公开(公告)号：CN1210809C

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN00806903.4

申请日：2000-03-28

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 杉井信之 ,  中川清和 ,  山中伸也 ,  宫尾正信

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/7782 ,  H01L29/7848

Abstract: 为了采用Si和与起同族的元素Ge、C等的组合，提供一种具有低消耗电力下高速的场效应晶体管，利用形变施加层(2)将形变施加到形成场效应晶体管沟道的沟道形成层(1)上，使沟道中的载流子迁移率比无形变的沟道形成层材料大。

公开(公告)号：CN1349662A

公开(公告)日：2002-05-15

申请号：CN00806903.4

申请日：2000-03-28

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 杉井信之 ,  中川清和 ,  山中伸也 ,  宫尾正信

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/7782 ,  H01L29/7848

Abstract: 为了采用Si和与起同族的元素Ge、C等的组合,提供一种具有低消耗电力下高速的场效应晶体管,利用形变施加层2将形变施加到形成场效应晶体管沟道的沟道形成层1上,使沟道中的载流子迁移率比无形变的沟道形成层材料大。

公开(公告)号：CN1716570A

公开(公告)日：2006-01-04

申请号：CN200510074318.5

申请日：2000-03-28

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 杉井信之 ,  中川清和 ,  山口伸也 ,  宫尾正信

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/7782 ,  H01L29/7848

Abstract: 为了采用Si和与起同族的元素Ge、C等的组合，提供一种半导体器件制造方法及其半导体器件，包括步骤：在半导体衬底上形成Si1－xGex形变施加层，其中0＜x＜1；在所述Si1－xGex形变施加层上生长形变Si层，从而在所述形变Si层和所述Si1－xGex形变施加层之间提供面内拉伸应变；对所述形变Si层的表面进行热氧化；将所述形变Si层的所述表面与一个支承衬底相互键合；在分离位置分离所述Si1－xGex形变施加层的至少一部分和大部分所述Si1－xGex形变施加层和一部分所述形变Si层；以及在所述位置分离内形成p－MOS晶体管和n－MOS晶体管的源、漏区。