公开(公告)号：CN101465295A

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200810174843.8

申请日：2001-06-29

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  日立超大规模集成电路系统株式会社

Inventor： 清水昭博 ,  大木长斗司 ,  野中裕介 ,  一濑胜彦

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/78 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L29/7845 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823864 ,  H01L21/84 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7843 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件具有在半导体基板的一主面的第1区域构成了沟道形成区域的n沟道导电型场效应晶体管、及在上述半导体基板的一主面的与第1区域不同的第2区域构成了沟道形成区域的p沟道导电型场效应晶体管，在该半导体器件中，在上述n沟道导电型场效应晶体管的沟道形成区域产生的内部应力、与在上述p沟道导电型场效应晶体管的沟道形成区域产生的内部应力相互不同。在上述n沟道导电型场效应晶体管的沟道形成区域产生的内部应力是拉伸应力，在上述p沟道导电型场效应晶体管的沟道形成区域产生的内部应力是压缩应力。

公开(公告)号：CN1449585A

公开(公告)日：2003-10-15

申请号：CN01814948.0

申请日：2001-06-29

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  日立超大规模集成电路系统株式会社

Inventor： 清水昭博 ,  大木长斗司 ,  野中裕介 ,  一濑胜彦

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L29/7845 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823864 ,  H01L21/84 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7843 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，具有在半导体基板的一主面的第1区域构成了沟道形成区域的n沟道导电型场效应晶体管、及在上述半导体基板的一主面的与第1区域不同的第2区域构成了沟道形成区域的p沟道导电型场效应晶体管，在该半导体器件中，在上述n沟道导电型场效应晶体管的沟道形成区域产生的内部应力、与在上述p沟道导电型场效应晶体管的沟道形成区域产生的内部应力相互不同。在上述n沟道导电型场效应晶体管的沟道形成区域产生的内部应力是拉伸应力，在上述p沟道导电型场效应晶体管的沟道形成区域产生的内部应力是压缩应力。

公开(公告)号：CN1505839A

公开(公告)日：2004-06-16

申请号：CN01820204.7

申请日：2001-12-06

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 熊谷幸博 ,  太田裕之 ,  三浦英生 ,  大塚文雄 ,  一濑胜彦 ,  池田修二 ,  竹田敏文 ,  尾内亨裕

IPC: H01L27/092

CPC classification number: H01L29/7842 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823842 ,  H01L27/092

Abstract: 一种半导体器件，具有n沟道型场效应晶体管和p沟道型场效应晶体管，其中该两个晶体管都具有优异的漏电流特性。具有n沟道型场效应晶体管(10)和p沟道型场效应晶体管(30)的半导体器件包括用作涂敷n沟道型场效应晶体管(10)的栅电极(15)的应力控制膜(19)的膜，其膜应力偏移到拉应力。该器件还包括用作涂敷p沟道型场效应晶体管(30)的栅电极(35)的应力控制膜(39)的膜，其膜应力更多的是压应力而不是n沟道型场效应晶体管(10)的膜(19)那样的应力。这样，期望n沟道型和p沟道型晶体管来改善漏电流。因此，整体的特性得到改善。

公开(公告)号：CN100382315C

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN01820204.7

申请日：2001-12-06

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 熊谷幸博 ,  太田裕之 ,  三浦英生 ,  大塚文雄 ,  一濑胜彦 ,  池田修二 ,  竹田敏文 ,  尾内亨裕

IPC: H01L27/092

CPC classification number: H01L29/7842 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823842 ,  H01L27/092

Abstract: 一种半导体器件，具有n沟道型场效应晶体管和p沟道型场效应晶体管，其中该两个晶体管都具有优异的漏电流特性。具有n沟道型场效应晶体管(10)和p沟道型场效应晶体管(30)的半导体器件包括用作涂敷n沟道型场效应晶体管(10)的栅电极(15)的应力控制膜(19)的膜，其膜应力偏移到拉应力。该器件还包括用作涂敷p沟道型场效应晶体管(30)的栅电极(35)的应力控制膜(39)的膜，其膜应力更多的是压应力而不是n沟道型场效应晶体管(10)的膜(19)那样的应力。这样，期望n沟道型和p沟道型晶体管来改善漏电流。因此，整体的特性得到改善。

公开(公告)号：CN1722433A

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN200510088422.X

申请日：1999-07-08

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  日立东京电子株式会社

Inventor： 藤原刚 ,  一濑胜彦 ,  大桥直史 ,  牛山雅弘 ,  齐藤哲夫

IPC: H01L27/00 ,  H01L23/52

Abstract: 本发明的目的是提供一种高性能和高可靠性的半导体器件。用于自对准的氮化硅膜17，形成此膜以覆盖MISFET的栅极，以下述方式形成：利用含有单硅烷和氮气的原料气、通过等离子CVD、在400摄氏度或更高的衬底温度下形成。构成钝化膜的氮化硅膜44是利用含有单硅烷、氨气和氮气的原料气、通过等离子CVD、在约350摄氏度的衬底温度下形成的。包含在氮化硅膜17中的氢气含量小于在氮化硅膜44中的含量，可以抑制从氮化硅膜17释放氢气。

公开(公告)号：CN1220257C

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：CN99816381.3

申请日：1999-07-08

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  日立东京电子株式会社

Inventor： 藤原刚 ,  一濑胜彦 ,  大桥直史 ,  牛山雅弘 ,  齐藤哲夫

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L21/76834 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823871 ,  H01L24/11 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10888 ,  H01L27/10894 ,  H01L28/24 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种高性能和高可靠性的半导体器件及其制造方法。用于自对准的氮化硅膜17，形成此膜以覆盖MISFET的栅极，以下述方式形成：利用含有单硅烷和氮气的原料气、通过等离子CVD、在400摄氏度或更高的衬底温度下形成。构成钝化膜的氮化硅膜44是利用含有单硅烷、氨气和氮气的原料气、通过等离子CVD、在约350摄氏度的衬底温度下形成的。包含在氮化硅膜17中的氢气含量小于在氮化硅膜44中的含量，可以抑制从氮化硅膜17释放氢气。

公开(公告)号：CN1338114A

公开(公告)日：2002-02-27

申请号：CN99816381.3

申请日：1999-07-08

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  日立东京电子株式会社

Inventor： 藤原刚 ,  一濑胜彦 ,  大桥直史 ,  牛山雅弘 ,  齐藤哲夫

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L21/76834 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823871 ,  H01L24/11 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10888 ,  H01L27/10894 ,  H01L28/24 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明的目的是提供一种高性能和高可靠性的半导体器件。用于自对准的氮化硅膜17,形成此膜以覆盖MISFET的栅极,以下述方式形成:利用含有单硅烷和氮气的原料气、通过等离子CVD、在400摄氏度或更高的衬底温度下形成。构成钝化膜的氮化硅膜44是利用含有单硅烷、氨气和氮气的原料气、通过等离子CVD、在约350摄氏度的衬底温度下形成的。包含在氮化硅膜17中的氢气含量小于在氮化硅膜44中的含量,可以抑制从氮化硅膜17释放氢气。