号：CN202380066128.5

申请日：2023-06-29

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 谷野健太 ,  半那拓 ,  竹内将人 ,  手冢尚人

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C23C14/08 ,  H01L21/363 ,  H10D30/67

Abstract: 本发明实现了一种氧化物半导体薄膜形成用溅射靶及其制造方法、氧化物半导体薄膜、以及薄膜半导体装置及其制造方法，所述氧化物半导体薄膜形成用溅射靶能够形成适于同时实现高迁移率和高带隙的活性层的氧化物半导体薄膜。本发明提供一种氧化物半导体薄膜形成用溅射靶，其用于形成氧化物半导体薄膜，其由含有规定氧化物的氧化物烧结体构成，当将所述规定氧化物的元素比设为InXSnYGewZnZ时，X为0.245～0.5，Y为0.1～0.3，Z为0.2～0.655，且成为X+Y+Z＝1的范围，W/(W+X+Y+Z)为0.01以上0.03以下。