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公开(公告)号：CN1117180A
公开(公告)日：1996-02-21
申请号：CN95104052.9
申请日：1995-03-08
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G11B5/31
CPC classification number: G11B5/3932 , G11B5/3967
Abstract: 磁变电阻效应型磁头具有用磁场改变电阻的磁变电阻效应膜14、使电流流到前述磁变电阻膜的一对电极17和为把横偏磁磁场加于前述磁变电阻效应膜的软磁性膜16，其特征是前述软磁性膜16含有铁、钴和镍之中至少一种材料和氧化锆、氧化铝、氧化铪、氧化钛、氧化铍、氧化镁、稀土类氧化物、氮化锆、氮化铪、氮化铝、氮化钛、氮化铍、氮化镁、氮化硅和稀土类氮化物中的至少一种化合物。由于添加化合物，使软磁性膜的电阻上升，由磁变电阻效应膜分流到软磁性膜的电流减少，从而提高了磁变电阻效应型磁头的重放电压。
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公开(公告)号：CN1221945C
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN03107521.5
申请日：2003-02-25
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G11B5/127
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3106 , G11B5/3116 , G11B5/3136 , G11B5/3173 , G11B5/3967 , G11B5/40 , G11B2005/3996
Abstract: 在记录重放分离型磁头中对应于感应型薄膜记录头的部分的浮起面层叠保护膜中形成3nm左右的台阶(凹部)，通过偏移头因热变形而向头元件的浮起面突出，可降低实效头元件向浮起面的突出，防止与记录媒体接触。
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公开(公告)号：CN1079969C
公开(公告)日：2002-02-27
申请号：CN96112169.6
申请日：1996-07-25
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/012 , G11B5/3903 , G11B5/3932 , G11B5/5526 , G11B5/59683 , G11B2005/3996
Abstract: 提供了一种磁致电阻磁头，其中基本上抑制了巴克豪森噪声并将再现时的变化减至最小，并且提供用该磁头的一种磁盘装置。本发明的磁头和磁盘装置的特征在于提供纵向偏置层，它包括形成在一个底基层上的一个硬磁薄膜，该底基层是由一个具有体心立方晶格晶体结构的铁磁薄膜，非晶铁磁薄膜，或具有使体心立方晶格晶体结构的反铁磁薄膜中的任一种薄膜制成。
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公开(公告)号：CN1150292A
公开(公告)日：1997-05-21
申请号：CN96112169.6
申请日：1996-07-25
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/012 , G11B5/3903 , G11B5/3932 , G11B5/5526 , G11B5/59683 , G11B2005/3996
Abstract: 提供了一种磁阻磁头，其中基本上抑制了巴克豪森噪声并将再现时的变化减至最小，并且提供用该磁头的一种磁盘装置。本发明的磁头和磁盘装置的特征在于提供纵向偏置层，它包括形成在一个底基层上的一个硬磁薄膜，该底基层是由一个具有体中心立方栅格晶体结构的铁淦氧磁薄膜，非晶铁淦氧磁薄膜，或具有使中心立方栅格晶体结构的反铁淦氧磁薄膜中的任一种薄膜制成。
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公开(公告)号：CN1477618A
公开(公告)日：2004-02-25
申请号：CN03107521.5
申请日：2003-02-25
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G11B5/127
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3106 , G11B5/3116 , G11B5/3136 , G11B5/3173 , G11B5/3967 , G11B5/40 , G11B2005/3996
Abstract: 在记录重放分离型磁头中对应于感应型薄膜记录头的部分的浮起面层叠保护膜中形成3nm左右的台阶(凹部)，通过偏移头因热变形而向头元件的浮起面突出，可降低实效头元件向浮起面的突出，防止与记录媒体接触。
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