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公开(公告)号：CN1983513A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200610064101.0
申请日：2006-12-15
Applicant: 株式会社液晶先端技术开发中心 , 株式会社岛津制作所
IPC: H01L21/00 , H01L21/20 , H01L21/268 , H01L21/336 , B23K26/00 , B23K26/06 , B23K26/08
CPC classification number: B23K26/043 , B23K26/04 , B23K26/0622 , B23K26/066 , B23K26/0853 , B23K2101/40 , H01L27/1285
Abstract: 提供一种具有高产量的激光结晶装置和结晶方法。具有预定光强度分布的激光照射至半导体膜上以熔化和结晶，其中以高定位精度非常快地定位照射位置，由此形成具有大晶粒尺寸的半导体膜。根据本发明的一个方面的激光结晶装置包括结晶激光光源(21)、调制激光以提供预定的光强度分布的移相器(24)，设置在基板(30)上的标记(35)，沿预定方向移动的基板固定台(40)，测量标记(35)通过预定位置的时间的标记测量装置(60)，以及根据该测量时间产生指示照射激光的触发信号的信号产生装置(70)。
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公开(公告)号：CN1983511A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200610064040.8
申请日：2006-12-15
Applicant: 株式会社液晶先端技术开发中心 , 株式会社岛津制作所
IPC: H01L21/00 , H01L21/20 , H01L21/268 , H01L21/336 , B23K26/00 , B23K26/06 , B23K26/08
CPC classification number: B23K26/04 , B23K26/043 , B23K26/0608 , B23K26/0622 , B23K26/0676 , H01L21/02686 , H01L21/2026
Abstract: 提供一种具有高产量的激光结晶装置和结晶方法。具有预定光强度分布的激光照射至半导体膜上以熔化和结晶，其中以高定位精度非常快地设置照射位置，由此形成具有大晶粒尺寸的半导体膜。根据本发明的一个方面的激光结晶装置包括结晶激光光源(21)、将脉冲激光调制为具有预定光强度分布的移相器(24)、准分子成像光学系统(26)、安装处理基板(30)且沿着预定方向连续移动的基板保持台(40)、位置测量装置(50)以及基于通过位置测量装置(50)测量的平台(40)的位置指示脉冲激光的产生的信号产生装置(60)。
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公开(公告)号：CN100433245C
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200510078817.1
申请日：2005-03-11
Applicant: 株式会社液晶先端技术开发中心
Inventor： 高见芳夫
Abstract: 本发明公开了一种激光结晶设备(1)，其能够以几μm的高空间分辨率和几纳秒的高瞬时分辨率进行观察，该设备包括用于将激光照射到设置在衬底(26)上的薄膜并熔化和结晶该薄膜的结晶光学系统(2)，所述激光结晶设备(1)包括：照明光源(31)，设置在激光的光学路径之外并发射照亮所述薄膜以便进行观察的照明光；照明光学系统(3)，包括环形光学元件(3A)，环形光学元件(3A)具有位于中心处的激光的光学路径，并将照明光沿所述光学路径从照明光源(31)引导至薄膜上；和观察光学系统(4)，用于显示包括薄膜的衬底(26)的放大图像。
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公开(公告)号：CN1315170C
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN03154879.2
申请日：2003-08-20
Applicant: 株式会社液晶先端技术开发中心
Inventor： 高见芳夫
CPC classification number: H01L21/02686 , C30B13/28 , G01N21/8422 , G01N2021/8477 , H01L21/2026 , H01L21/67115 , H01L21/67253 , H01L22/26 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种结晶化状态的原位置(in-situ)监测方法及装置，在能量束的照射区域中，对于从熔融变换到固化以及结晶化的位置能够进行监测，而且能将薄膜的结晶化状态，以高时间分辨率地、实时地进行正确监测。本发明结晶化状态的原位置(in-situ)监测方法，用于达成薄膜的结晶化以及结晶化促进的至少一方而进行能量束照射的激光退火处理，其特征在于，在前述能量线照射之前、中间以及之后的至少中间或之后，将用来监视前述薄膜的结晶化状态的监测光，直接地或透过前述衬底，对具有前述薄膜的表面以及背面的至少其中一面的预定面积的区域内的多个监测部位，同时进行照射，并且将来自前述监测光的前述薄膜的前述表面或前述背面的反射光以及透过光的至少一方的光强度的时间变化进行测量，作为与前述监视用部位处的位置相关联的光强分布。
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公开(公告)号：CN1574213A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410071430.9
申请日：2004-06-11
Applicant: 株式会社液晶先端技术开发中心
Inventor： 高见芳夫
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/02686 , B23K26/03 , B23K26/032 , H01L21/2026 , H01L27/1285 , H01L29/66757 , H01L29/78675 , H01L29/78678
Abstract: 在以高空间分辨率和高时间分辨率实时监视的同时，使一个半导体薄膜结晶的一种激光结晶装置(1)和方法。在一个包括用一束具有光强分布的脉冲激光照射一个半导体薄从而使该薄膜融化和以横向生长晶粒的方式结晶的结晶光学系统(20)的激光结晶装置(1)中，装置(1)包括一个位于激光光程之外的照明光源(42)，一个包括在中心部分提供激光光程并将照明光导引到薄膜(35)的环形光学元件(52、54)的照明光学系统(40)，和一个观察光学系统(60)，该观察光学系统(60)放大透过薄膜(35)透射的照明光，拾取正在横向生长的颗粒的一幅图象，并显示该图象。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1691278A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200510078817.1
申请日：2005-03-11
Applicant: 株式会社液晶先端技术开发中心
Inventor： 高见芳夫
Abstract: 本发明公开了一种激光结晶设备(1)，其能够以几μm的高空间分辨率和几纳秒的高瞬时分辨率进行观察，该设备包括用于将激光照射到设置在衬底(26)上的薄膜并熔化和结晶该薄膜的结晶光学系统(2)，所述激光结晶设备(1)包括：照明光源(31)，设置在激光的光学路径之外并发射照亮所述薄膜以便进行观察的照明光；照明光学系统(3)，包括环形光学元件(3A)，环形光学元件(3A)具有位于中心处的激光的光学路径，并将照明光沿所述光学路径从照明光源(31)引导至薄膜上；和观察光学系统(4)，用于显示包括薄膜的衬底(26)的放大图像。
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公开(公告)号：CN1649083A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN200410103671.7
申请日：2004-12-24
Applicant: 株式会社液晶先端技术开发中心
CPC classification number: B23K26/0861 , B23K26/04 , B23K26/066 , B23K2101/40 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/0268 , H01L21/02686 , Y10S117/90 , Y10T117/10 , Y10T117/1008
Abstract: 一种电子器件的制造方法，包括相对于结晶设备的衬底台(5)对经过处理的衬底(4)进行定位和用预先设置在经过处理的衬底上的用作参考物的至少一个定位标记(4a、4b)支撑它，向由衬底台支撑的经过处理的衬底的预定区域施加被调制光束并使该区域结晶，以及在用作为参考物的定位标记定位的经过处理的衬底的结晶区中形成至少一个电路元件。
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公开(公告)号：CN1487577A
公开(公告)日：2004-04-07
申请号：CN03154879.2
申请日：2003-08-20
Applicant: 株式会社液晶先端技术开发中心
Inventor： 高见芳夫
CPC classification number: H01L21/02686 , C30B13/28 , G01N21/8422 , G01N2021/8477 , H01L21/2026 , H01L21/67115 , H01L21/67253 , H01L22/26 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种结晶化状态的原位置(in－situ)监测方法及装置，在能量束的照射区域中，对于从熔融变换到固化以及结晶化的位置能够进行监测，而且能将薄膜的结晶化状态，以高时间分辨率地、实时地进行正确监测。本发明结晶化状态的原位置(in－situ)监测方法，用于达成薄膜的结晶化以及结晶化促进的至少一方而进行能量束照射的激光退火处理，其特征在于，在前述能量线照射之前、中间以及之后的至少中间或之后，将用来监视前述薄膜的结晶化状态的监测光，直接地或透过前述衬底，对具有前述薄膜的表面以及背面的至少其中一面的预定面积的区域内的多个监测部位，同时进行照射，并且将来自前述监测光的前述薄膜的前述表面或前述背面的反射光以及透过光的至少一方的光强度的时间变化进行测量，作为与前述监视用部位处的位置相关联的光强分布。
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公开(公告)号：CN101312116A
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200710163149.1
申请日：2007-10-10
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/268 , H01L21/20 , H01L21/336 , B23K26/00 , B23K26/06
CPC classification number: B23K26/0613 , B23K26/066 , H01L21/02381 , H01L21/02675 , Y10T117/1004
Abstract: 本发明提供一种结晶装置，在此结晶装置中，可以使转印到被处理基板上的由光调制元件或金属光圈所形成的光强度分布可视。此结晶装置具有紫外光照射系统以及可见光照射系统，此紫外光照射系统将紫外光区的激光束脉冲照射到被处理基板上，此可见光照射系统对被处理基板上的与紫外光区的激光束的照射区域相同的照射区域，连续照射可见光激光束。在因均匀地照射紫外光区的激光束而熔化的区域中，利用可见光激光束的光强度分布来形成晶体成长。结晶装置通过脉冲照射紫外光区的激光束来使被处理基板熔化，并通过连续地照射可见光激光束来使被处理基板结晶化，由此二种方式的组合，使进行结晶处理的激光束可视化。
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