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公开(公告)号：CN100485918C
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN03158509.4
申请日：2003-09-17
Applicant: 株式会社液晶先端技术开发中心
IPC: H01L23/52 , H01L21/768 , H01L21/28 , H01L21/283 , H01L29/786 , G02F1/136
CPC classification number: H01L29/4908 , H01L21/4846 , H01L23/498 , H01L27/12 , H01L29/42384 , H01L29/66757 , H01L29/78621 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
Abstract: 根据本发明的互连形成方法，包括：在绝缘膜(13)上形成金属扩散阻挡膜(14)的步骤；利用无电镀工艺在金属扩散阻挡膜(14)上选择性地形成金属晶种层(18)的步骤；利用电镀工艺在金属晶种层(18)上选择性地形成金属导电层(20)的步骤；以及利用金属导电层(20)作掩模刻蚀金属扩散阻挡膜(14)的步骤。
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公开(公告)号：CN100343417C
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN03805505.8
申请日：2003-03-07
Applicant: 株式会社液晶先端技术开发中心
Inventor： 青森繁
IPC: C23C16/04 , C23C16/18 , C23C18/18 , H01L21/285
CPC classification number: C23C16/45525 , C23C16/047 , H01L21/28562 , H01L21/4846
Abstract: 本发明提供布线金属层的形成方法、选择性形成金属的方法、选择性形成金属的装置以及用以在积层板上的选择区域形成布线金属层的基板装置，包括有：在配置有积层板(103)的反应室(101)内导入有机金属分子气体，而在所述积层板上形成由所述有机金属分子所构成吸附分子层(105)的步骤1；在所述吸附分子层形成之后，使所述反应室内的有机金属分子气体浓度减少或排气的步骤2；对所述积层板上的选择区域进行光照射的步骤3；使在所述积层板上的选择区域外所形成的所述吸附分子层脱离所述积层板的步骤4；在所述选择区域中形成金属膜(110)的步骤5。
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公开(公告)号：CN1941325A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200610143773.0
申请日：2006-09-28
Applicant: 株式会社液晶先端技术开发中心
IPC: H01L21/768 , H01L21/321 , H01L21/00 , H01L23/522
CPC classification number: H01L21/76838 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/4908
Abstract: 一种形成布线结构的方法包括：在衬底(1)上形成金属层(6)，并且通过用从至少一个闪光管发射的光(103b)照射金属层来使金属层退火，由此生长金属层的晶粒。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1639383A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN03805505.8
申请日：2003-03-07
Applicant: 株式会社液晶先端技术开发中心
Inventor： 青森繁
IPC: C23C16/04 , C23C16/18 , C23C18/18 , H01L21/285
CPC classification number: C23C16/45525 , C23C16/047 , H01L21/28562 , H01L21/4846
Abstract: 本发明提供布线金属层的形成方法、选择性形成金属的方法、选择性形成金属的装置以及用以在积层板上的选择区域形成布线金属层的基板装置，包括有：在配置有积层板(103)的反应室(101)内导入有机金属分子气体，而在所述积层板上形成由所述有机金属分子所构成吸附分子层(105)的步骤1；在所述吸附分子层形成之后，使所述反应室内的有机金属分子气体浓度减少或排气的步骤2；对所述积层板上的选择区域进行光照射的步骤3；使在所述积层板上的选择区域外所形成的所述吸附分子层脱离所述积层板的步骤4；在所述选择区域中形成金属膜(110)的步骤5。
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公开(公告)号：CN101373736A
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200810135255.3
申请日：2003-09-17
Applicant: 株式会社液晶先端技术开发中心
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L29/4908 , H01L21/4846 , H01L23/498 , H01L27/12 , H01L29/42384 , H01L29/66757 , H01L29/78621 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
Abstract: 根据本发明的互连形成方法，包括：在绝缘膜(13)上形成金属扩散阻挡膜(14)的步骤；利用无电镀工艺在金属扩散阻挡膜(14)上选择性地形成金属晶种层(18)的步骤；利用电镀工艺在金属晶种层(18)上选择性地形成金属导电层(20)的步骤；以及利用金属导电层(20)作掩模刻蚀金属扩散阻挡膜(14)的步骤。
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公开(公告)号：CN1306588C
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN03131349.3
申请日：2003-05-14
Applicant: 株式会社液晶先端技术开发中心
Inventor： 青森繁
IPC: H01L21/768 , H01L21/3205 , H01L21/28 , G02F1/136
Abstract: 提供一种金属布线的形成方法。设构成在基板(51)上的形成了Cu布线图形(32)的选择区域的由TiN构成的布线图形(31)的材料的电负性为Xs。设构成没有形成Cu布线图形(32)的非选择区域的由SiO2构成的层间绝缘膜(29)的材料的电负性为Xn。设用于形成Cu布线图形(32)的有机金属材料的电负性为Xm。选择满足Xs≤Xn≤Xm的关系式的材料，通过有机金属材料的歧化反应来形成Cu布线图形(32)。
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公开(公告)号：CN1490872A
公开(公告)日：2004-04-21
申请号：CN03158509.4
申请日：2003-09-17
Applicant: 株式会社液晶先端技术开发中心
IPC: H01L23/52 , H01L21/768 , H01L21/28 , H01L21/283 , H01L29/786 , G02F1/136
CPC classification number: H01L29/4908 , H01L21/4846 , H01L23/498 , H01L27/12 , H01L29/42384 , H01L29/66757 , H01L29/78621 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
Abstract: 根据本发明的互连形成方法，包括：在绝缘膜(13)上形成金属扩散阻挡膜(14)的步骤；利用无电镀工艺在金属扩散阻挡膜(14)上选择性地形成金属晶种层(18)的步骤；利用电镀工艺在金属晶种层(18)上选择性地形成金属导电层(20)的步骤；以及利用金属导电层(20)作掩模刻蚀金属扩散阻挡膜(14)的步骤。
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公开(公告)号：CN1458682A
公开(公告)日：2003-11-26
申请号：CN03131349.3
申请日：2003-05-14
Applicant: 株式会社液晶先端技术开发中心
Inventor： 青森繁
IPC: H01L21/768 , H01L21/3205 , H01L21/28 , G02F1/136
Abstract: 提供一种金属布线的形成方法。设构成在基板(51)上的形成了Cu布线图形(32)的选择区域的由TiN构成的布线图形(31)的材料的电负度为Xs。设构成没有形成Cu布线图形(32)的非选择区域的由SiO2构成的层间绝缘膜(29)的材料的电负度为Xn。设用于形成Cu布线图形(32)的有机金属材料的电负度为Xm。选择满足Xs＜Xn＜Xm的关系式的材料，通过有机金属材料的歧化反应来形成Cu布线图形(32)。
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