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公开(公告)号：CN105593190A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201480053485.9
申请日：2014-09-26
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: C04B35/00 , H01L41/083 , H01L41/187 , H01L41/273 , H01L41/43
CPC classification number: H01L41/1873 , C04B35/495 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3286 , C04B2235/6025 , C04B2235/768 , H01L41/0471 , H01L41/0477 , H01L41/273 , H01L41/277 , H01L41/43
Abstract: 层叠烧结体1是将以Ni为主成分的内部电极3与压电陶瓷层交替层叠并烧结而成的。压电陶瓷层含有包含Nb、K、Na及Li的钙钛矿型化合物作为主成分，并且包含选自Nd及Dy中的至少一种元素M1和选自Ga及Al中的至少一种元素M2。在进行溶解处理而使其溶解的情况下，上述元素M2的含量相对于上述Nb 1摩尔份为0.071摩尔份以下。该层叠型压电陶瓷压电部件是在抑制Ni氧化的还原性气氛中将成为内部电极3的导电膜与成为压电陶瓷层的陶瓷生片共烧成而制作的，由此实现可靠性良好的层叠型压电陶瓷电子部件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN102197006B
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN200980142240.2
申请日：2009-04-30
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 川田慎一郎
IPC: H01L41/083 , C04B35/495 , H01L41/187 , H01L41/047 , H01L41/273
CPC classification number: H01L41/0471 , C04B35/495 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3248 , C04B2235/3251 , C04B2235/3262 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/3294 , C04B2235/6025 , C04B2235/652 , C04B2235/768 , C04B2235/85 , H01L41/0477 , H01L41/083 , H01L41/1873 , H01L41/273
Abstract: 本发明提供一种压电陶瓷组合物，内部电极(3)以Ni为主要成分，就压电陶瓷层而言，主要成分如通式{(1-x)(K1-a-bNaaLib)(Nb1-cTac)O3}-xM2M4O3)所示，并且，作为副成分，相对于主要成分100摩尔，含有2α摩尔的Na、(α+β)摩尔的M4′元素、及γ摩尔的Mn，所述α、β、及γ分别满足0.1≤α≤β、1≤α+β≤10、及0≤γ≤10。其中，M2为Ca、Ba、或/及Sr；M4元素及M4′元素为Zr、Sn、或/及Hf；x、a、b、c分别为0≤x≤0.06、0≤a≤0.9、0≤b≤0.1、0≤c≤0.3。由此，就算是内部电极材料使用Ni一同进行煅烧的情况，也不会产生极化不良，可获得良好的压电性能。
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公开(公告)号：CN101679122A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200880020291.3
申请日：2008-04-02
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 川田慎一郎
IPC: C04B35/00 , H01L41/083 , H01L41/18 , H01L41/22 , H01L41/24
CPC classification number: H01L41/273 , C04B35/495 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3248 , C04B2235/3262 , C04B2235/3279 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/6025 , C04B2235/652 , C04B2235/656 , H01L41/0471 , H01L41/0477 , H01L41/1873
Abstract: 本发明的压电瓷器组成物，其主成份用一般表达式{(1-x)(K 1-a-b Na a Li b )(Nb 1-c Ta c )O 3 -xM2M4 O 3 }(式中：M2为Ca、Ba或Sr，M4为Zr、Sn或Hf，0.005≤x≤0.1、0≤a≤0.9、0≤b≤0.1、1.0≤a+b≤0.9、0≤c≤0.3)表示，对于所述主成份100摩尔而言，在2～15摩尔的范围内包含Mn，而且对于所述主成份100摩尔而言，在0.1～5.0摩尔的范围内包含所述M4，最好含有Yb、In等特定稀土类元素。用该压电瓷器组成物形成陶瓷素体中的陶瓷层。这样，能够改善还原性气氛下烧结性，实现可以和Ni一起烧成的压电瓷器组成物及使用它的压电陶瓷电子部件。
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公开(公告)号：CN101374782A
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200680052978.6
申请日：2006-12-05
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: C04B35/00 , H01L41/187
CPC classification number: H01L41/187 , C04B35/495 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3234 , C04B2235/3248 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/3294 , C04B2235/6025 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/85
Abstract: 本发明提供一种压电陶瓷组合物，其以通式{(1－x)(K1－a－bNaaLib)m(Nb1－c－dTacSbd)O3－x(K1/4Na1/4M31/2)M4O3}表示，并且M3包含选自Yb、Y、In、Nd、Eu、Gd、Dy、Sm、Ho、Er、Tb及Lu中的至少一种金属元素，M4包含选自Ti、Zr及Sn中的至少一种金属元素，并且前述x、a、b、c、d、m分别满足0.001≤x≤0.1、0≤a≤0.9、0≤b≤0.3、0≤a+b≤0.9、0≤c≤0.5、0≤d≤0.1、0.7≤m≤1.3。由此就可以消除难烧结性而获得足够的所需的压电特性，并且能够以适于批量生产的程度确保足够的烧成温度范围，而且还可以抑制极化不良的产生而提高成品率。
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公开(公告)号：CN103958438B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201280056588.1
申请日：2012-11-21
Applicant: 株式会社村田制作所 , 国立研究开发法人物质·材料研究机构
IPC: C04B35/491 , H01L41/187 , H01L41/39
CPC classification number: H01L41/1876 , C01G23/003 , C01P2002/34 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/32 , C01P2006/10 , C04B35/491 , C04B35/493 , C04B35/6261 , C04B35/62645 , C04B35/653 , C04B2235/3201 , C04B2235/3251 , C04B2235/3255 , C04B2235/3279 , C04B2235/444 , C04B2235/5204 , C04B2235/528 , C04B2235/768 , C04B2235/77 , C04B2235/787 , H01L41/43
Abstract: 本发明提供作为具有钙钛矿结构的化合物而包含Pb(Ti，Zr)O3系化合物的压电取向陶瓷及其制造方法。本发明的压电取向陶瓷是包含具有钙钛矿结构的Pb(Ti，Zr)O3系化合物的压电取向陶瓷。该压电取向陶瓷是基于压电取向陶瓷的规定的截面的X射线衍射图样、利用Lotgering法计算出的取向度为0.64以上的高取向，且烧结密度为理论密度的85％以上的压电取向陶瓷。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103958438A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201280056588.1
申请日：2012-11-21
Applicant: 株式会社村田制作所 , 独立行政法人物质·材料研究机构
IPC: C04B35/491 , H01L41/187 , H01L41/39
CPC classification number: H01L41/1876 , C01G23/003 , C01P2002/34 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/32 , C01P2006/10 , C04B35/491 , C04B35/493 , C04B35/6261 , C04B35/62645 , C04B35/653 , C04B2235/3201 , C04B2235/3251 , C04B2235/3255 , C04B2235/3279 , C04B2235/444 , C04B2235/5204 , C04B2235/528 , C04B2235/768 , C04B2235/77 , C04B2235/787 , H01L41/43
Abstract: 本发明提供作为具有钙钛矿结构的化合物而包含Pb(Ti，Zr)O3系化合物的压电取向陶瓷及其制造方法。本发明的压电取向陶瓷是包含具有钙钛矿结构的Pb(Ti，Zr)O3系化合物的压电取向陶瓷。该压电取向陶瓷是基于压电取向陶瓷的规定的截面的X射线衍射图样、利用Lotgering法计算出的取向度为0.64以上的高取向，且烧结密度为理论密度的85％以上的压电取向陶瓷。
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公开(公告)号：CN101115694A
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200680004194.6
申请日：2006-04-12
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: C04B35/00 , C04B35/49 , H01L41/187
CPC classification number: H01L41/273 , C04B35/495 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3232 , C04B2235/3234 , C04B2235/3236 , C04B2235/3244 , C04B2235/3248 , C04B2235/3249 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/3294 , C04B2235/3298 , C04B2235/5409 , C04B2235/5445 , C04B2235/768 , C04B2235/79 , C04B2235/80 , H01L41/083 , H01L41/1873 , H01L41/43
Abstract: 本发明提供一种压电陶瓷组合物，主成分由通式{(1－x)(K1－a－bNaaLib)m(Nb1－c－dTacSbd)O3－xM1nM2O3}(M1为Ca、Sr或Ba，M2为Ti、Zr或Sn)表示，而且处于0.005≤x≤0.1，0≤a≤0.9，0≤b≤0.3，0≤a+b≤0.9，0≤c≤0.5，0≤d≤0.1，0.9≤m≤1.1及0.9≤n≤1.1的范围，并且相对于所述主成分100摩尔总计以0.1～10摩尔(优选1.5～10摩尔)含有选自In、Sc、Y、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Yb及Lu当中的至少一种特定元素。最好还添加有Mn、Ni、Fe、Zn、Cu或Mg。这样就可以在微小电场时及高电场时两种情况下都高效率地稳定地获得高的压电d常数。
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公开(公告)号：CN1968910A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200680000097.X
申请日：2006-03-28
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: C04B35/00 , H01L41/187
CPC classification number: H01L41/1873 , B32B2311/08 , C04B35/495 , C04B35/62665 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/3294 , C04B2235/3298 , C04B2235/656 , C04B2237/345 , C04B2237/408 , H01L41/083
Abstract: 主要组分具有通式{(1－x)(K1－a－bNaaLib)m(Nb1－c－dTacSbd)O3－x(M10.5Bi0.5)nM2O3}(其中M1为Ca，Sr或Ba，M2为Ti，Zr或Sn，0.005≤x≤0.5，0≤a≤0.9，0≤b≤0.3，0≤a+b≤0.9，0≤c≤0.5，0≤d≤0.1，0.9≤m≤1.1以及0.9≤n≤1.1)。以每100摩尔的主要组分计，包含总计为0.1到10摩尔(优选1.5到10摩尔)的选自由In，Sc，Y，Nd，Sm，Eu，Gd，Tb，Dy，Ho，Er，Yb和Lu组成的组中的至少一种特定元素。这可以以始终如一且高效的方式提供在非常低的电场和高电场中都可以具有所需的高压电d常数的压电陶瓷组合物和压电陶瓷电子部件。
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公开(公告)号：CN112689908A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201980059781.2
申请日：2019-09-17
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L41/187 , C04B35/468 , H01B3/12 , H01L41/047 , H01L41/083 , H01L41/09
Abstract: 一种压电层叠元件，具备多个压电体陶瓷层、形成在所述压电体陶瓷层间的内部电极、以及与所述内部电极电连接的外部电极，所述压电层叠元件的特征在于，所述压电体陶瓷层由以下的组成式表示，{Ba1‑xCaxO}mTiO2+αRe2O3+βMgO+γMnO[其中，Re2O3为从Y2O3、Gd2O3、Tb2O3、Dy2O3、Ho2O3、Er2O3、Yb2O3以及La2O3之中选择的至少一种以上，α、β以及γ表示摩尔比，并满足关系式(1)～(5)]，并且，相对于用于所述压电体陶瓷层的{Ba1‑xCaxO}TiO2原料中的100重量份的主成分，含有0.2重量份以上且0.8重量份以下的作为副成分的SiO2，所述压电体陶瓷层在一定方向上具有残留极化，所述内部电极包含镍、镍合金、铜或铜合金。
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公开(公告)号：CN105593190B
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201480053485.9
申请日：2014-09-26
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L41/083
CPC classification number: H01L41/1873 , C04B35/495 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3286 , C04B2235/6025 , C04B2235/768 , H01L41/0471 , H01L41/0477 , H01L41/273 , H01L41/277 , H01L41/43
Abstract: 层叠烧结体1是将以Ni为主成分的内部电极3与压电陶瓷层交替层叠并烧结而成的。压电陶瓷层含有包含Nb、K、Na及Li的钙钛矿型化合物作为主成分，并且包含选自Nd及Dy中的至少一种元素M1和选自Ga及Al中的至少一种元素M2。在进行溶解处理而使其溶解的情况下，上述元素M2的含量相对于上述Nb 1摩尔份为0.071摩尔份以下。该层叠型压电陶瓷压电部件是在抑制Ni氧化的还原性气氛中将成为内部电极3的导电膜与成为压电陶瓷层的陶瓷生片共烧成而制作的，由此实现可靠性良好的层叠型压电陶瓷电子部件及其制造方法。
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