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发明公开
MEMS器件和制造MEMS器件的方法审中-实审

公开(公告)号：CN118790951A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202410441108.8

申请日：2024-04-12

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 彼得里·基尔皮宁 , 马尔科·佩萨 , 安蒂·伊霍拉 , 阿尔蒂·托尔凯利

IPC: B81B7/02 , B81B7/00 , B81C1/00

Abstract: 本发明涉及微机电系统MEMS器件和制造MEMS器件的方法。该MEMS器件按从底部到顶部的顺序包括：处理层、第一电绝缘层、通过对沉积的多晶硅(poly‑Si)层进行图案化而形成的第一器件层、第二电绝缘层、通过对单晶硅(mono‑Si)层进行图案化而形成的第二器件层以及盖层。

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