公开(公告)号：CN104956311A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201380071895.1

申请日：2013-10-09

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 森下升 ,  工藤晋太郎 ,  野中裕介 ,  山本彰

IPC: G06F3/06 ,  G06F12/08 ,  G06F13/10

CPC classification number: G06F12/0868 ,  G06F3/0619 ,  G06F3/065 ,  G06F3/067 ,  G06F11/14 ,  G06F12/0895 ,  G06F13/10 ,  G06F2212/1016 ,  G06F2212/1041 ,  G06F2212/283 ,  G06F2212/313

Abstract: 存储系统具有：第一控制器，其具有第一缓冲区域和第一缓存区域；以及第二控制器，其具有第二缓冲区域和第二缓存区域。第一控制器将遵从于来自主机计算机的写入请求的写入数据不经由第一缓冲区域而保存到第一缓存区域，将保存到第一缓存区域的写入数据不经由第二缓冲区域而传送到第二缓存区域。第一控制器根据第一写入数据向第一缓存区域的保存是否成功或写入数据从第一缓存区域向第二控制器的传送是否成功，来决定将第一缓存区域和第二缓存区域中的哪一个设为复制源而将哪一个设为复制目的地，通过从复制源向复制目的地复制数据，来恢复与传送失败有关的区域内的数据。

公开(公告)号：CN101465295A

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200810174843.8

申请日：2001-06-29

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  日立超大规模集成电路系统株式会社

Inventor： 清水昭博 ,  大木长斗司 ,  野中裕介 ,  一濑胜彦

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/78 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L29/7845 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823864 ,  H01L21/84 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7843 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件具有在半导体基板的一主面的第1区域构成了沟道形成区域的n沟道导电型场效应晶体管、及在上述半导体基板的一主面的与第1区域不同的第2区域构成了沟道形成区域的p沟道导电型场效应晶体管，在该半导体器件中，在上述n沟道导电型场效应晶体管的沟道形成区域产生的内部应力、与在上述p沟道导电型场效应晶体管的沟道形成区域产生的内部应力相互不同。在上述n沟道导电型场效应晶体管的沟道形成区域产生的内部应力是拉伸应力，在上述p沟道导电型场效应晶体管的沟道形成区域产生的内部应力是压缩应力。

公开(公告)号：CN101359278A

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200810108901.7

申请日：2008-06-06

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 出田宏 ,  永田幸司 ,  野中裕介 ,  重村武志

IPC: G06F3/06 ,  H04L29/06

CPC classification number: G06F3/0647 ,  G06F3/0613 ,  G06F3/0635 ,  G06F3/0689 ,  G06F11/0796

Abstract: 本发明提供一种在后端连接的存储系统。不经由主机地在存储系统间进行连接。使交换设备介于存储系统中的控制器和存储装置之间。使交换设备具有的多个物理端口中的一个以上的物理端口成为：与其它存储系统中的其它交换设备所具有的多个物理端口中的一个以上的物理端口不经由主机地相互进行物理连接的物理端口。

公开(公告)号：CN1449585A

公开(公告)日：2003-10-15

申请号：CN01814948.0

申请日：2001-06-29

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  日立超大规模集成电路系统株式会社

Inventor： 清水昭博 ,  大木长斗司 ,  野中裕介 ,  一濑胜彦

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L29/7845 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823864 ,  H01L21/84 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7843 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，具有在半导体基板的一主面的第1区域构成了沟道形成区域的n沟道导电型场效应晶体管、及在上述半导体基板的一主面的与第1区域不同的第2区域构成了沟道形成区域的p沟道导电型场效应晶体管，在该半导体器件中，在上述n沟道导电型场效应晶体管的沟道形成区域产生的内部应力、与在上述p沟道导电型场效应晶体管的沟道形成区域产生的内部应力相互不同。在上述n沟道导电型场效应晶体管的沟道形成区域产生的内部应力是拉伸应力，在上述p沟道导电型场效应晶体管的沟道形成区域产生的内部应力是压缩应力。

公开(公告)号：CN104956311B

公开(公告)日：2017-10-17

申请号：CN201380071895.1

申请日：2013-10-09

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 森下升 ,  工藤晋太郎 ,  野中裕介 ,  山本彰

IPC: G06F3/06 ,  G06F12/0868 ,  G06F12/0895

CPC classification number: G06F12/0868 ,  G06F3/0619 ,  G06F3/065 ,  G06F3/067 ,  G06F11/14 ,  G06F12/0895 ,  G06F13/10 ,  G06F2212/1016 ,  G06F2212/1041 ,  G06F2212/283 ,  G06F2212/313

Abstract: 存储系统具有：第一控制器，其具有第一缓冲区域和第一缓存区域；以及第二控制器，其具有第二缓冲区域和第二缓存区域。第一控制器将遵从于来自主机计算机的写入请求的写入数据不经由第一缓冲区域而保存到第一缓存区域，将保存到第一缓存区域的写入数据不经由第二缓冲区域而传送到第二缓存区域。第一控制器根据第一写入数据向第一缓存区域的保存是否成功或写入数据从第一缓存区域向第二控制器的传送是否成功，来决定将第一缓存区域和第二缓存区域中的哪一个设为复制源而将哪一个设为复制目的地，通过从复制源向复制目的地复制数据，来恢复与传送失败有关的区域内的数据。

公开(公告)号：CN104471523B

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：CN201280072911.4

申请日：2012-05-18

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 工藤晋太郎 ,  野中裕介

IPC: G06F3/06

CPC classification number: G06F13/34 ,  G06F3/0611 ,  G06F3/0658 ,  G06F3/0659 ,  G06F3/067 ,  G06F13/1642

Abstract: 本发明是一种群集式存储系统，利用该群集式存储系统，即使在从一个控制器的处理器发送对另一控制器的处理器的访问时，第二控制器的处理器也能够使对这一访问的处理优先，从而使得防止I/O处理被延迟。利用本发明的存储系统，第一控制器的第一处理器通过在针对其的处理将被第二控制器的第二处理器优先的请求信息和针对其的处理将不被优先的请求信息之间区分来向第二处理器传输将由第二处理器处理的请求信息，并且第二处理器通过在针对其的处理将被优先的请求信息与针对其的信息将不被优先的请求信息之间区分来获取请求信息。

公开(公告)号：CN102257469A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN200980129939.5

申请日：2009-03-02

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 小川纯司 ,  野中裕介 ,  松井佑光

IPC: G06F3/06 ,  G06F9/50

CPC classification number: G06F3/0689 ,  G06F3/061 ,  G06F3/0631 ,  G06F3/0647 ,  G06F3/0658 ,  G06F9/5083

Abstract: 基于由用户考虑到由在多个非对称核中的负载分配造成的负载改变进行的设置，选择并执行最佳负载分配处理。具有多个核的控制器基于LU所要权管理信息对每一个LU提取指示具有LU所有权的核和作为LU所有权改变目的地的候补核之间的关系的模式；对每一个LU测量多个资源的使用情况；基于测量结果对每一个LU预测多个资源的使用情况的改变和要由转移处理本身产生的开销；基于各个预测结果选择与用户的设置信息匹配的模式；并将LU所有权转移到属于所选择的模式的核。

公开(公告)号：CN101359277A

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200810082826.1

申请日：2008-02-28

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 上野浩一 ,  永田幸司 ,  野中裕介

IPC: G06F3/06 ,  H04L29/08

CPC classification number: G06F3/0647 ,  G06F3/0604 ,  G06F3/067 ,  G06F11/2092

Abstract: 本发明提供一种转移系统信息要素的存储系统，可以减轻用户负担地进行转移目的地存储系统中的系统信息的设定。在具备第一存储装置的第一存储系统中，具备与第二存储系统所具有的第二接口装置连接的第一接口装置。第一存储系统中的第一控制器从第一系统区域(第一存储装置中不提供给主机的存储区域)读出第一系统信息(与第一存储系统的结构以及控制相关的信息)中的系统信息要素，将该系统信息要素或将其变更后的系统信息要素经由第一接口装置转移至第二存储系统。在第二存储系统所具备的第二存储装置中的第二系统区域中记录该系统信息要素。

公开(公告)号：CN109196456B

公开(公告)日：2021-06-04

申请号：CN201680086168.6

申请日：2016-09-27

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 吉川威雄 ,  野中裕介 ,  崔真 ,  川原崎正英

IPC: G06F3/06

Abstract: 存储控制器测定RG(RAID组)的运转时间即RG运转时间。存储控制器基于与RG的PDEV(物理存储设备)种类对应的校正系数、和对RG的I/O命令的多重度即RG后端多重度，对RG运转率的计算中使用的RG运转时间进行校正。

公开(公告)号：CN104471523A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201280072911.4

申请日：2012-05-18

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 工藤晋太郎 ,  野中裕介

IPC: G06F3/06

CPC classification number: G06F13/34 ,  G06F3/0611 ,  G06F3/0658 ,  G06F3/0659 ,  G06F3/067 ,  G06F13/1642

Abstract: 本发明是一种群集式存储系统，利用该群集式存储系统，即使在从一个控制器的处理器发送对另一控制器的处理器的访问时，第二控制器的处理器也能够使对这一访问的处理优先，从而使得防止I/O处理被延迟。利用本发明的存储系统，第一控制器的第一处理器通过在针对其的处理将被第二控制器的第二处理器优先的请求信息和针对其的处理将不被优先的请求信息之间区分来向第二处理器传输将由第二处理器处理的请求信息，并且第二处理器通过在针对其的处理将被优先的请求信息与针对其的信息将不被优先的请求信息之间区分来获取请求信息。