公开(公告)号：CN101083305A

公开(公告)日：2007-12-05

申请号：CN200710105443.7

申请日：2007-05-30

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 新井唯 ,  芝健夫 ,  安藤正彦 ,  鸟居和功

IPC: H01L51/40 ,  H01L21/288

CPC classification number: H01L51/102 ,  H01L27/283 ,  H01L51/0022 ,  H01L51/0545

Abstract: 由于使用印刷法产生位置偏移，所以无法形成介于绝缘膜使下部电极和上部电极良好对位的电极衬底。如果使用光掩模进行对位，则大幅度提高成本。在本发明中，由于自匹配地进行下部电极和上部电极的对位，所以，即使使用印刷法也不发生位置偏移。因此，能使用印刷法廉价地制造使用了有机半导体的挠性衬底等半导体器件。

公开(公告)号：CN1229524A

公开(公告)日：1999-09-22

申请号：CN96180439.4

申请日：1996-08-07

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 平谷正彦 ,  栉田惠子 ,  鸟居和功 ,  三木浩史 ,  松井裕一 ,  藤崎芳久 ,  今川一重 ,  高木一正

IPC: H01L21/8242 ,  H01L27/108

Abstract: 将氧化物介质用于电容器的半导体器件的制造方法,抑制电容器下电极界面处的氧化。该氧化物介质电容器由下电极层11、位于下电极层11上的氧化物介质层16、和位于氧化物介质层16上的上电极层17构成。下电极层11包括双层导电氧化物层12。相邻的两层14和15按相同结晶结构用相同元素构成。靠近衬底10侧的层14包括不充足的氧,所以可以防止与层14相邻的下电极层的单元13及其界面的氧化,从而确保其间的适当电连接。

公开(公告)号：CN101083305B

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200710105443.7

申请日：2007-05-30

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 新井唯 ,  芝健夫 ,  安藤正彦 ,  鸟居和功

IPC: H01L51/40 ,  H01L21/288

CPC classification number: H01L51/102 ,  H01L27/283 ,  H01L51/0022 ,  H01L51/0545

Abstract: 由于使用印刷法产生位置偏移，所以无法形成介于绝缘膜使下部电极和上部电极良好对位的电极衬底。如果使用光掩模进行对位，则大幅度提高成本。在本发明中，由于自匹配地进行下部电极和上部电极的对位，所以，即使使用印刷法也不发生位置偏移。因此，能使用印刷法廉价地制造使用了有机半导体的挠性衬底等半导体器件。