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公开(公告)号：CN108027241B
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN201680052573.6
申请日：2016-09-08
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 马库斯·林基奥
IPC: G01C19/5712 , B81B3/00
Abstract: 一种微机电装置结构包括支承结构晶片(310)。在支承结构晶片中的腔内形成腔电极(130)。腔电极形成从腔的基部朝向功能层(300)的突出结构，并且腔电极连接至限定电位。腔电极包括在支承结构晶片中的腔内的硅柱，该硅柱部分地或完全地被腔包围。可以使用一个或多个腔电极来调节在功能层内发生的振荡的频率。本发明还涉及一种调节在微机电装置的功能层中的基本上平面的能移动元件的机械振荡的频率的方法。
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公开(公告)号：CN105556242A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201480050415.8
申请日：2014-09-10
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: G01C19/5712 , G01C19/5755 , G01C19/5776
CPC classification number: G01C19/5712 , B81B7/02 , G01C19/5755 , G01C19/5776
Abstract: 提供了一种微机电陀螺仪结构，该微机电陀螺仪结构包括震动质量块、本体元件以及使震动质量块悬挂于本体元件的弹簧结构件。在主振荡中，震动质量块的至少一部分在平面外方向上振荡。第一导体被布置成与震动质量块一起移动，并且第二导体附接至本体元件。导体包括沿第一方向和第三方向延伸的相邻的表面。电压元件被布置成在第一表面与第二表面之间产生电势差并且由此在第二方向上引发静电力，该静电力是通过震动质量块的主振荡来调制的。
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公开(公告)号：CN105556242B
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201480050415.8
申请日：2014-09-10
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: G01C19/5712 , G01C19/5755 , G01C19/5776
CPC classification number: G01C19/5712 , B81B7/02 , G01C19/5755 , G01C19/5776
Abstract: 提供了一种微机电陀螺仪结构，该微机电陀螺仪结构包括震动质量块、本体元件以及使震动质量块悬挂于本体元件的弹簧结构件。在主振荡中，震动质量块的至少一部分在平面外方向上振荡。第一导体被布置成与震动质量块一起移动，并且第二导体附接至本体元件。导体包括沿第一方向和第三方向延伸的相邻的表面。电压元件被布置成在第一表面与第二表面之间产生电势差并且由此在第二方向上引发静电力，该静电力是通过震动质量块的主振荡来调制的。
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公开(公告)号：CN105229923B
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201480029021.4
申请日：2014-05-16
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03H9/02448 , H03H3/0076 , H03H9/2447 , H03H2009/02291
Abstract: 一种用于制造具有变形元件的微机电弯曲共振器的方法，所述变形元件具有沿着弹簧轴延伸的细长本体。变形元件位于具有限定的标称n型掺杂浓度的半导体晶片上，使得在变形元件的弹簧轴与硅半导体晶片的晶轴之间形成晶体取向角。基于变形元件的在宽的温度范围内的总频率误差，晶体取向角与标称n型掺杂浓度的组合被调整至特定范围。该组合被最优化至一个范围，在该范围内，对材料性能上的变化的灵敏度也被最小化。
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公开(公告)号：CN108027241A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201680052573.6
申请日：2016-09-08
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 马库斯·林基奥
IPC: G01C19/5712 , B81B3/00
CPC classification number: H03B5/30 , B81B3/0045 , G01C19/5712 , H03B2201/0208
Abstract: 一种微机电装置结构包括支承结构晶片(310)。在支承结构晶片中的腔内形成腔电极(130)。腔电极形成从腔的基部朝向功能层(300)的突出结构，并且腔电极连接至限定电位。腔电极包括在支承结构晶片中的腔内的硅柱，该硅柱部分地或完全地被腔包围。可以使用一个或多个腔电极来调节在功能层内发生的振荡的频率。
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公开(公告)号：CN105229923A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201480029021.4
申请日：2014-05-16
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03H9/02448 , H03H3/0076 , H03H9/2447 , H03H2009/02291
Abstract: 一种用于制造具有变形元件的微机电弯曲共振器的方法，所述变形元件具有沿着弹簧轴延伸的细长本体。变形元件位于具有限定的标称n型掺杂浓度的半导体晶片上，使得在变形元件的弹簧轴与硅半导体晶片的晶轴之间形成晶体取向角。基于变形元件的在宽的温度范围内的总频率误差，晶体取向角与标称n型掺杂浓度的组合被调整至特定范围。该组合被最优化至一个范围，在该范围内，对材料性能上的变化的灵敏度也被最小化。
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