公开(公告)号：CN102026581A

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200980117559.X

申请日：2009-05-13

Applicant: 株式会社日立医疗器械

Inventor： 佐野秀造 ,  吉村保广 ,  永田达也 ,  深田慎 ,  佐光晓史

IPC: A61B8/00 ,  H04R19/00 ,  H04R31/00

CPC classification number: B06B1/0292 ,  A61B8/06 ,  A61B8/13 ,  A61B8/4455 ,  G01N29/2406 ,  Y10T29/49005

Abstract: 本发明涉及超声波探头及其制造方法和超声波诊断装置。本发明的超声波探头包括：cMUT芯片，其具有根据偏置电压而使电气机械耦合系数或者灵敏度变化的多个振动单元，用于发送接收超声波；导电层，其被成膜在所述cMUT芯片的超声波放射侧；声透镜，其被配置在所述cMUT芯片的超声波放射侧；绝缘层，其被成膜在所述声透镜的超声波放射侧的相反方向上；以及框体部，其收纳通过粘结剂将所述导电层和所述绝缘层粘结的所述cMUT芯片和所述声透镜，所述绝缘层，包括硅氧化物或者对二甲苯的至少一种，并且由用于防止所述粘结剂的溶剂向所述粘结剂部分浸透的材质形成。

公开(公告)号：CN102860045A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201180020499.7

申请日：2011-04-06

Applicant: 株式会社日立医疗器械

Inventor： 佐光晓史 ,  深田慎 ,  石田一成

IPC: H04R19/00 ,  A61B8/00 ,  H04R31/00

CPC classification number: B06B1/0292 ,  Y10T156/10

Abstract: 在本发明的超声波探头中，抑制衬里层和CMUT部的接合部分产生的热应力引起的CMUT部的翘曲，提高CMUT部与衬里层的粘合的耐久性。为此，具备：具有根据施加的偏置电压改变机电耦合系数或灵敏度的振动要素的CMUT部（20）；与CMUT部（20）的超声波发送面的背面侧粘合的衬里层（22）；隔着衬里层（22）与CMUT部（20）相对配置，抑制与衬里层（22）粘合的CMUT部（20）与衬里层（22）之间产生的热应力导致的CMUT部（20）的翘曲的热应力平衡部件（24）。

公开(公告)号：CN101878658A

公开(公告)日：2010-11-03

申请号：CN200880118441.4

申请日：2008-11-21

Applicant: 株式会社日立医疗器械

Inventor： 佐野秀造 ,  深田慎 ,  佐光晓史

IPC: H04R19/00 ,  A61B8/00 ,  G01N29/24

CPC classification number: G01N29/2406 ,  A61B8/06 ,  B06B1/0292 ,  G01N29/326 ,  G01N2291/044 ,  G01N2291/106

Abstract: 本发明提供一种超声波探头。其中，该超声波探头具备：cMUT芯片，其具有机电耦合系数或灵敏度根据偏置电压而变化的多个振动元件，并收发超声波；声学透镜，其设置在所述cMUT芯片的超声波收发侧；背衬层，其设置于所述cMUT芯片的与所述声学透镜相反一侧的面；和基板，其设置在所述背衬层和所述cMUT芯片之间，所述超声波探头还具备热应力抑制单元，所述热应力抑制单元抑制热应力，所述热应力是由所述基板和所述背衬层的温度变化引起的因线膨胀系数的差异所产生的。

公开(公告)号：CN102860045B

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201180020499.7

申请日：2011-04-06

Applicant: 株式会社日立医疗器械

Inventor： 佐光晓史 ,  深田慎 ,  石田一成

IPC: H04R19/00 ,  A61B8/00 ,  H04R31/00

CPC classification number: B06B1/0292 ,  Y10T156/10

Abstract: 在本发明的超声波探头中，抑制衬里层和CMUT部的接合部分产生的热应力引起的CMUT部的翘曲，提高CMUT部与衬里层的粘合的耐久性。为此，具备：具有根据施加的偏置电压改变机电耦合系数或灵敏度的振动要素的CMUT部（20）；与CMUT部（20）的超声波发送面的背面侧粘合的衬里层（22）；隔着衬里层（22）与CMUT部（20）相对配置，抑制与衬里层（22）粘合的CMUT部（20）与衬里层（22）之间产生的热应力导致的CMUT部（20）的翘曲的热应力平衡部件（24）。

公开(公告)号：CN101878658B

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN200880118441.4

申请日：2008-11-21

Applicant: 株式会社日立医疗器械

Inventor： 佐野秀造 ,  深田慎 ,  佐光晓史

IPC: H04R19/00 ,  A61B8/00 ,  G01N29/24

CPC classification number: G01N29/2406 ,  A61B8/06 ,  B06B1/0292 ,  G01N29/326 ,  G01N2291/044 ,  G01N2291/106

Abstract: 本发明提供一种超声波探头。其中，该超声波探头具备：cMUT芯片，其具有机电耦合系数或灵敏度根据偏置电压而变化的多个振动元件，并收发超声波；声学透镜，其设置在所述cMUT芯片的超声波收发侧；背衬层，其设置于所述cMUT芯片的与所述声学透镜相反一侧的面；和基板，其设置在所述背衬层和所述cMUT芯片之间，所述超声波探头还具备热应力抑制单元，所述热应力抑制单元抑制热应力，所述热应力是由所述基板和所述背衬层的温度变化引起的因线膨胀系数的差异所产生的。