公开(公告)号：CN1221945C

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN03107521.5

申请日：2003-02-25

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 中西荣司 ,  矶野千博 ,  田所茂 ,  米川直 ,  松崎哲也 ,  松下雅夫

IPC: G11B5/127

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/3106 ,  G11B5/3116 ,  G11B5/3136 ,  G11B5/3173 ,  G11B5/3967 ,  G11B5/40 ,  G11B2005/3996

Abstract: 在记录重放分离型磁头中对应于感应型薄膜记录头的部分的浮起面层叠保护膜中形成3nm左右的台阶(凹部)，通过偏移头因热变形而向头元件的浮起面突出，可降低实效头元件向浮起面的突出，防止与记录媒体接触。

公开(公告)号：CN1549245A

公开(公告)日：2004-11-24

申请号：CN200310100337.1

申请日：2003-10-14

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 大友茂一 ,  福井宏 ,  米川直 ,  丸山洋治 ,  岩仓忠幸

IPC: G11B5/39

CPC classification number: G11B5/3916

Abstract: 本发明提供了相对于环境温度上升来说热突出较小的薄膜磁头。其中，下部屏蔽层或上部屏蔽层中的至少一方使用热膨胀系数在11.5×10－6/K以下的低热膨胀系数的磁性材料。另外，下部屏蔽层或上部屏蔽层中的至少一方使用具有11.5×10－6/K以下的低热膨胀系数的磁性材料与80％(重量)NiFe合金的叠层膜。这样，可以得到记录后噪声小、热突出降低的薄膜磁头。

公开(公告)号：CN1248197C

公开(公告)日：2006-03-29

申请号：CN200310100337.1

申请日：2003-10-14

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 大友茂一 ,  福井宏 ,  米川直 ,  丸山洋治 ,  岩仓忠幸

IPC: G11B5/39

CPC classification number: G11B5/3916

Abstract: 本发明提供了相对于环境温度上升来说热突出较小的薄膜磁头。其中，下部屏蔽层或上部屏蔽层中的至少一方使用热膨胀系数在11.5×10-6/K以下的低热膨胀系数的磁性材料。另外，下部屏蔽层或上部屏蔽层中的至少一方使用具有11.5×10-6/K以下的低热膨胀系数的磁性材料与80%(重量)NiFe合金的叠层膜。这样，可以得到记录后噪声小、热突出降低的薄膜磁头。

公开(公告)号：CN1477618A

公开(公告)日：2004-02-25

申请号：CN03107521.5

申请日：2003-02-25

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 中西荣司 ,  矶野千博 ,  田所茂 ,  米川直 ,  松崎哲也 ,  松下雅夫

IPC: G11B5/127

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/3106 ,  G11B5/3116 ,  G11B5/3136 ,  G11B5/3173 ,  G11B5/3967 ,  G11B5/40 ,  G11B2005/3996

Abstract: 在记录重放分离型磁头中对应于感应型薄膜记录头的部分的浮起面层叠保护膜中形成3nm左右的台阶(凹部)，通过偏移头因热变形而向头元件的浮起面突出，可降低实效头元件向浮起面的突出，防止与记录媒体接触。