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公开(公告)号：CN101907788B
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201010169297.6
申请日：2010-04-21
Applicant: 株式会社日立显示器 , 松下液晶显示器株式会社
CPC classification number: H01L22/32 , G02F1/1309 , G02F1/1339 , G02F1/136259 , G02F1/1368 , G02F2001/136254 , H01L27/124 , H01L27/3276
Abstract: 提供一种显示装置，无需减少从母TFT衬底取得TFT衬底的片数且无需增大各TFT衬底的外形，就可以进行TFT衬底的状态下的检查。在驱动液晶显示装置的端子的外侧形成检查用端子(101)，在配置在该TFT衬底(100)下侧的TFT衬底(100)上形成检查用布线(102)。由于形成了检查用布线(102)的区域是在下侧的TFT衬底(100)的端部与显示区域(10)之间形成了密封部件等的空间，所以不会实质上增大TFT衬底(100)。另外，由于不用另行形成检查布线区域(110)并废弃该部分，所以不会减少可以从一片母TFT衬底取得的TFT衬底(100)的片数。
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公开(公告)号：CN102163575B
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201110021240.6
申请日：2011-01-14
Applicant: 株式会社日本显示器 , 松下液晶显示器株式会社
IPC: H01L21/77 , H01L29/786 , H01L29/417 , G02F1/1362 , G02F1/1368 , G02F1/1333
CPC classification number: G02F1/133615
Abstract: 本发明提供了显示装置及显示装置的制造方法，所述制造方法制造的显示装置具有栅电极膜、第一电极膜及第二电极膜以及导电膜，所述导电膜与第一电极膜连接，由包括第一导电层及与第一导电层重叠而形成的第二导电层的导电层构成。所述显示装置的制造方法的特征在于，包括如下工序：形成第一电极膜和第二电极膜的电极膜形成工序；形成导电层使其与第一电极膜及第二电极膜连接的导电层形成工序；从导电层中除去规定区域以外的部分由此形成导电膜的导电膜形成工序，导电层形成工序包括：在第一电极膜及第二电极膜的上面分别形成第一导电层的第一导电层形成工序；和在第一导电层的上面形成第二导电层的第二导电层形成工序。
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公开(公告)号：CN1674229A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN200510000501.0
申请日：2005-01-07
Applicant: 株式会社日立显示器
CPC classification number: H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L27/3244 , H01L29/66757 , H01L29/78675
Abstract: 本发明提供一种多晶半导体膜制造方法及其装置和图像显示面板，通过一边对非晶半导体膜扫描激光光束一边照射来进行结晶化，从而防止形成多晶半导体膜时的照射光束内强度的突起分布的发生。在用于使进行照射的激光光束(13)内的光强度分布均匀的光学系统(5)～(8)中，设置将成为狗耳(16)的发生原因的由透镜边界产生的衍射光(17、18)除去的除去狗耳用滤光器(15)。由此，通过除去狗耳分布，不需要使激光光束(13)的光强度分布模糊，就能维持高能量效率的分布，提高处理能力。
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公开(公告)号：CN100375231C
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200410058669.2
申请日：2004-07-27
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: H01L21/00 , H01L21/20 , H01L21/324 , G02F1/136
CPC classification number: H01L21/02686 , G02F1/13454 , H01L21/02595 , H01L21/2026 , H01L27/1285 , H01L29/04 , H01L29/66757 , H01L29/78675
Abstract: 本发明提供了一种显示装置的制造方法，对于每个基板按顺序进行第一工序、第二工序及第三工序，该制造方法的特征在于具有：在上述第三工序中，将在上述第二工序中照射在后续于上述基板的其他基板(7)的激光(11)的能量密度，(1)在该基板的区域A测定的晶体粒径比在该基板的区域B测定的晶体粒径大时，调整得比照射该基板的上述激光(11)的能量密度低；(2)在粒径小时，调整得比照射该基板的上述激光(11)的能量密度高；(3)在相同时，保持成照射该基板的上述激光(11)的能量密度。
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公开(公告)号：CN101907788A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN201010169297.6
申请日：2010-04-21
Applicant: 株式会社日立显示器
CPC classification number: H01L22/32 , G02F1/1309 , G02F1/1339 , G02F1/136259 , G02F1/1368 , G02F2001/136254 , H01L27/124 , H01L27/3276
Abstract: 提供一种显示装置，无需减少从母TFT衬底取得TFT衬底的片数且无需增大各TFT衬底的外形，就可以进行TFT衬底的状态下的检查。在驱动液晶显示装置的端子的外侧形成检查用端子(101)，在配置在该TFT衬底(100)下侧的TFT衬底(100)上形成检查用布线(102)。由于形成了检查用布线(102)的区域是在下侧的TFT衬底(100)的端部与显示区域(10)之间形成了密封部件等的空间，所以不会实质上增大TFT衬底(100)。另外，由于不用另行形成检查布线区域(110)并废弃该部分，所以不会减少可以从一片母TFT衬底取得的TFT衬底(100)的片数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1610061A
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN200410059047.1
申请日：2004-07-29
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: H01L21/20 , H01L21/324 , H01L21/00 , H01L21/66 , H01L29/786 , G02F1/136
CPC classification number: H01L21/02686 , B23K26/066 , B23K26/0738 , H01L21/02678 , H01L21/2026 , H01L27/1285 , H01L29/66757 , H01L29/78675
Abstract: 提供一种半导体薄膜及其改性方法、评价方法和应用。在用激光退火法形成多晶态半导体的方法中，降低多晶态半导体膜的表面粗糙度。在激光退火装置的光学系统中设置透射率分布滤光器，将形成了非晶态硅半导体薄膜的基板上的扫描方向的照射光强度分布，控制成有高能量光强度侧的微晶阈值以上的能量区和只熔化表层的能量区的分布，通过应用于利用通常的线光束的受激准分子激光退火法、或相位移动条纹掩模法、或SLS法中，能降低用各种方法获得的多晶的表面突起的高度。
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公开(公告)号：CN100437906C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200410059047.1
申请日：2004-07-29
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: H01L21/20 , H01L21/324 , H01L21/00 , H01L21/66 , H01L29/786 , G02F1/136
CPC classification number: H01L21/02686 , B23K26/066 , B23K26/0738 , H01L21/02678 , H01L21/2026 , H01L27/1285 , H01L29/66757 , H01L29/78675
Abstract: 提供一种半导体薄膜及其改性方法、评价方法和应用。在用激光退火法形成多晶态半导体的方法中，降低多晶态半导体膜的表面粗糙度。在激光退火装置的光学系统中设置透射率分布滤光器，将形成了非晶态硅半导体薄膜的基板上的扫描方向的照射光强度分布，控制成有高能量光强度侧的微晶阈值以上的能量区和只熔化表层的能量区的分布，通过应用于利用通常的线光束的受激准分子激光退火法、或相位移动条纹掩模法、或SLS法中，能降低用各种方法获得的多晶的表面突起的高度。
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公开(公告)号：CN100357799C
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200510069975.0
申请日：2005-05-11
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: G02F1/133 , H01L21/027 , G03F7/20 , G09F9/00
CPC classification number: G02F1/133555 , G02F1/13439 , H01L27/12 , H01L27/124
Abstract: 本发明提供一种不增加成膜装置的成本，就能防止由透明导电膜的电池反应所引起的劣化的显示装置。所述显示装置包括：由以氧化铟为主要成分的透明导电膜形成的第1导电层、形成在上述第1导电层的上面的导电性的基底层、由以Al为主要成分的膜形成在上述基底层的上面的第2导电层、以及由与上述第2导电层相同的材料形成在上述第2导电层的上面的第3导电层。在上述第2导电层和上述第3导电层之间的界面上，晶界的位置不连续。另外，上述基底层，是以Mo、Ti、Ta中的任意一个为主要成分的膜。上述第3导电层，被用作反射电极。
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公开(公告)号：CN1295549C
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200410000160.2
申请日：2004-01-08
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: G02F1/133 , H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/28568 , G03G15/0131 , G03G15/1685 , G03G2215/0141 , H01L21/76843 , H01L21/76849 , H01L21/76856 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/66757 , H01L29/78603
Abstract: 本发明提供一种显示装置，目的在于防止在把铝系导电层用做与低温多晶硅接触的源极·漏极电极时的加热工序中铝元素向多晶硅层的扩散，并避免显示不良的发生。在本发明的显示装置中，把铝系导电层用做源极·漏极电极，在该铝系导电层和多晶硅层之间设置钼或钼合金层的阻挡层。在构成阻挡层的钼或钼合金层的表面上，设置在氮气氛下进行高速热处理(高速热退火)所形成的氮氧化钼膜。
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公开(公告)号：CN102163575A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201110021240.6
申请日：2011-01-14
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: H01L21/77 , H01L29/786 , H01L29/417 , G02F1/1362 , G02F1/1368 , G02F1/1333
CPC classification number: G02F1/133615
Abstract: 本发明提供了显示装置及显示装置的制造方法，所述制造方法制造的显示装置具有栅电极膜、第一电极膜及第二电极膜以及导电膜，所述导电膜与第一电极膜连接，由包括第一导电层及与第一导电层重叠而形成的第二导电层的导电层构成。所述显示装置的制造方法的特征在于，包括如下工序：形成第一电极膜和第二电极膜的电极膜形成工序；形成导电层使其与第一电极膜及第二电极膜连接的导电层形成工序；从导电层中除去规定区域以外的部分由此形成导电膜的导电膜形成工序，导电层形成工序包括：在第一电极膜及第二电极膜的上面分别形成第一导电层的第一导电层形成工序；和在第一导电层的上面形成第二导电层的第二导电层形成工序。
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