公开(公告)号：CN1079969C

公开(公告)日：2002-02-27

申请号：CN96112169.6

申请日：1996-07-25

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 渡边克朗 ,  川边隆 ,  田所茂 ,  神尾浩 ,  今川尊雄

IPC: G11B5/39

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/012 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3932 ,  G11B5/5526 ,  G11B5/59683 ,  G11B2005/3996

Abstract: 提供了一种磁致电阻磁头，其中基本上抑制了巴克豪森噪声并将再现时的变化减至最小，并且提供用该磁头的一种磁盘装置。本发明的磁头和磁盘装置的特征在于提供纵向偏置层，它包括形成在一个底基层上的一个硬磁薄膜，该底基层是由一个具有体心立方晶格晶体结构的铁磁薄膜，非晶铁磁薄膜，或具有使体心立方晶格晶体结构的反铁磁薄膜中的任一种薄膜制成。

公开(公告)号：CN1150292A

公开(公告)日：1997-05-21

申请号：CN96112169.6

申请日：1996-07-25

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 渡边克朗 ,  川边隆 ,  田所茂 ,  神尾浩 ,  今川尊雄

IPC: G11B5/39

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/012 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3932 ,  G11B5/5526 ,  G11B5/59683 ,  G11B2005/3996

Abstract: 提供了一种磁阻磁头，其中基本上抑制了巴克豪森噪声并将再现时的变化减至最小，并且提供用该磁头的一种磁盘装置。本发明的磁头和磁盘装置的特征在于提供纵向偏置层，它包括形成在一个底基层上的一个硬磁薄膜，该底基层是由一个具有体中心立方栅格晶体结构的铁淦氧磁薄膜，非晶铁淦氧磁薄膜，或具有使中心立方栅格晶体结构的反铁淦氧磁薄膜中的任一种薄膜制成。