公开(公告)号：CN1146588A

公开(公告)日：1997-04-02

申请号：CN96108377.8

申请日：1996-06-20

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 加藤笃 ,  森尻诚 ,  矶野千博 ,  高仓昭雄 ,  小柳広明

IPC: G11B5/39

Abstract: 磁阻效应型磁头的制造方法，在晶片上将磁阻效应元件和与其MR高度不同的其它磁阻效应元件配置成1列朝向同一方向形成元件列，切断该元件列形成滑条，通过将其研磨而研磨磁阻效应元件的露出面，形成所希望高度的MR高度，此时，测定该磁阻效应元件的电阻值及该其它磁阻效应元件的电阻值，根据由这些电阻值确定的上述MR高度为MR传感器高度的磁阻效应元件的电阻值，研磨上述滑条上的上述磁阻效应元件的露出面，将其MR高度作为MR传感器高度。

公开(公告)号：CN1477618A

公开(公告)日：2004-02-25

申请号：CN03107521.5

申请日：2003-02-25

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 中西荣司 ,  矶野千博 ,  田所茂 ,  米川直 ,  松崎哲也 ,  松下雅夫

IPC: G11B5/127

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/3106 ,  G11B5/3116 ,  G11B5/3136 ,  G11B5/3173 ,  G11B5/3967 ,  G11B5/40 ,  G11B2005/3996

Abstract: 在记录重放分离型磁头中对应于感应型薄膜记录头的部分的浮起面层叠保护膜中形成3nm左右的台阶(凹部)，通过偏移头因热变形而向头元件的浮起面突出，可降低实效头元件向浮起面的突出，防止与记录媒体接触。

公开(公告)号：CN1221945C

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN03107521.5

申请日：2003-02-25

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 中西荣司 ,  矶野千博 ,  田所茂 ,  米川直 ,  松崎哲也 ,  松下雅夫

IPC: G11B5/127

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/3106 ,  G11B5/3116 ,  G11B5/3136 ,  G11B5/3173 ,  G11B5/3967 ,  G11B5/40 ,  G11B2005/3996

Abstract: 在记录重放分离型磁头中对应于感应型薄膜记录头的部分的浮起面层叠保护膜中形成3nm左右的台阶(凹部)，通过偏移头因热变形而向头元件的浮起面突出，可降低实效头元件向浮起面的突出，防止与记录媒体接触。