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公开(公告)号：CN101201414B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200710165750.4
申请日：2007-11-06
Applicant: 株式会社液晶先端技术开发中心
IPC: G02B3/00 , G02B3/06 , G02B27/00 , H01L21/20 , H01L21/268
CPC classification number: G02B3/005 , G02B3/0062 , G02B3/06 , G02B27/0927 , G02B27/0961
Abstract: 一种光学装置以及利用该光学装置的结晶装置，所述光学装置包括：第一柱面透镜阵列(33a、34a)，其中设置多个第一透镜部分(L)，每个所述第一透镜部分具有第一曲率半径和第一宽度以便将激光分成多个光分量；以及多个第二透镜部分(S、S1、S2)，每个所述第二透镜部分具有第二曲率半径和第二宽度，并设置在第一柱面透镜阵列中的至少一个位置上以便将其设置在相邻的第一透镜部分(L)之间。
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公开(公告)号：CN101442000B
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN200810188143.4
申请日：2005-08-09
Applicant: 株式会社液晶先端技术开发中心
IPC: H01L21/268 , H01L21/20 , H01L23/544 , H01L29/786
Abstract: 本发明有助于将形成在非晶或者多晶膜(12)中的再结晶区域(21)的精确对准。在再结晶区域内形成对准标记(15)，该对准标记(15)在形成电子器件例如薄膜晶体管(98)的步骤中有用。此外，在从半导体膜获得大晶粒尺寸晶体相位半导体的步骤中，在相同的曝光步骤中，在该半导体膜上形成在随后的步骤中可用作对准标记的标记结构。因此，本发明包括光强调制结构(SP)和标记形成结构(MK)，该光强调制结构(SP)调制光并且形成用于结晶的光强分布，该标记形成结构(MK)调制光并且形成包括预定形状图案的光强分布，并且还形成表示结晶区上预定位置的标记。
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公开(公告)号：CN1929151B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200610084254.1
申请日：2006-05-30
Applicant: 株式会社液晶先端技术开发中心
IPC: H01L29/786 , H01L29/04 , H01L21/20 , H01L21/268 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78621 , H01L29/04 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L29/78675 , H01L29/78678
Abstract: 本发明的目的在于提供一种具有高迁移率并且迁移率或阈电压特性波动很小的薄膜晶体管。厚度小于50nm并且设置在绝缘衬底(1)上的非单晶半导体薄膜(3)用具有反峰构图光强分布的激光照射以在横向单向地生长晶体。因此，在晶体生长方向具有比宽度长的尺寸的带状晶粒(4)，在宽度方向彼此相邻地排列形成晶粒阵列(5)。形成TFT的源区(S)和漏区(D)，使得电流在包括该晶粒阵列(5)的多个晶粒(4)的区域内在所述晶体生长方向流过。
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公开(公告)号：CN101442000A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200810188143.4
申请日：2005-08-09
Applicant: 株式会社液晶先端技术开发中心
IPC: H01L21/268 , H01L21/20 , H01L23/544 , H01L29/786
Abstract: 本发明有助于将形成在非晶或者多晶膜(12)中的再结晶区域(21)的精确对准。在再结晶区域内形成对准标记(15)，该对准标记(15)在形成电子器件例如薄膜晶体管(98)的步骤中有用。此外，在从半导体膜获得大晶粒尺寸晶体相位半导体的步骤中，在相同的曝光步骤中，在该半导体膜上形成在随后的步骤中可用作对准标记的标记结构。因此，本发明包括光强调制结构(SP)和标记形成结构(MK)，该光强调制结构(SP)调制光并且形成用于结晶的光强分布，该标记形成结构(MK)调制光并且形成包括预定形状图案的光强分布，并且还形成表示结晶区上预定位置的标记。
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公开(公告)号：CN101441331A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200810188142.X
申请日：2005-08-09
Applicant: 株式会社液晶先端技术开发中心
IPC: G02F1/015 , G02F1/01 , H01L21/268 , H01L21/77 , H01L23/544 , H01L27/12 , H01L29/786
Abstract: 本发明有助于将形成在非晶或者多晶膜(12)中的再结晶区域(21)的精确对准。在再结晶区域内形成对准标记(15)，该对准标记(15)在形成电子器件例如薄膜晶体管(98)的步骤中有用。此外，在从半导体膜获得大晶粒尺寸晶体相位半导体的步骤中，在相同的曝光步骤中，在该半导体膜上形成在随后的步骤中可用作对准标记的标记结构。因此，本发明包括光强调制结构(SP)和标记形成结构(MK)，该光强调制结构(SP)调制光并且形成用于结晶的光强分布，该标记形成结构(MK)调制光并且形成包括预定形状图案的光强分布，并且还形成表示结晶区上预定位置的标记。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100485918C
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN03158509.4
申请日：2003-09-17
Applicant: 株式会社液晶先端技术开发中心
IPC: H01L23/52 , H01L21/768 , H01L21/28 , H01L21/283 , H01L29/786 , G02F1/136
CPC classification number: H01L29/4908 , H01L21/4846 , H01L23/498 , H01L27/12 , H01L29/42384 , H01L29/66757 , H01L29/78621 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
Abstract: 根据本发明的互连形成方法，包括：在绝缘膜(13)上形成金属扩散阻挡膜(14)的步骤；利用无电镀工艺在金属扩散阻挡膜(14)上选择性地形成金属晶种层(18)的步骤；利用电镀工艺在金属晶种层(18)上选择性地形成金属导电层(20)的步骤；以及利用金属导电层(20)作掩模刻蚀金属扩散阻挡膜(14)的步骤。
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公开(公告)号：CN100442440C
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN03104326.7
申请日：2003-01-30
Applicant: 株式会社液晶先端技术开发中心
IPC: H01L21/20 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/02678 , B23K26/06 , B23K26/066 , B23K2101/40 , C30B1/00 , C30B13/24 , C30B29/06 , H01L21/02691 , H01L21/2026 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008 , Y10T117/1016
Abstract: 一种在绝缘材料所构成的基层上形成结晶性良好的半导体薄膜的形成方法及半导体薄膜的形成装置。该半导体薄膜的形成装置包括：作为光源的受激准分子激光(excimer laser)1；使从该受激准分子激光1射出的光的光强度均匀分布的均匀器(homogenizer)3；以光强度分布经均匀器3均匀化后的光的振幅在光相对于非晶质基板9的相对运动方向增加的方式进行振幅调变的振幅调变光罩5；将振幅经振幅调变屏蔽5调变过的光，以可得到预定的照射能量的方式投射在形成于非晶质基板9上的非单晶半导体层10上的投射光学系6；将经过振幅调变过的光设为具有成为结晶生长的起点的光强度的光的移相器(phase shifter)8；以及使光与非晶质基板9相对运动而可进行X、Y方向扫描的基板台。
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公开(公告)号：CN100433245C
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200510078817.1
申请日：2005-03-11
Applicant: 株式会社液晶先端技术开发中心
Inventor： 高见芳夫
Abstract: 本发明公开了一种激光结晶设备(1)，其能够以几μm的高空间分辨率和几纳秒的高瞬时分辨率进行观察，该设备包括用于将激光照射到设置在衬底(26)上的薄膜并熔化和结晶该薄膜的结晶光学系统(2)，所述激光结晶设备(1)包括：照明光源(31)，设置在激光的光学路径之外并发射照亮所述薄膜以便进行观察的照明光；照明光学系统(3)，包括环形光学元件(3A)，环形光学元件(3A)具有位于中心处的激光的光学路径，并将照明光沿所述光学路径从照明光源(31)引导至薄膜上；和观察光学系统(4)，用于显示包括薄膜的衬底(26)的放大图像。
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公开(公告)号：CN100395866C
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200410063523.7
申请日：2004-07-09
Applicant: 株式会社液晶先端技术开发中心
Abstract: 本发明提供结晶装置、结晶方法。本发明的结晶装置具备照明光学系统(2)、以及将来自上述照明光学系统的光束调制成预定光强度分布的移相器(1)，将被光调制的光束照射至多晶半导体膜或非晶质半导体膜(4)来生成晶体半导体膜。上述照明光学系统(2)射出剖面为非圆形状的光束。还在照明光学系统和移相器之间设置回转机构(3)，用于使来自上述照明光学系统的光束和上述移相器以光束的光轴为中心而光学地相对回转。
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公开(公告)号：CN101101870A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200710096523.0
申请日：2003-10-31
Applicant: 株式会社液晶先端技术开发中心
IPC: H01L21/20 , H01L21/268 , H01L21/336 , B23K26/06 , G03F1/14 , G03F7/20
CPC classification number: H01L29/66757 , G03F7/00 , Y10T403/13
Abstract: 一种结晶装置，它包括：掩膜(1)；以及照明系统(2)，该照明系统(2)利用一光束照射该掩膜，照明系统发出的光透过该掩膜时变成具有呈反向峰值图案的光强度分布的光束，并照射一多晶半导体膜或一非晶态半导体膜，由此产生一晶化半导体膜。该掩膜(1)包括光吸收层(1c)，该吸收层(1c)具有与呈反向峰值图案的光强度分布相应的光吸收特性。
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