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公开(公告)号:CN1146588A
公开(公告)日:1997-04-02
申请号:CN96108377.8
申请日:1996-06-20
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G11B5/39
Abstract: 磁阻效应型磁头的制造方法,在晶片上将磁阻效应元件和与其MR高度不同的其它磁阻效应元件配置成1列朝向同一方向形成元件列,切断该元件列形成滑条,通过将其研磨而研磨磁阻效应元件的露出面,形成所希望高度的MR高度,此时,测定该磁阻效应元件的电阻值及该其它磁阻效应元件的电阻值,根据由这些电阻值确定的上述MR高度为MR传感器高度的磁阻效应元件的电阻值,研磨上述滑条上的上述磁阻效应元件的露出面,将其MR高度作为MR传感器高度。
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公开(公告)号:CN1159640A
公开(公告)日:1997-09-17
申请号:CN96121552.6
申请日:1996-12-13
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G11B5/39
CPC classification number: G11B5/4853 , G11B5/17 , G11B5/3103 , G11B5/3116 , G11B5/313 , G11B5/3967 , G11B5/486 , G11B33/122
Abstract: 含有记录和再现分离型磁头的滑块,其中,第一引出导体的近侧端连接到线圈中央绕制部分的近侧端,向滑块上表面延伸,再沿上表面横向延伸,第一导体远侧端连接到一个记录端子;将第二引出导体近侧端连接到线圈远侧端,沿滑块上表面在与前一横向相反的方向延伸,第二引出导体远侧端连接到另一记录端子;第三引出导体近侧端连接到再现装置;第四引出导体近侧端连接到再现装置;第三、第四引出导体都在横向上沿滑块的空气轴承表面延伸。
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公开(公告)号:CN87100374A
公开(公告)日:1987-08-05
申请号:CN87100374
申请日:1987-01-19
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G11B7/00
CPC classification number: G06K7/14 , G11B7/0033 , G11B7/12 , G11B7/125
Abstract: 用于记录和/或读出信息的一维或二维排列的激光二极管陈列固定到一固定板下表面,其各激光二极管间距与其下方第一多透镜的各透镜间距相等。具有记录介质并可在X或Y方向移动的光学卡片固定于第一多透镜下方空间。在其下方对准每个激光二极管的空间位置排列第二多透镜的各个透镜,其下方排列与其各透镜对应的一维或二维排列的光敏器件。控制激光二极管发射光及读出记录信息的控制电路各自连接到激光二极管阵列和光敏器件。
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公开(公告)号:CN1077994C
公开(公告)日:2002-01-16
申请号:CN96121552.6
申请日:1996-12-13
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G11B5/4853 , G11B5/17 , G11B5/3103 , G11B5/3116 , G11B5/313 , G11B5/3967 , G11B5/486 , G11B33/122
Abstract: 公开了一种形成在滑块的尾表面上并具有磁感应型装置和磁阻效应型装置的记录和再现磁头,包括:连接到记录线圈的中部端的第一引出导体;连接到线圈外部的线圈的另一端并平行于滑块的上表面侧延伸,以及连接到第二记录装置端子的第二引出导体;连接到磁阻效应型装置的一端并具有向滑块的上表面侧延伸的第一导体部分的第三引出导体;以及连接到磁阻效应型装置的另一端,并具有向滑块的上表面侧延伸的第一导体部分的第四引出导体。
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