公开(公告)号：CN1012217B

公开(公告)日：1991-03-27

申请号：CN89106647.0

申请日：1989-08-30

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 飞田朋之 ,  佐濑昭 ,  山本芳己 ,  田智

IPC: G01L13/06

CPC classification number: G01L19/146 ,  G01L9/0054 ,  G01L19/0076 ,  G01L19/147

Abstract: 半导体压力变换装置，其中与硅片相连的固定盘由两个彼此叠加在一起的构件构成，第一固定盘的纵向弹性模量与半导体膜片的纵向弹性模量明显不同，第一固定盘具有高的绝缘性，它的线膨胀系数近似等于半导体膜片的线膨胀系数，另一方面，制成第二固定盘的材料的纵向弹性模量和线膨胀系数近似等于半导体膜片的纵向弹性模量和线膨胀系数。

公开(公告)号：CN1040681A

公开(公告)日：1990-03-21

申请号：CN89106647.0

申请日：1989-08-30

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 飞田朋之 ,  佐濑昭 ,  山本芳己 ,  田智

IPC: G01L13/06

CPC classification number: G01L19/146 ,  G01L9/0054 ,  G01L19/0076 ,  G01L19/147

Abstract: 半导体压力变换装置，其中与硅片相连的固定盘由两个彼此叠加在一起的构件构成，第一固定盘的纵向弹性模量与半导体膜片的纵向弹性模量明显不同，第一固定盘具有高的绝缘性，它的线膨胀系数近似等于半导体膜片的线膨胀系数，另一方面，制成第二固定盘的材料的纵向弹性模量和线膨胀系数近似等于半导体膜片的纵向弹性模量和线膨胀系数。

公开(公告)号：CN1004948B

公开(公告)日：1989-08-02

申请号：CN86107205

申请日：1986-10-15

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 坪井信义 ,  渡部笃美 ,  佐藤美雄 ,  田智 ,  佐佐木宏

IPC: G11B7/007

CPC classification number: G11B7/006 ,  G11B7/125

Abstract: 确定光记录介质在被加热到第一温度以上之后受到冷却的第一状态的光点，和确定光记录介质在被加热到室温以上但不超过第一温度的第二温度之后受到冷却的第二状态的光点，即，两个光点照在光记录介质上，并处在其上的同一导轨中，其中通过控制每个光点的光点直径和/或它们的光强，在光记录介质上记录和消抹信号。

公开(公告)号：CN87100374A

公开(公告)日：1987-08-05

申请号：CN87100374

申请日：1987-01-19

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 田智 ,  佐藤美雄 ,  渡部笃美 ,  佐佐木宏 ,  坪井信义 ,  伊藤铁男 ,  宫本沼文 ,  小柳広明 ,  二瓶秀树 ,  峯邑法行

IPC: G11B7/00

CPC classification number: G06K7/14 ,  G11B7/0033 ,  G11B7/12 ,  G11B7/125

Abstract: 用于记录和/或读出信息的一维或二维排列的激光二极管陈列固定到一固定板下表面，其各激光二极管间距与其下方第一多透镜的各透镜间距相等。具有记录介质并可在X或Y方向移动的光学卡片固定于第一多透镜下方空间。在其下方对准每个激光二极管的空间位置排列第二多透镜的各个透镜，其下方排列与其各透镜对应的一维或二维排列的光敏器件。控制激光二极管发射光及读出记录信息的控制电路各自连接到激光二极管阵列和光敏器件。

公开(公告)号：CN1015133B

公开(公告)日：1991-12-18

申请号：CN88108847

申请日：1988-11-25

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 田智 ,  清水康司 ,  鹈饲征一

IPC: G01L13/04 ,  G01L9/04

CPC classification number: G01L19/147 ,  G01L13/025 ,  G01L19/0092 ,  G01L19/0645 ,  G01L19/148

Abstract: 本发明给出了一种能进行适当的静压补偿的差压变送器。该差压变送器包括有一个半导体传感器基片和一个半导体传感器基片牢固地装置在其上的固定用底座，其特征在于利用传感器基片和底座的杨氏弹性模量之差来检测流体的差压，对传感器基片的一侧或两侧进行处理以形成一比其环绕着它的部位更薄的部位，从而使由静压荷载所产生的峰值应力出现在这一较薄部位中，并检测形成在这一较薄薄部位处的压阻型力敏电阻的阻抗变化。

公开(公告)号：CN1055060A

公开(公告)日：1991-10-02

申请号：CN91101796.8

申请日：1991-03-19

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 鹈饲征一 ,  田智 ,  飞田朋之 ,  佐濑昭

IPC: G01L9/06 ,  H01L29/84

CPC classification number: G01L19/0092 ,  G01L9/0054 ,  G01L9/065

Abstract: 在用于差压和静压传送器的集成复合传感器中，在静压检测薄片层上形成一对静压检测元件，在靠近差压检测薄片层中心的固定部分上形成另一对静压检测元件。出现在静压传感器中的差压产生的第二项是一个距离的函数，因此作用在每个静压检测元件上的影响相等。这样，通过将静压传感器构成一桥电路，可以检测到不受差压影响的静压值，因而有可能精确地确定差压和静压。