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公开(公告)号：CN107667067A
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201680027941.1
申请日：2016-05-09
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 安蒂·伊霍拉 , 阿尔蒂·托尔凯利 , 维尔-佩卡·吕特克宁 , 马蒂·柳库
IPC: B81B3/00
Abstract: 本发明涉及一种微机械器件，其包括仅包含均质硅材料的多层微机械结构。器件层包括至少一转子和至少两个定子。来自转子和至少两个定子中的至少一些从器件层的第一表面至少部分地凹入至至少两个不同的凹入深度，并且来自转子和至少两个定子中的至少一些从器件层的第二表面至少部分地凹入至至少两个不同的凹入深度。
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公开(公告)号：CN107667067B
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201680027941.1
申请日：2016-05-09
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 安蒂·伊霍拉 , 阿尔蒂·托尔凯利 , 维尔-佩卡·吕特克宁 , 马蒂·柳库
IPC: G01P15/125 , B81B3/00
Abstract: 本发明涉及一种微机械器件，其包括仅包含均质硅材料的多层微机械结构。器件层包括至少一转子和至少两个定子。来自转子和至少两个定子中的至少一些从器件层的第一表面至少部分地凹入至至少两个不同的凹入深度，并且来自转子和至少两个定子中的至少一些从器件层的第二表面至少部分地凹入至至少两个不同的凹入深度。
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公开(公告)号：CN118790951A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410441108.8
申请日：2024-04-12
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明涉及微机电系统MEMS器件和制造MEMS器件的方法。该MEMS器件按从底部到顶部的顺序包括：处理层、第一电绝缘层、通过对沉积的多晶硅(poly‑Si)层进行图案化而形成的第一器件层、第二电绝缘层、通过对单晶硅(mono‑Si)层进行图案化而形成的第二器件层以及盖层。
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公开(公告)号：CN105229923A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201480029021.4
申请日：2014-05-16
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03H9/02448 , H03H3/0076 , H03H9/2447 , H03H2009/02291
Abstract: 一种用于制造具有变形元件的微机电弯曲共振器的方法，所述变形元件具有沿着弹簧轴延伸的细长本体。变形元件位于具有限定的标称n型掺杂浓度的半导体晶片上，使得在变形元件的弹簧轴与硅半导体晶片的晶轴之间形成晶体取向角。基于变形元件的在宽的温度范围内的总频率误差，晶体取向角与标称n型掺杂浓度的组合被调整至特定范围。该组合被最优化至一个范围，在该范围内，对材料性能上的变化的灵敏度也被最小化。
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公开(公告)号：CN105229923B
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201480029021.4
申请日：2014-05-16
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03H9/02448 , H03H3/0076 , H03H9/2447 , H03H2009/02291
Abstract: 一种用于制造具有变形元件的微机电弯曲共振器的方法，所述变形元件具有沿着弹簧轴延伸的细长本体。变形元件位于具有限定的标称n型掺杂浓度的半导体晶片上，使得在变形元件的弹簧轴与硅半导体晶片的晶轴之间形成晶体取向角。基于变形元件的在宽的温度范围内的总频率误差，晶体取向角与标称n型掺杂浓度的组合被调整至特定范围。该组合被最优化至一个范围，在该范围内，对材料性能上的变化的灵敏度也被最小化。
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